RAM
DDR5
DDR4
DDR3
DDR2
О сайте
Menu
RAMs
RAM
DDR5
DDR4
DDR3
DDR2
О сайте
Русский
English
Español
Português
Deutsch
Français
Italiano
Polski
中文
日本語
Samsung M3 93T5750CZA-CE6 2GB
Team Group Inc. TEAMGROUP-UD4-2800 8GB
Сравнить
Samsung M3 93T5750CZA-CE6 2GB против Team Group Inc. TEAMGROUP-UD4-2800 8GB
-->
Средняя оценка
Samsung M3 93T5750CZA-CE6 2GB
Средняя оценка
Team Group Inc. TEAMGROUP-UD4-2800 8GB
Различия
Спецификации
Комментарии
Различия
Причины выбрать
Samsung M3 93T5750CZA-CE6 2GB
Сообщить об ошибке
Выше скорость чтения
3
17.5
Среднее значение в тестах
Выше скорость записи
2,622.0
12.7
Среднее значение в тестах
Причины выбрать
Team Group Inc. TEAMGROUP-UD4-2800 8GB
Сообщить об ошибке
Ниже задержка в тестах PassMark, нс
22
77
Около -250% меньшая задержка
Выше пропускная способность
17000
5300
Около 3.21 выше полоса пропускания
Спецификации
Полный список технических характеристик
Samsung M3 93T5750CZA-CE6 2GB
Team Group Inc. TEAMGROUP-UD4-2800 8GB
Основные характеристики
Тип памяти
DDR2
DDR4
Задержка в PassMark, нс
77
22
Скорость чтения, Гб/сек
3,405.2
17.5
Скорость записи, Гб/сек
2,622.0
12.7
Пропускная способность памяти, мбит/сек
5300
17000
Other
Описание
PC2-5300, SSTL 1.8V, CAS Supported: 3 4 5
PC4-17000, 1.2V, CAS Supported: 9 11 12 13 14 15 16 18 19
Тайминги / частота
5-5-5-15 / 667 MHz
14-14-14, 15-15-15, 16-16-16 / 2133 MHz
Рейтинг PassMark (Чем больше тем лучше)
763
2960
Samsung M3 93T5750CZA-CE6 2GB Сравнения RAM
takeMS International AG TMS2GB264D082805EQ 2GB
Southland Microsystems 40002105-01 2GB
Team Group Inc. TEAMGROUP-UD4-2800 8GB Сравнения RAM
Crucial Technology CT51264BD1339.M16F 4GB
Hoodisk Electronics Co Ltd GKE160SO102408-2666 16GB
Калькулятор задержки (latency) памяти (RAM)
Рассчитать скорость работы памяти RAM в нс
RAM 1
CAS Latency (CL) *
Frequency (Mhz) *
calculate
Absolute Latency
0 ns
RAM 2
CAS Latency (CL) *
Frequency (Mhz) *
calculate
Absolute Latency
0 ns
Последние сравнения
Kingston 9965433-034.A00LF 4GB
Kingston 9965589-007.D01G 8GB
Nanya Technology NT4GC64B8HG0NS-CG 4GB
SK Hynix HMA81GU6CJR8N-UH 8GB
Smart Modular SH564128FH8NZQNSCG 4GB
Crucial Technology BL8G32C16U4B.8FE 8GB
Kingston 99U5458-008.A00LF 4GB
Kingston 9905744-035.A00G 16GB
SK Hynix HMT325S6BFR8C-H9 2GB
Kingmax Semiconductor GLAF62F-D8---------- 4GB
Hexon Technology Pte Ltd HEXON 1GB
G Skill Intl F4-3200C14-8GVK 8GB
Samsung M3 78T2953EZ3-CF7 1GB
Corsair CM4X4GF2133C15S2 4GB
Team Group Inc. Team-Elite-1333 4GB
Kllisre 0000 8GB
TwinMOS 9DNPBNZB-TATP 4GB
Kingston K821PJ-MIB 16GB
Ramos Technology EWB8GB681CA3-16IC 8GB
Mushkin 99[2/7/4]197F 8GB
Elpida EBJ81UG8BBU0-GN-F 8GB
Crucial Technology CT8G4DFD824A.M16FB 8GB
Samsung M471B5673FH0-CF8 2GB
Kingston KHX2933C15D4/8GX 8GB
Crucial Technology CT51264AC800.C16FC 4GB
G Skill Intl F4-3200C14-16GTZDCB 16GB
Patriot Memory (PDP Systems) PSD38G1600L2S 8GB
Shanghai Kuxin Microelectronics Ltd NMSO416E82-2400E 16
Сообщить об ошибке
×
Bug description
Source link