RAM
DDR5
DDR4
DDR3
DDR2
О сайте
Menu
RAMs
RAM
DDR5
DDR4
DDR3
DDR2
О сайте
Русский
English
Español
Português
Deutsch
Français
Italiano
Polski
中文
日本語
Samsung M3 93T5750CZA-CE6 2GB
Team Group Inc. TEAMGROUP-UD4-3866 8GB
Сравнить
Samsung M3 93T5750CZA-CE6 2GB против Team Group Inc. TEAMGROUP-UD4-3866 8GB
-->
Средняя оценка
Samsung M3 93T5750CZA-CE6 2GB
Средняя оценка
Team Group Inc. TEAMGROUP-UD4-3866 8GB
Различия
Спецификации
Комментарии
Различия
Причины выбрать
Samsung M3 93T5750CZA-CE6 2GB
Сообщить об ошибке
Выше скорость чтения
3
17.4
Среднее значение в тестах
Выше скорость записи
2,622.0
17.3
Среднее значение в тестах
Причины выбрать
Team Group Inc. TEAMGROUP-UD4-3866 8GB
Сообщить об ошибке
Ниже задержка в тестах PassMark, нс
27
77
Около -185% меньшая задержка
Выше пропускная способность
17000
5300
Около 3.21 выше полоса пропускания
Спецификации
Полный список технических характеристик
Samsung M3 93T5750CZA-CE6 2GB
Team Group Inc. TEAMGROUP-UD4-3866 8GB
Основные характеристики
Тип памяти
DDR2
DDR4
Задержка в PassMark, нс
77
27
Скорость чтения, Гб/сек
3,405.2
17.4
Скорость записи, Гб/сек
2,622.0
17.3
Пропускная способность памяти, мбит/сек
5300
17000
Other
Описание
PC2-5300, SSTL 1.8V, CAS Supported: 3 4 5
PC4-17000, 1.2V, CAS Supported: 9 11 12 13 14 15 16 18 19
Тайминги / частота
5-5-5-15 / 667 MHz
14-14-14, 15-15-15, 16-16-16 / 2133 MHz
Рейтинг PassMark (Чем больше тем лучше)
763
3714
Samsung M3 93T5750CZA-CE6 2GB Сравнения RAM
takeMS International AG TMS2GB264D082805EQ 2GB
Southland Microsystems 40002105-01 2GB
Team Group Inc. TEAMGROUP-UD4-3866 8GB Сравнения RAM
Hoodisk Electronics Co Ltd GKE160SO102408-2666 16GB
Kingmax Semiconductor FLGF65F-C8KJ9A 4GB
Калькулятор задержки (latency) памяти (RAM)
Рассчитать скорость работы памяти RAM в нс
RAM 1
CAS Latency (CL) *
Frequency (Mhz) *
calculate
Absolute Latency
0 ns
RAM 2
CAS Latency (CL) *
Frequency (Mhz) *
calculate
Absolute Latency
0 ns
Последние сравнения
Samsung M3 93T5750CZA-CE6 2GB
Team Group Inc. TEAMGROUP-UD4-3866 8GB
Kingston KVR16N11/8-SP 8GB
Gloway International Co. Ltd. TYP4U3000E16082C 8GB
Corsair CMX4GX3M2A1600C9 2GB
Crucial Technology CT8G4DFRA266.C8FJ 8GB
Kingston KHX1600C9D3/8G 8GB
Kingston 9905713-030.A00G 8GB
Samsung M378B5173BH0-CH9 4GB
Micron Technology 8ATF1G64HZ-3G2E1 8GB
Patriot Memory (PDP Systems) PSD22G8002 2GB
Kingston HP32D4U8S8HC-8XR 8GB
Kingston 9905474-019.A00LF 2GB
G Skill Intl F4-4000C19-16GTRG 16GB
Samsung M3 93T5750CZA-CE6 2GB
Panram International Corporation D4U2666P-8G 8GB
Micron Technology 18HTF12872AY-800F1 1GB
Mushkin 99[2/7/4]202F 4GB
SK Hynix HMT41GU7BFR8A-PB 8GB
Shenzen Recadata Storage Technology 8GB
Qimonda 64T128020EDL2.5C2 1GB
Samsung M471A1K1KCB1-CRC 8GB
A-DATA Technology DQVE1908 512MB
Crucial Technology CT16G4DFRA266.C8FB 16GB
AMD R5S38G1601U2S 8GB
Kingston 9965640-008.A01G 32GB
Crucial Technology CT51264BD160B.C16F 4GB
Essencore Limited KD4AGU880-36A180X 16GB
Сообщить об ошибке
×
Bug description
Source link