RAM
DDR5
DDR4
DDR3
DDR2
О сайте
Menu
RAMs
RAM
DDR5
DDR4
DDR3
DDR2
О сайте
Русский
English
Español
Português
Deutsch
Français
Italiano
Polski
中文
日本語
Samsung M3 93T5750CZA-CE6 2GB
Teikon TMA851S6CJR6N-VKSC 4GB
Сравнить
Samsung M3 93T5750CZA-CE6 2GB против Teikon TMA851S6CJR6N-VKSC 4GB
-->
Средняя оценка
Samsung M3 93T5750CZA-CE6 2GB
Средняя оценка
Teikon TMA851S6CJR6N-VKSC 4GB
Различия
Спецификации
Комментарии
Различия
Причины выбрать
Samsung M3 93T5750CZA-CE6 2GB
Сообщить об ошибке
Выше скорость чтения
3
17
Среднее значение в тестах
Выше скорость записи
2,622.0
12.2
Среднее значение в тестах
Причины выбрать
Teikon TMA851S6CJR6N-VKSC 4GB
Сообщить об ошибке
Ниже задержка в тестах PassMark, нс
27
77
Около -185% меньшая задержка
Выше пропускная способность
21300
5300
Около 4.02 выше полоса пропускания
Спецификации
Полный список технических характеристик
Samsung M3 93T5750CZA-CE6 2GB
Teikon TMA851S6CJR6N-VKSC 4GB
Основные характеристики
Тип памяти
DDR2
DDR4
Задержка в PassMark, нс
77
27
Скорость чтения, Гб/сек
3,405.2
17.0
Скорость записи, Гб/сек
2,622.0
12.2
Пропускная способность памяти, мбит/сек
5300
21300
Other
Описание
PC2-5300, SSTL 1.8V, CAS Supported: 3 4 5
PC4-21300, 1.2V, CAS Supported: 10 11 12 13 14 15 16 17 18 19 20
Тайминги / частота
5-5-5-15 / 667 MHz
17-17-17, 18-18-18, 19-19-19, 20-20-20 / 2666 MHz
Рейтинг PassMark (Чем больше тем лучше)
763
2379
Samsung M3 93T5750CZA-CE6 2GB Сравнения RAM
takeMS International AG TMS2GB264D082805EQ 2GB
Southland Microsystems 40002105-01 2GB
Teikon TMA851S6CJR6N-VKSC 4GB Сравнения RAM
Hoodisk Electronics Co Ltd GKE160SO102408-2666 16GB
Patriot Memory (PDP Systems) PSD38G1600L2S 8GB
Калькулятор задержки (latency) памяти (RAM)
Рассчитать скорость работы памяти RAM в нс
RAM 1
CAS Latency (CL) *
Frequency (Mhz) *
calculate
Absolute Latency
0 ns
RAM 2
CAS Latency (CL) *
Frequency (Mhz) *
calculate
Absolute Latency
0 ns
Последние сравнения
Kingston ACR512X64D3S13C9G 4GB
Kingston KHX2133C14D4/8G 8GB
Kingston KVR533D2N4 512MB
Corsair CMR64GX4M4C3200C16 16GB
Samsung M3 93T5750CZA-CE6 2GB
Teikon TMA851S6CJR6N-VKSC 4GB
Nanya Technology NT2GT64U8HD0BY-AD 2GB
Samsung M471A1K43CBCBCRC 8GB
Mushkin 991679ES 996679ES 2GB
G Skill Intl F4-2933C16-16GTZRX 16GB
STEC (Silicon Tech) S1024R3NN2QK-I 1GB
V-Color Technology Inc. TL48G32S8KGRGB16 8GB
PNY Electronics PNY 2GB
Kingston 9905700-013.A00G 8GB
AMD R538G1601U2S-UO 8GB
Golden Empire CL15-15-15 D4-2666 4GB
SK Hynix HYMP112S64CP6-S6 1GB
A-DATA Technology DDR4 3600 2OZ 8GB
Kreton Corporation 51624xxxx68x35xxxx 2GB
InnoDisk Corporation M4S0-4GSSNCIK 4GB
Samsung M471B5673FH0-CH9 2GB
Avant Technology W641GU48J7240ND 8GB
Wilk Elektronik S.A. GY1866D364L9A/4G 4GB
Heoriady M378A1K43BB2-CTD 8GB
Corsair CMX8GX3M2A1600C11 4GB
Crucial Technology CT8G4SFS6266.M4FB 8GB
Patriot Memory (PDP Systems) PSD22G8002 2GB
Golden Empire CL18-20-20 D4-3600 8GB
Сообщить об ошибке
×
Bug description
Source link