RAM
DDR5
DDR4
DDR3
DDR2
О сайте
Menu
RAMs
RAM
DDR5
DDR4
DDR3
DDR2
О сайте
Русский
English
Español
Português
Deutsch
Français
Italiano
Polski
中文
日本語
Samsung M3 93T5750CZA-CE6 2GB
Thermaltake Technology Co Ltd R009D408GX2-3200C16A 8GB
Сравнить
Samsung M3 93T5750CZA-CE6 2GB против Thermaltake Technology Co Ltd R009D408GX2-3200C16A 8GB
-->
Средняя оценка
Samsung M3 93T5750CZA-CE6 2GB
Средняя оценка
Thermaltake Technology Co Ltd R009D408GX2-3200C16A 8GB
Различия
Спецификации
Комментарии
Различия
Причины выбрать
Samsung M3 93T5750CZA-CE6 2GB
Сообщить об ошибке
Выше скорость чтения
3
17.8
Среднее значение в тестах
Выше скорость записи
2,622.0
14.1
Среднее значение в тестах
Причины выбрать
Thermaltake Technology Co Ltd R009D408GX2-3200C16A 8GB
Сообщить об ошибке
Ниже задержка в тестах PassMark, нс
29
77
Около -166% меньшая задержка
Выше пропускная способность
21300
5300
Около 4.02 выше полоса пропускания
Спецификации
Полный список технических характеристик
Samsung M3 93T5750CZA-CE6 2GB
Thermaltake Technology Co Ltd R009D408GX2-3200C16A 8GB
Основные характеристики
Тип памяти
DDR2
DDR4
Задержка в PassMark, нс
77
29
Скорость чтения, Гб/сек
3,405.2
17.8
Скорость записи, Гб/сек
2,622.0
14.1
Пропускная способность памяти, мбит/сек
5300
21300
Other
Описание
PC2-5300, SSTL 1.8V, CAS Supported: 3 4 5
PC4-21300, 1.2V, CAS Supported: 10 11 12 13 14 15 16 17 18 19 20
Тайминги / частота
5-5-5-15 / 667 MHz
17-17-17, 18-18-18, 19-19-19, 20-20-20 / 2666 MHz
Рейтинг PassMark (Чем больше тем лучше)
763
3434
Samsung M3 93T5750CZA-CE6 2GB Сравнения RAM
takeMS International AG TMS2GB264D082805EQ 2GB
Southland Microsystems 40002105-01 2GB
Thermaltake Technology Co Ltd R009D408GX2-3200C16A 8GB Сравнения RAM
Hoodisk Electronics Co Ltd GKE160SO102408-2666 16GB
Crucial Technology BLS4G4D240FSE.8FBD 4GB
Калькулятор задержки (latency) памяти (RAM)
Рассчитать скорость работы памяти RAM в нс
RAM 1
CAS Latency (CL) *
Frequency (Mhz) *
calculate
Absolute Latency
0 ns
RAM 2
CAS Latency (CL) *
Frequency (Mhz) *
calculate
Absolute Latency
0 ns
Последние сравнения
Samsung M3 93T5750CZA-CE6 2GB
Thermaltake Technology Co Ltd R009D408GX2-3200C16A 8GB
Samsung M378A1G43DB0-CPB 8GB
Crucial Technology BLS8G4S240FSD.16FBD 8GB
SK Hynix HMT325S6CFR8C-H9 2GB
Crucial Technology CT8G4DFD824A.M16FE 8GB
Samsung 1600 CL10 Series 8GB
Apacer Technology 78.CAGPP.ARC0B 8GB
Kingston 9965525-018.A00LF 4GB
Micron Technology 16ATF4G64HZ-3G2E2 32GB
Micron Technology 16JSF25664HZ-1G1F1 2GB
G Skill Intl F4-4133C17-8GTZR 8GB
Samsung M3 78T2863EHS-CF7 1GB
Micron Technology 4ATF51264AZ-2G3E1 4GB
Kingston KHX1600C9D3/8G 8GB
Kingston 9905703-008.A00G 16GB
A-DATA Technology DDR3 1600 4GB
Kingston KHX2666C16/16G 16GB
Samsung M391B5673FH0-CH9 2GB
Corsair CMK16GX4M4A2133C15 4GB
Kingston 99U5474-038.A00LF 4GB
Gloway International (HK) STK4U2133D15081C 8GB
Kingston 99U5469-045.A00LF 4GB
Corsair CMK64GX4M8A2666C16 8GB
Micron Technology 16JSF25664HZ-1G1F1 2GB
Avexir Technologies Corporation DDR4-3000 CL16 8GB 8GB
Kingston 9905471-001.A01LF 2GB
Micron Technology 9ASF51272PZ-2G3B1 4GB
Сообщить об ошибке
×
Bug description
Source link