RAM
DDR5
DDR4
DDR3
DDR2
О сайте
Menu
RAMs
RAM
DDR5
DDR4
DDR3
DDR2
О сайте
Русский
English
Español
Português
Deutsch
Français
Italiano
Polski
中文
日本語
Samsung M3 93T5750CZA-CE6 2GB
Transcend Information AQD-D4U4GN21-SG 4GB
Сравнить
Samsung M3 93T5750CZA-CE6 2GB против Transcend Information AQD-D4U4GN21-SG 4GB
-->
Средняя оценка
Samsung M3 93T5750CZA-CE6 2GB
Средняя оценка
Transcend Information AQD-D4U4GN21-SG 4GB
Различия
Спецификации
Комментарии
Различия
Причины выбрать
Samsung M3 93T5750CZA-CE6 2GB
Сообщить об ошибке
Выше скорость чтения
3
16.6
Среднее значение в тестах
Выше скорость записи
2,622.0
12.2
Среднее значение в тестах
Причины выбрать
Transcend Information AQD-D4U4GN21-SG 4GB
Сообщить об ошибке
Ниже задержка в тестах PassMark, нс
23
77
Около -235% меньшая задержка
Выше пропускная способность
17000
5300
Около 3.21 выше полоса пропускания
Спецификации
Полный список технических характеристик
Samsung M3 93T5750CZA-CE6 2GB
Transcend Information AQD-D4U4GN21-SG 4GB
Основные характеристики
Тип памяти
DDR2
DDR4
Задержка в PassMark, нс
77
23
Скорость чтения, Гб/сек
3,405.2
16.6
Скорость записи, Гб/сек
2,622.0
12.2
Пропускная способность памяти, мбит/сек
5300
17000
Other
Описание
PC2-5300, SSTL 1.8V, CAS Supported: 3 4 5
PC4-17000, 1.2V, CAS Supported: 9 11 12 13 14 15 16
Тайминги / частота
5-5-5-15 / 667 MHz
14-14-14, 15-15-15, 16-16-16 / 2133 MHz
Рейтинг PassMark (Чем больше тем лучше)
763
2712
Samsung M3 93T5750CZA-CE6 2GB Сравнения RAM
takeMS International AG TMS2GB264D082805EQ 2GB
Southland Microsystems 40002105-01 2GB
Transcend Information AQD-D4U4GN21-SG 4GB Сравнения RAM
Kingston KF2933C17S4/16G 16GB
Crucial Technology BLS4G4D240FSE.8FBD 4GB
Калькулятор задержки (latency) памяти (RAM)
Рассчитать скорость работы памяти RAM в нс
RAM 1
CAS Latency (CL) *
Frequency (Mhz) *
calculate
Absolute Latency
0 ns
RAM 2
CAS Latency (CL) *
Frequency (Mhz) *
calculate
Absolute Latency
0 ns
Последние сравнения
Samsung M3 93T5750CZA-CE6 2GB
Transcend Information AQD-D4U4GN21-SG 4GB
Samsung M393B2G70BH0-CK0 16GB
G Skill Intl F4-3000C16-16GVRB 16GB
SK Hynix HMT325S6CFR8C-PB 2GB
Corsair CMK16GX4M2A2666C16 8GB
Hoodisk Electronics Co Ltd GKE160SO102408-2666 16GB
Corsair CMR64GX4M4C3200C16 16GB
Kingston 9965525-155.A00LF 8GB
Crucial Technology CT8G4SFS832A.C8FP 8GB
Kingston 9905403-061.A00LF 2GB
Kingmax Semiconductor GLLG42F-DA---------- 8GB
Samsung M395T2863QZ4-CF76 1GB
Micron Technology 18ASF1G72PDZ-2G6B1 8GB
Asgard VMA45UG-MEC1U2AW1 8GB
G Skill Intl F4-3200C14-8GTZSW 8GB
Patriot Memory (PDP Systems) PSD34G16002 4GB
Samsung M471A1G44AB0-CWE 8GB
Samsung 1600 CL10 Series 8GB
DSL Memory D4SS12081SH21A-A 4GB
Golden Empire 1GB DDR2 800 CAS=4 1GB
G Skill Intl F4-3466C16-8GTZ 8GB
Kingston 9905403-444.A00LF 4GB
Kingston 9905744-011.A00G 32GB
A-DATA Technology AM2L16BC4R1-B0AS 4GB
Crucial Technology CT8G4SFS8213.C8FDR1 8GB
Kingston KHX1600C9S3L/4G 4GB
G Skill Intl F4-3200C16-16GVK 16GB
Сообщить об ошибке
×
Bug description
Source link