RAM
DDR5
DDR4
DDR3
DDR2
О сайте
Menu
RAMs
RAM
DDR5
DDR4
DDR3
DDR2
О сайте
Русский
English
Español
Português
Deutsch
Français
Italiano
Polski
中文
日本語
Samsung M378A1G43DB0-CPB 8GB
A-DATA Technology AO1P24HC4N2-BYNS 4GB
Сравнить
Samsung M378A1G43DB0-CPB 8GB против A-DATA Technology AO1P24HC4N2-BYNS 4GB
-->
Средняя оценка
Samsung M378A1G43DB0-CPB 8GB
Средняя оценка
A-DATA Technology AO1P24HC4N2-BYNS 4GB
Различия
Спецификации
Комментарии
Различия
Причины выбрать
Samsung M378A1G43DB0-CPB 8GB
Сообщить об ошибке
Ниже задержка в тестах PassMark, нс
36
48
Около 25% меньшая задержка
Выше скорость чтения
15
14.4
Среднее значение в тестах
Причины выбрать
A-DATA Technology AO1P24HC4N2-BYNS 4GB
Сообщить об ошибке
Выше скорость записи
12.1
10.3
Среднее значение в тестах
Выше пропускная способность
19200
17000
Около 1.13 выше полоса пропускания
Спецификации
Полный список технических характеристик
Samsung M378A1G43DB0-CPB 8GB
A-DATA Technology AO1P24HC4N2-BYNS 4GB
Основные характеристики
Тип памяти
DDR4
DDR4
Задержка в PassMark, нс
36
48
Скорость чтения, Гб/сек
15.0
14.4
Скорость записи, Гб/сек
10.3
12.1
Пропускная способность памяти, мбит/сек
17000
19200
Other
Описание
PC4-17000, 1.2V, CAS Supported: 10 11 12 13 14 15 16
PC4-19200, 1.2V, CAS Supported: 10 11 12 13 14 15 16 17 18
Тайминги / частота
14-14-14, 15-15-15, 16-16-16 / 2133 MHz
15-15-15, 16-16-16, 17-17-17, 18-18-18 / 2400 MHz
Рейтинг PassMark (Чем больше тем лучше)
2569
2080
Samsung M378A1G43DB0-CPB 8GB Сравнения RAM
Hoodisk Electronics Co Ltd GKE160SO102408-2666 16GB
Crucial Technology BLS4G4D240FSE.8FBD 4GB
A-DATA Technology AO1P24HC4N2-BYNS 4GB Сравнения RAM
Crucial Technology BLS4G4D240FSE.8FBD 4GB
Hoodisk Electronics Co Ltd GKE160SO102408-2666 16GB
Калькулятор задержки (latency) памяти (RAM)
Рассчитать скорость работы памяти RAM в нс
RAM 1
CAS Latency (CL) *
Frequency (Mhz) *
calculate
Absolute Latency
0 ns
RAM 2
CAS Latency (CL) *
Frequency (Mhz) *
calculate
Absolute Latency
0 ns
Последние сравнения
Samsung M378A1G43DB0-CPB 8GB
A-DATA Technology AO1P24HC4N2-BYNS 4GB
Micron Technology 16JTF25664AZ-1G4F1 2GB
G Skill Intl F4-3000C16-8GSXWB 8GB
Crucial Technology BLS8G3N18AES4.16FE 8GB
Crucial Technology CT8G4DFS824A.M8FB 8GB
TwinMOS 8DPT5MK8-TATP 2GB
Wilk Elektronik S.A. GY2666D464L16S/8G 8GB
Samsung M391B5673FH0-CH9 2GB
G Skill Intl F4-4500C19-8GTZKKE 8GB
G Skill Intl F5-6400J3239G16G 16GB
Thermaltake Technology Co Ltd R009D408GX2-4400C19A 8GB
Samsung M3 78T2953EZ3-CF7 1GB
Crucial Technology BL8G30C15U4B.8FE 8GB
Micron Technology 16JTF51264HZ-1G6M1 4GB
Crucial Technology BLS8G4D30AESCK.M8FE 8GB
Samsung M3 93T5750CZA-CE6 2GB
Corsair CMK16GX4M4C3200C16 4GB
Kingmax Semiconductor FLGF65F-C8KJ9A 4GB
G Skill Intl F4-3000C16-8GVRB 8GB
Super Talent STT-WB160CL0901 2GB
Apacer Technology 78.C2GFK.AR20B 8GB
Corsair CM3B4G2C1600L9 4GB
Crucial Technology CT8G4SFRA32A.M8FRS 8GB
AMD R538G1601U2S 8GB
SK Hynix HMA41GR7AFR4N-TF 8GB
Samsung M471B1G73QH0-YK0 8GB
Kingston 9905625-011.A00G 8GB
Сообщить об ошибке
×
Bug description
Source link