RAM
DDR5
DDR4
DDR3
DDR2
О сайте
Menu
RAMs
RAM
DDR5
DDR4
DDR3
DDR2
О сайте
Русский
English
Español
Português
Deutsch
Français
Italiano
Polski
中文
日本語
Samsung M378A1G43DB0-CPB 8GB
Apacer Technology 78.CAGRN.40C0B 8GB
Сравнить
Samsung M378A1G43DB0-CPB 8GB против Apacer Technology 78.CAGRN.40C0B 8GB
-->
Средняя оценка
Samsung M378A1G43DB0-CPB 8GB
Средняя оценка
Apacer Technology 78.CAGRN.40C0B 8GB
Различия
Спецификации
Комментарии
Различия
Причины выбрать
Samsung M378A1G43DB0-CPB 8GB
Сообщить об ошибке
Ниже задержка в тестах PassMark, нс
36
58
Около 38% меньшая задержка
Выше скорость записи
10.3
8.5
Среднее значение в тестах
Причины выбрать
Apacer Technology 78.CAGRN.40C0B 8GB
Сообщить об ошибке
Выше скорость чтения
17.4
15
Среднее значение в тестах
Выше пропускная способность
19200
17000
Около 1.13 выше полоса пропускания
Спецификации
Полный список технических характеристик
Samsung M378A1G43DB0-CPB 8GB
Apacer Technology 78.CAGRN.40C0B 8GB
Основные характеристики
Тип памяти
DDR4
DDR4
Задержка в PassMark, нс
36
58
Скорость чтения, Гб/сек
15.0
17.4
Скорость записи, Гб/сек
10.3
8.5
Пропускная способность памяти, мбит/сек
17000
19200
Other
Описание
PC4-17000, 1.2V, CAS Supported: 10 11 12 13 14 15 16
PC4-19200, 1.2V, CAS Supported: 10 11 12 13 14 15 16 17 18
Тайминги / частота
14-14-14, 15-15-15, 16-16-16 / 2133 MHz
15-15-15, 16-16-16, 17-17-17, 18-18-18 / 2400 MHz
Рейтинг PassMark (Чем больше тем лучше)
2569
2125
Samsung M378A1G43DB0-CPB 8GB Сравнения RAM
Hoodisk Electronics Co Ltd GKE160SO102408-2666 16GB
Crucial Technology BLS4G4D240FSE.8FBD 4GB
Apacer Technology 78.CAGRN.40C0B 8GB Сравнения RAM
Crucial Technology BLS4G4D240FSE.8FBD 4GB
Hoodisk Electronics Co Ltd GKE160SO102408-2666 16GB
Калькулятор задержки (latency) памяти (RAM)
Рассчитать скорость работы памяти RAM в нс
RAM 1
CAS Latency (CL) *
Frequency (Mhz) *
calculate
Absolute Latency
0 ns
RAM 2
CAS Latency (CL) *
Frequency (Mhz) *
calculate
Absolute Latency
0 ns
Последние сравнения
Team Group Inc. Vulcan-1600 4GB
Kingston M378A1K43CB2-CRC 8GB
A-DATA Technology DQKD1A08 1GB
Micron Technology 9ASF1G72PZ-2G3B1 8GB
Samsung M393B1G70BH0-CK0 8GB
Samsung M386A8K40CM2-CRC 64GB
G Skill Intl F5-6400J3239G16G 16GB
G Skill Intl F4-3000C16-16GTZR 16GB
A-DATA Technology DQVE1908 512MB
Micron Technology 16ATF2G64AZ-2G3E1 16GB
Peak Electronics 256X64M-67E 2GB
Hynix Semiconductor (Hyundai Electronics) HMA41GU6AFR8N
Nanya Technology M2F8G64CB8HC9N-DI 8GB
Kingston ACR32D4S2S1ME-8 8GB
Crucial Technology CT25664AA800.M16FM 2GB
PUSKILL PJ16TFK1GM8 16GB
Kingston KVR800D2N6/2G 2GB
Kingston 9905711-035.A00G 8GB
Kingston 9905584-016.A00LF 4GB
SK Hynix GKE800SO51208-2133AH 8GB
Samsung M378B5773DH0-CH9 2GB
Avant Technology J641GU42J9266NL 8GB
Samsung M393B1K70CH0-CH9 8GB
Golden Empire CL14-16-16 D4-3000 4GB
Team Group Inc. UD5-6400 16GB
Kingston 9905625-076.A00G 8GB
Patriot Memory (PDP Systems) 1866 CL9 Series 4GB
Crucial Technology BLS4G4D240FSE.8FBD 4GB
Сообщить об ошибке
×
Bug description
Source link