Samsung M378A1G43DB0-CPB 8GB против Apacer Technology D12.2755BS.001 16GB

-->

Средняя оценка

Samsung M378A1G43DB0-CPB 8GB

Samsung M378A1G43DB0-CPB 8GB

Средняя оценка

Apacer Technology D12.2755BS.001 16GB

Apacer Technology D12.2755BS.001 16GB

Различия Спецификации Комментарии

Различия

Samsung M378A1G43DB0-CPB 8GB

Причины выбрать
Samsung M378A1G43DB0-CPB 8GB

Сообщить об ошибке

Apacer Technology D12.2755BS.001 16GB

Причины выбрать
Apacer Technology D12.2755BS.001 16GB

Сообщить об ошибке

Ниже задержка в тестах PassMark, нс

33 36

Около -9% меньшая задержка
Выше скорость чтения

16.1 15

Среднее значение в тестах
Выше скорость записи

12.2 10.3

Среднее значение в тестах
Выше пропускная способность

25600 17000

Около 1.51 выше полоса пропускания

Спецификации

Полный список технических характеристик

Samsung M378A1G43DB0-CPB 8GB

Apacer Technology D12.2755BS.001 16GB

Основные характеристики

Тип памяти

DDR4 DDR4
Задержка в PassMark, нс

36 33
Скорость чтения, Гб/сек

15.0 16.1
Скорость записи, Гб/сек

10.3 12.2
Пропускная способность памяти, мбит/сек

17000 25600

Other

Описание

PC4-17000, 1.2V, CAS Supported: 10 11 12 13 14 15 16 PC4-25600, 1.2V, CAS Supported: 10 11 12 13 14 15 16 17 18 19 20 21 22 23 24
Тайминги / частота

14-14-14, 15-15-15, 16-16-16 / 2133 MHz 20-20-20, 22-22-22, 24-24-24 / 3200 MHz
Рейтинг PassMark (Чем больше тем лучше)

2569 3063

Калькулятор задержки (latency) памяти (RAM)

Рассчитать скорость работы памяти RAM в нс

RAM 1

CAS Latency (CL) *

Frequency (Mhz) *

Absolute Latency

0 ns

RAM 2

CAS Latency (CL) *

Frequency (Mhz) *

Absolute Latency

0 ns

Последние сравнения

Hynix Semiconductor (Hyundai Electronics) HMT125S6AFP8C-G7 2GB

Hynix Semiconductor (Hyundai Electronics) HMT125S6AFP8C

Micron Technology 16ATF1G64HZ-2G1A2 8GB

Micron Technology 16ATF1G64HZ-2G1A2 8GB

модули RAM

Samsung M378A1G43DB0-CPB 8GB

Samsung M378A1G43DB0-CPB 8GB

Apacer Technology D12.2755BS.001 16GB

Apacer Technology D12.2755BS.001 16GB

модули RAM

Samsung M471B5273CH0-CH9 4GB

Samsung M471B5273CH0-CH9 4GB

Corsair CMW64GX4M8C3466C16 8GB

Corsair CMW64GX4M8C3466C16 8GB

модули RAM

Smart Modular SH564128FH8NZQNSCG 4GB

Smart Modular SH564128FH8NZQNSCG 4GB

Crucial Technology CT8G4SFRA266.C4FE 8GB

Crucial Technology CT8G4SFRA266.C4FE 8GB

модули RAM

SK Hynix HMA451U6AFR8N-TF 4GB

SK Hynix HMA451U6AFR8N-TF 4GB

Kingston KHX426C13/8G 8GB

Kingston KHX426C13/8G 8GB

модули RAM

Kingston 99U5474-010.A00LF 2GB

Kingston 99U5474-010.A00LF 2GB

Crucial Technology CT8G4DFS6266.M4FE 8GB

Crucial Technology CT8G4DFS6266.M4FE 8GB

модули RAM

Kingston 99U5474-022.A00LF 2GB

Kingston 99U5474-022.A00LF 2GB

Samsung M393A2K40CB1-CRC 16GB

Samsung M393A2K40CB1-CRC 16GB

модули RAM

Nanya Technology M2F8G64CB8HC9N-DI 8GB

Nanya Technology M2F8G64CB8HC9N-DI 8GB

Micron Technology 8ATF1G64AZ-2G1B1 8GB

Micron Technology 8ATF1G64AZ-2G1B1 8GB

модули RAM

Apacer Technology 76.D105G.D090B 16GB

Apacer Technology 76.D105G.D090B 16GB

Essencore Limited 8GBF1X08QFHH38-135-K 8GB

Essencore Limited 8GBF1X08QFHH38-135-K 8GB

модули RAM

STEC (Silicon Tech) S1024R3NN2QK-I 1GB

STEC (Silicon Tech) S1024R3NN2QK-I 1GB

G Skill Intl F4-2400C15-4GIS 4GB

G Skill Intl F4-2400C15-4GIS 4GB

модули RAM

Samsung M378B5673EH1-CF8 2GB

Samsung M378B5673EH1-CF8 2GB

Crucial Technology BLS4G4D26BFSC.8FB 4GB

Crucial Technology BLS4G4D26BFSC.8FB 4GB

модули RAM

SK Hynix HYMP112U64CP8-S5 1GB

SK Hynix HYMP112U64CP8-S5 1GB

AMD R748G2400U2S 8GB

AMD R748G2400U2S 8GB

модули RAM

Corsair CMZ16GX3M2A2400C10 8GB

Corsair CMZ16GX3M2A2400C10 8GB

Crucial Technology BLS8G4D240FSEK.8FD 8GB

Crucial Technology BLS8G4D240FSEK.8FD 8GB

модули RAM

Kingston 99U5474-010.A00LF 2GB

Kingston 99U5474-010.A00LF 2GB

Nanya Technology NT8GA64D88AX3S-HR 8GB

Nanya Technology NT8GA64D88AX3S-HR 8GB

модули RAM