RAM
DDR5
DDR4
DDR3
DDR2
О сайте
Menu
RAMs
RAM
DDR5
DDR4
DDR3
DDR2
О сайте
Русский
English
Español
Português
Deutsch
Français
Italiano
Polski
中文
日本語
Samsung M378A1G43DB0-CPB 8GB
InnoDisk Corporation M4S0-4GSSNCIK 4GB
Сравнить
Samsung M378A1G43DB0-CPB 8GB против InnoDisk Corporation M4S0-4GSSNCIK 4GB
-->
Средняя оценка
Samsung M378A1G43DB0-CPB 8GB
Средняя оценка
InnoDisk Corporation M4S0-4GSSNCIK 4GB
Различия
Спецификации
Комментарии
Различия
Причины выбрать
Samsung M378A1G43DB0-CPB 8GB
Сообщить об ошибке
Ниже задержка в тестах PassMark, нс
36
85
Около 58% меньшая задержка
Выше скорость чтения
15
11.3
Среднее значение в тестах
Выше скорость записи
10.3
6.0
Среднее значение в тестах
Причины выбрать
InnoDisk Corporation M4S0-4GSSNCIK 4GB
Сообщить об ошибке
Выше пропускная способность
21300
17000
Около 1.25 выше полоса пропускания
Спецификации
Полный список технических характеристик
Samsung M378A1G43DB0-CPB 8GB
InnoDisk Corporation M4S0-4GSSNCIK 4GB
Основные характеристики
Тип памяти
DDR4
DDR4
Задержка в PassMark, нс
36
85
Скорость чтения, Гб/сек
15.0
11.3
Скорость записи, Гб/сек
10.3
6.0
Пропускная способность памяти, мбит/сек
17000
21300
Other
Описание
PC4-17000, 1.2V, CAS Supported: 10 11 12 13 14 15 16
PC4-21300, 1.2V, CAS Supported: 10 11 12 13 14 15 16 17 18 19 20
Тайминги / частота
14-14-14, 15-15-15, 16-16-16 / 2133 MHz
17-17-17, 18-18-18, 19-19-19, 20-20-20 / 2666 MHz
Рейтинг PassMark (Чем больше тем лучше)
2569
1118
Samsung M378A1G43DB0-CPB 8GB Сравнения RAM
Hoodisk Electronics Co Ltd GKE160SO102408-2666 16GB
Crucial Technology BLS4G4D240FSE.8FBD 4GB
InnoDisk Corporation M4S0-4GSSNCIK 4GB Сравнения RAM
Crucial Technology BLS4G4D240FSE.8FBD 4GB
Hynix Semiconductor (Hyundai Electronics) GKE160SO102408-2400 16GB
Калькулятор задержки (latency) памяти (RAM)
Рассчитать скорость работы памяти RAM в нс
RAM 1
CAS Latency (CL) *
Frequency (Mhz) *
calculate
Absolute Latency
0 ns
RAM 2
CAS Latency (CL) *
Frequency (Mhz) *
calculate
Absolute Latency
0 ns
Последние сравнения
Samsung M471B1G73QH0-YK0 8GB
Apacer Technology 78.C1GMS.C7Z0C 8GB
Kingston 99U5584-001.A00LF 4GB
G Skill Intl F4-2800C15-8GVSB 8GB
Kingston 99U5584-017.A00LF 4GB
Corsair CMK16GX4M2C3600C20 8GB
Unifosa Corporation GU332G0ALEPR8H2C6F 2GB
Mushkin MRA4S293MMMF32G 32GB
Corsair CM2X1024-8500C5D 1GB
Thermaltake Technology Co Ltd R002D408GX2-2666C19D 8GB
SK Hynix HMT325S6BFR8C-H9 2GB
Hynix Semiconductor (Hyundai Electronics) HMA451R7MFR8N
A-DATA Technology DDR4 2400 16GB
G Skill Intl F4-3600C14-16GTZN 16GB
Hoodisk Electronics Co Ltd GKE160SO102408-2666 16GB
Crucial Technology CT4G4SFS8213.C8FBR2 4GB
Kingston K531R8-MIN 4GB
JUHOR JHD3000U1908JG 8GB
Hoodisk Electronics Co Ltd GKE160SO102408-2666 16GB
Kingston KHX2400C15S4/16G 16GB
Crucial Technology CT51264BD1339.M16F 4GB
Hynix Semiconductor (Hyundai Electronics) HMA41GR7AFR4N
Samsung M4 70T2864QZ3-CF7 1GB
Chun Well Technology Holding Limited D4U0836144B 8GB
Kingston 99U5474-038.A00LF 4GB
G Skill Intl F4-4000C18-32GTRS 32GB
G Skill Intl F3-14900CL8-4GBXM 4GB
Micron Technology 18ASF2G72PDZ-2G6H1R 16GB
Сообщить об ошибке
×
Bug description
Source link