RAM
DDR5
DDR4
DDR3
DDR2
О сайте
Menu
RAMs
RAM
DDR5
DDR4
DDR3
DDR2
О сайте
Русский
English
Español
Português
Deutsch
Français
Italiano
Polski
中文
日本語
Samsung M378A1G43DB0-CPB 8GB
InnoDisk Corporation M4S0-4GSSNCIK 4GB
Сравнить
Samsung M378A1G43DB0-CPB 8GB против InnoDisk Corporation M4S0-4GSSNCIK 4GB
-->
Средняя оценка
Samsung M378A1G43DB0-CPB 8GB
Средняя оценка
InnoDisk Corporation M4S0-4GSSNCIK 4GB
Различия
Спецификации
Комментарии
Различия
Причины выбрать
Samsung M378A1G43DB0-CPB 8GB
Сообщить об ошибке
Ниже задержка в тестах PassMark, нс
36
85
Около 58% меньшая задержка
Выше скорость чтения
15
11.3
Среднее значение в тестах
Выше скорость записи
10.3
6.0
Среднее значение в тестах
Причины выбрать
InnoDisk Corporation M4S0-4GSSNCIK 4GB
Сообщить об ошибке
Выше пропускная способность
21300
17000
Около 1.25 выше полоса пропускания
Спецификации
Полный список технических характеристик
Samsung M378A1G43DB0-CPB 8GB
InnoDisk Corporation M4S0-4GSSNCIK 4GB
Основные характеристики
Тип памяти
DDR4
DDR4
Задержка в PassMark, нс
36
85
Скорость чтения, Гб/сек
15.0
11.3
Скорость записи, Гб/сек
10.3
6.0
Пропускная способность памяти, мбит/сек
17000
21300
Other
Описание
PC4-17000, 1.2V, CAS Supported: 10 11 12 13 14 15 16
PC4-21300, 1.2V, CAS Supported: 10 11 12 13 14 15 16 17 18 19 20
Тайминги / частота
14-14-14, 15-15-15, 16-16-16 / 2133 MHz
17-17-17, 18-18-18, 19-19-19, 20-20-20 / 2666 MHz
Рейтинг PassMark (Чем больше тем лучше)
2569
1118
Samsung M378A1G43DB0-CPB 8GB Сравнения RAM
Hoodisk Electronics Co Ltd GKE160SO102408-2666 16GB
Crucial Technology BLS4G4D240FSE.8FBD 4GB
InnoDisk Corporation M4S0-4GSSNCIK 4GB Сравнения RAM
Crucial Technology BLS4G4D240FSE.8FBD 4GB
Hynix Semiconductor (Hyundai Electronics) GKE160SO102408-2400 16GB
Калькулятор задержки (latency) памяти (RAM)
Рассчитать скорость работы памяти RAM в нс
RAM 1
CAS Latency (CL) *
Frequency (Mhz) *
calculate
Absolute Latency
0 ns
RAM 2
CAS Latency (CL) *
Frequency (Mhz) *
calculate
Absolute Latency
0 ns
Последние сравнения
Micron Technology 18HTF12872AY-800F1 1GB
Transcend Information JM2666HLB-16G 16GB
AMD R5S38G1601U2S 8GB
SK Hynix HMA82GS6DJR8N-VK 16GB
Crucial Technology CT102464BF160B.16F 8GB
Team Group Inc. TEAMGROUP-SD4-2400 16GB
SK Hynix HMT325U6CFR8C-PB 2GB
Micron Technology 8ATF1G64AZ-3G2E1 8GB
Kingston 9905403-038.A00LF 4GB
InnoDisk Corporation M4U0-8GSSKCSJ 8GB
Kingston 99P5474-014.A00LF 4GB
Corsair CMW128GX4M4D3600C18 32GB
Kingston 9905403-156.A00LF 2GB
Crucial Technology CT8G4DFS832A.C8FE 8GB
Samsung M393B1K70QB0-CK0 8GB
G Skill Intl F4-3000C15-4GVRB 4GB
Kingston HP698651-154-MCN 8GB
Corsair CMT64GX4M8X3600C18 8GB
Kingston 9965525-018.A00LF 4GB
Corsair CMD64GX4M8A2400C14 8GB
Hexon Technology Pte Ltd HEXON 1GB
Corsair CMK4GX4M1A2400C14 4GB
Kingston ACR256X64D3S1333C9 2GB
Kingston 9965669-018.A00G 16GB
Samsung M3 78T2953EZ3-CF7 1GB
Super Talent F24UB16GV 16GB
Patriot Memory (PDP Systems) PSD22G8002 2GB
Crucial Technology CT8G4DFS632A.M4FB 8GB
Сообщить об ошибке
×
Bug description
Source link