RAM
DDR5
DDR4
DDR3
DDR2
О сайте
Menu
RAMs
RAM
DDR5
DDR4
DDR3
DDR2
О сайте
Русский
English
Español
Português
Deutsch
Français
Italiano
Polski
中文
日本語
Samsung M378A1G43DB0-CPB 8GB
SK Hynix GKE800UD102408-2400 8GB
Сравнить
Samsung M378A1G43DB0-CPB 8GB против SK Hynix GKE800UD102408-2400 8GB
-->
Средняя оценка
Samsung M378A1G43DB0-CPB 8GB
Средняя оценка
SK Hynix GKE800UD102408-2400 8GB
Различия
Спецификации
Комментарии
Различия
Причины выбрать
Samsung M378A1G43DB0-CPB 8GB
Сообщить об ошибке
Выше скорость чтения
15
14.4
Среднее значение в тестах
Причины выбрать
SK Hynix GKE800UD102408-2400 8GB
Сообщить об ошибке
Выше скорость записи
10.4
10.3
Среднее значение в тестах
Выше пропускная способность
19200
17000
Около 1.13 выше полоса пропускания
Спецификации
Полный список технических характеристик
Samsung M378A1G43DB0-CPB 8GB
SK Hynix GKE800UD102408-2400 8GB
Основные характеристики
Тип памяти
DDR4
DDR4
Задержка в PassMark, нс
36
36
Скорость чтения, Гб/сек
15.0
14.4
Скорость записи, Гб/сек
10.3
10.4
Пропускная способность памяти, мбит/сек
17000
19200
Other
Описание
PC4-17000, 1.2V, CAS Supported: 10 11 12 13 14 15 16
PC4-19200, 1.2V, CAS Supported: 11 12 13 14 15 16 17 18
Тайминги / частота
14-14-14, 15-15-15, 16-16-16 / 2133 MHz
15-15-15, 16-16-16, 17-17-17, 18-18-18 / 2400 MHz
Рейтинг PassMark (Чем больше тем лучше)
2569
2489
Samsung M378A1G43DB0-CPB 8GB Сравнения RAM
Hoodisk Electronics Co Ltd GKE160SO102408-2666 16GB
Crucial Technology BLS4G4D240FSE.8FBD 4GB
SK Hynix GKE800UD102408-2400 8GB Сравнения RAM
Hoodisk Electronics Co Ltd GKE160SO102408-2666 16GB
Apacer Technology AQD-D4U8GN24-SE 8GB
Калькулятор задержки (latency) памяти (RAM)
Рассчитать скорость работы памяти RAM в нс
RAM 1
CAS Latency (CL) *
Frequency (Mhz) *
calculate
Absolute Latency
0 ns
RAM 2
CAS Latency (CL) *
Frequency (Mhz) *
calculate
Absolute Latency
0 ns
Последние сравнения
Crucial Technology CT102464BF160B-16F 8GB
Chun Well Technology Holding Limited CL19-19-19 D4-2666
Smart Modular SF564128CJ8N6NNSEG 4GB
V-Color Technology Inc. TN48G26S819-SB 8GB
Crucial Technology CT25664AA800.M16FM 2GB
G Skill Intl F4-2666C15-4GVK 4GB
Micron Technology 18HTF12872AY-800F1 1GB
Kingston KH280C14D4/8X 8GB
SK Hynix HMT325S6BFR8C-H9 2GB
Kingston 9905678-041.A00G 4GB
A-DATA Technology AD73I1B1672EG 2GB
SK Hynix HMA81GU6CJR8N-UH 8GB
Samsung M393B2G70BH0-YK0 16GB
Micron Technology 9ASF1G72PZ-2G3A1 8GB
Nanya Technology NT4GC72B4NA1NL-CG 4GB
Crucial Technology CT8G4DFS6266.M4FB 8GB
Samsung M3 93T5750CZA-CE6 2GB
A-DATA Technology AO1P24HC8T1-BPGS 8GB
Samsung M471B1G73QH0-YK0 8GB
Hynix Semiconductor (Hyundai Electronics) HMA451S6AFR8N
STEC (Silicon Tech) S1024R3NN2QK-I 1GB
Apacer Technology 78.CAGMT.40C0B 8GB
Samsung M471B5173QH0-YK0 4GB
G Skill Intl F4-3600C19-8GVSB 8GB
Kingston KHX2800C14D4/8GX 8GB
Wilk Elektronik S.A. GY2133D464L15S/4G 4GB
Nanya Technology M2F8G64CB8HC9N-DI 8GB
Crucial Technology BL16G32C16U4W.M16FE1 16GB
Сообщить об ошибке
×
Bug description
Source link