Samsung M378A1K43BB1-CPB 8GB
Hynix Semiconductor (Hyundai Electronics) HMA41GR7AFR8N-TF 8GB

Samsung M378A1K43BB1-CPB 8GB против Hynix Semiconductor (Hyundai Electronics) HMA41GR7AFR8N-TF 8GB

-->
Средняя оценка
star star star star star
Samsung M378A1K43BB1-CPB 8GB

Samsung M378A1K43BB1-CPB 8GB

Средняя оценка
star star star star star
Hynix Semiconductor (Hyundai Electronics) HMA41GR7AFR8N-TF 8GB

Hynix Semiconductor (Hyundai Electronics) HMA41GR7AFR8N-TF 8GB

Различия

  • Выше скорость чтения
    14.9 left arrow 11.1
    Среднее значение в тестах
  • Выше скорость записи
    10.1 left arrow 9.5
    Среднее значение в тестах
  • Ниже задержка в тестах PassMark, нс
    34 left arrow 35
    Около -3% меньшая задержка

Спецификации

Полный список технических характеристик
Samsung M378A1K43BB1-CPB 8GB
Hynix Semiconductor (Hyundai Electronics) HMA41GR7AFR8N-TF 8GB
Основные характеристики
  • Тип памяти
    DDR4 left arrow DDR4
  • Задержка в PassMark, нс
    35 left arrow 34
  • Скорость чтения, Гб/сек
    14.9 left arrow 11.1
  • Скорость записи, Гб/сек
    10.1 left arrow 9.5
  • Пропускная способность памяти, мбит/сек
    17000 left arrow 17000
Other
  • Описание
    PC4-17000, 1.2V, CAS Supported: 10 11 12 13 14 15 16 left arrow PC4-17000, 1.2V, CAS Supported: 9 11 12 13 14 15 16
  • Тайминги / частота
    14-14-14, 15-15-15, 16-16-16 / 2133 MHz left arrow 14-14-14, 15-15-15, 16-16-16 / 2133 MHz
  • Рейтинг PassMark (Чем больше тем лучше)
    2613 left arrow 2319
Калькулятор задержки (latency) памяти (RAM)
Рассчитать скорость работы памяти RAM в нс
RAM 1
RAM 2

Последние сравнения