RAM
DDR5
DDR4
DDR3
DDR2
О сайте
Menu
RAMs
RAM
DDR5
DDR4
DDR3
DDR2
О сайте
Русский
English
Español
Português
Deutsch
Français
Italiano
Polski
中文
日本語
Samsung M378A1K43EB2-CWE 8GB
G Skill Intl F4-3600C14-16GTRG 16GB
Сравнить
Samsung M378A1K43EB2-CWE 8GB против G Skill Intl F4-3600C14-16GTRG 16GB
-->
Средняя оценка
Samsung M378A1K43EB2-CWE 8GB
Средняя оценка
G Skill Intl F4-3600C14-16GTRG 16GB
Различия
Спецификации
Комментарии
Различия
Причины выбрать
Samsung M378A1K43EB2-CWE 8GB
Сообщить об ошибке
Выше пропускная способность
25600
17000
Около 1.51% выше полоса пропускания
Причины выбрать
G Skill Intl F4-3600C14-16GTRG 16GB
Сообщить об ошибке
Ниже задержка в тестах PassMark, нс
23
33
Около -43% меньшая задержка
Выше скорость чтения
20.1
17.6
Среднее значение в тестах
Выше скорость записи
19.7
12.0
Среднее значение в тестах
Спецификации
Полный список технических характеристик
Samsung M378A1K43EB2-CWE 8GB
G Skill Intl F4-3600C14-16GTRG 16GB
Основные характеристики
Тип памяти
DDR4
DDR4
Задержка в PassMark, нс
33
23
Скорость чтения, Гб/сек
17.6
20.1
Скорость записи, Гб/сек
12.0
19.7
Пропускная способность памяти, мбит/сек
25600
17000
Other
Описание
PC4-25600, 1.2V, CAS Supported: 10 11 12 13 14 15 16 17 18 19 20 21 22 24
PC4-17000, 1.2V, CAS Supported: 10 11 12 13 14 15 16
Тайминги / частота
20-20-20, 22-22-22, 24-24-24 / 3200 MHz
14-14-14, 15-15-15, 16-16-16 / 2133 MHz
Рейтинг PassMark (Чем больше тем лучше)
2910
4322
Samsung M378A1K43EB2-CWE 8GB Сравнения RAM
Hoodisk Electronics Co Ltd GKE160SO102408-2666 16GB
Corsair CMSX32GX4M2A3200C22 16GB
G Skill Intl F4-3600C14-16GTRG 16GB Сравнения RAM
Hoodisk Electronics Co Ltd GKE160SO102408-2666 16GB
STEC (Silicon Tech) S1024R3NN2QK-I 1GB
Калькулятор задержки (latency) памяти (RAM)
Рассчитать скорость работы памяти RAM в нс
RAM 1
CAS Latency (CL) *
Frequency (Mhz) *
calculate
Absolute Latency
0 ns
RAM 2
CAS Latency (CL) *
Frequency (Mhz) *
calculate
Absolute Latency
0 ns
Последние сравнения
Samsung M378B5173EB0-CK0 4GB
Kingston K6VDX7-HYD 8GB
Samsung M471B5273EB0-CK0 4GB
Wilk Elektronik S.A. GR2666D464L19S/4G 4GB
Samsung M378B5273CH0-CH9 4GB
SK Hynix HMA81GU7AFR8N-UH 8GB
G Skill Intl F3-2800C12-8GTXDG 8GB
G Skill Intl F4-2400C17-8GFT 8GB
Kingston KP4T2F-PSB 4GB
A-DATA Technology AD4S320038G22-B 8GB
Samsung M378A1K43EB2-CWE 8GB
G Skill Intl F4-3600C14-16GTRG 16GB
Samsung M393B5170FH0-CH9 4GB
Transcend Information TS2GSH64V4B 16GB
Hoodisk Electronics Co Ltd GKE160SO102408-2666 16GB
SK Hynix HMA81GR7AFR8N-VK 8GB
Samsung M4 70T5663CZ3-CE6 2GB
G Skill Intl F4-4000C17-16GVKB 16GB
Kingston 9905403-437.A01LF 4GB
Apacer Technology 78.D2GFH.4030B 16GB
AMD R5S38G1601U2S 8GB
V-Color Technology Inc. TL48G24S815RGB 8GB
Samsung DDR3 8GB 1600MHz 8GB
Crucial Technology BL8G32C16U4BL.8FE 8GB
Kingston 9965525-140.A00LF 8GB
Kingston KHX2666C13D4/4GX 4GB
Nanya Technology M2X4G64CB8HG9N-DG 4GB
V-Color Technology Inc. TL8G36818C-I2PSAAS 8GB
Сообщить об ошибке
×
Bug description
Source link