RAM
DDR5
DDR4
DDR3
DDR2
О сайте
Menu
RAMs
RAM
DDR5
DDR4
DDR3
DDR2
О сайте
Русский
English
Español
Português
Deutsch
Français
Italiano
Polski
中文
日本語
Samsung M378A1K43EB2-CWE 8GB
Kingmax Semiconductor GLLF62F-D8---------- 4GB
Сравнить
Samsung M378A1K43EB2-CWE 8GB против Kingmax Semiconductor GLLF62F-D8---------- 4GB
-->
Средняя оценка
Samsung M378A1K43EB2-CWE 8GB
Средняя оценка
Kingmax Semiconductor GLLF62F-D8---------- 4GB
Различия
Спецификации
Комментарии
Различия
Причины выбрать
Samsung M378A1K43EB2-CWE 8GB
Сообщить об ошибке
Ниже задержка в тестах PassMark, нс
33
62
Около 47% меньшая задержка
Выше скорость чтения
17.6
16.2
Среднее значение в тестах
Выше скорость записи
12.0
9.7
Среднее значение в тестах
Выше пропускная способность
25600
19200
Около 1.33% выше полоса пропускания
Причины выбрать
Kingmax Semiconductor GLLF62F-D8---------- 4GB
Сообщить об ошибке
Спецификации
Полный список технических характеристик
Samsung M378A1K43EB2-CWE 8GB
Kingmax Semiconductor GLLF62F-D8---------- 4GB
Основные характеристики
Тип памяти
DDR4
DDR4
Задержка в PassMark, нс
33
62
Скорость чтения, Гб/сек
17.6
16.2
Скорость записи, Гб/сек
12.0
9.7
Пропускная способность памяти, мбит/сек
25600
19200
Other
Описание
PC4-25600, 1.2V, CAS Supported: 10 11 12 13 14 15 16 17 18 19 20 21 22 24
PC4-19200, 1.2V, CAS Supported: 10 11 12 13 14 15 16 17 18 19 20 21
Тайминги / частота
20-20-20, 22-22-22, 24-24-24 / 3200 MHz
15-15-15, 16-16-16, 17-17-17, 18-18-18 / 2400 MHz
Рейтинг PassMark (Чем больше тем лучше)
2910
1772
Samsung M378A1K43EB2-CWE 8GB Сравнения RAM
Hoodisk Electronics Co Ltd GKE160SO102408-2666 16GB
Corsair CMSX32GX4M2A3200C22 16GB
Kingmax Semiconductor GLLF62F-D8---------- 4GB Сравнения RAM
Hoodisk Electronics Co Ltd GKE160SO102408-2666 16GB
Crucial Technology BLS4G4D240FSE.8FBD 4GB
Калькулятор задержки (latency) памяти (RAM)
Рассчитать скорость работы памяти RAM в нс
RAM 1
CAS Latency (CL) *
Frequency (Mhz) *
calculate
Absolute Latency
0 ns
RAM 2
CAS Latency (CL) *
Frequency (Mhz) *
calculate
Absolute Latency
0 ns
Последние сравнения
Samsung DDR3 8GB 1600MHz 8GB
SK Hynix HMA82GR7JJR8N-VK 16GB
Kingston 99U5584-005.A00LF 4GB
Crucial Technology BLS4G4D26BFSE.8FE 4GB
G Skill Intl F2-8500CL5-2GBPI 2GB
G Skill Intl F4-3466C16-16GTZSW 16GB
TwinMOS 8DPT5MK8-TATP 2GB
Kingston 9905703-009.A00G 16GB
Samsung M378A1K43EB2-CWE 8GB
Kingmax Semiconductor GLLF62F-D8---------- 4GB
Micron Technology 8KTF25664HZ-1G4M1 2GB
Samsung M471B5673FH0-CF8 2GB
Kingston 99U5584-004.A00LF 4GB
Crucial Technology CT8G4DFS832A.C8FJ 8GB
Kingston 2GB-DDR2 800Mhz 2GB
Apacer Technology GD2.1527WT.001 8GB
Ramaxel Technology RMN1740HC48D8F667A 2GB
Ramsta Ramsta-2400Mhz-8G 8GB
Samsung M391B5673EH1-CH9 2GB
Patriot Memory (PDP Systems) 4133 C19 Series 8GB
G Skill Intl F2-5300CL4-1GBSA 1GB
Crucial Technology BL16G32C16U4W.M8FB1 16GB
Hynix Semiconductor (Hyundai Electronics) GKE160SO10240
Crucial Technology CT8G4SFRA266.C4FE 8GB
Samsung M393B1G70BH0-CK0 8GB
Avant Technology W642GU42J2320NH 16GB
Peak Electronics 256X64M-67E 2GB
Patriot Memory (PDP Systems) PSD416G21332 16GB
Сообщить об ошибке
×
Bug description
Source link