RAM
DDR5
DDR4
DDR3
DDR2
О сайте
Menu
RAMs
RAM
DDR5
DDR4
DDR3
DDR2
О сайте
Русский
English
Español
Português
Deutsch
Français
Italiano
Polski
中文
日本語
Samsung M378A1K43EB2-CWE 8GB
Samsung M378A2K43DB1-CTD 16GB
Сравнить
Samsung M378A1K43EB2-CWE 8GB против Samsung M378A2K43DB1-CTD 16GB
-->
Средняя оценка
Samsung M378A1K43EB2-CWE 8GB
Средняя оценка
Samsung M378A2K43DB1-CTD 16GB
Различия
Спецификации
Комментарии
Различия
Причины выбрать
Samsung M378A1K43EB2-CWE 8GB
Сообщить об ошибке
Ниже задержка в тестах PassMark, нс
33
36
Около 8% меньшая задержка
Выше скорость чтения
17.6
15.3
Среднее значение в тестах
Выше скорость записи
12.0
11.9
Среднее значение в тестах
Выше пропускная способность
25600
21300
Около 1.2% выше полоса пропускания
Причины выбрать
Samsung M378A2K43DB1-CTD 16GB
Сообщить об ошибке
Спецификации
Полный список технических характеристик
Samsung M378A1K43EB2-CWE 8GB
Samsung M378A2K43DB1-CTD 16GB
Основные характеристики
Тип памяти
DDR4
DDR4
Задержка в PassMark, нс
33
36
Скорость чтения, Гб/сек
17.6
15.3
Скорость записи, Гб/сек
12.0
11.9
Пропускная способность памяти, мбит/сек
25600
21300
Other
Описание
PC4-25600, 1.2V, CAS Supported: 10 11 12 13 14 15 16 17 18 19 20 21 22 24
PC4-21300, 1.2V, CAS Supported: 10 11 12 13 14 15 16 17 18 19 20
Тайминги / частота
20-20-20, 22-22-22, 24-24-24 / 3200 MHz
17-17-17, 18-18-18, 19-19-19, 20-20-20 / 2666 MHz
Рейтинг PassMark (Чем больше тем лучше)
2910
2981
Samsung M378A1K43EB2-CWE 8GB Сравнения RAM
Hoodisk Electronics Co Ltd GKE160SO102408-2666 16GB
Corsair CMSX32GX4M2A3200C22 16GB
Samsung M378A2K43DB1-CTD 16GB Сравнения RAM
Hoodisk Electronics Co Ltd GKE160SO102408-2666 16GB
Crucial Technology BLS4G4D240FSE.8FBD 4GB
Калькулятор задержки (latency) памяти (RAM)
Рассчитать скорость работы памяти RAM в нс
RAM 1
CAS Latency (CL) *
Frequency (Mhz) *
calculate
Absolute Latency
0 ns
RAM 2
CAS Latency (CL) *
Frequency (Mhz) *
calculate
Absolute Latency
0 ns
Последние сравнения
AMD R5316G1609U2K 8GB
Kingston XWM8G1-MIE 32GB
Kingston KHYXPX-HYJ 8GB
Chun Well Technology Holding Limited CL19-20-20 D4-3600
Samsung M3 78T2863QZS-CF7 1GB
Thermaltake Technology Co Ltd R019D408GX2-3600C18A 8GB
Samsung M378A1K43EB2-CWE 8GB
Samsung M378A2K43DB1-CTD 16GB
Ramaxel Technology RMR5040ED58E9W1600 4GB
Dust Leopard DDR4-2400 CL17 8GB 8GB
Kingston 2GB-DDR2 800Mhz 2GB
G Skill Intl F4-3466C16-8GTZR 8GB
Hynix Semiconductor (Hyundai Electronics) HMT351S6
Panram International Corporation D4N2666PS-16G 16GB
Kingston 9905458-017.A01LF 4GB
G Skill Intl F4-3200C16-8GTZN 8GB
Hynix Semiconductor (Hyundai Electronics) HYMP125S64CP8
G Skill Intl F4-3600C16-8GTZKK 8GB
Nanya Technology NT512T64U88B0BY-3C 512MB
DSL Memory D4SS1G081SH24A-A 8GB
SK Hynix HMT325U6CFR8C-PB 2GB
Kingston HP26D4S9S1ME-4 4GB
Patriot Memory (PDP Systems) 1866 CL9 Series 4GB
Patriot Memory (PDP Systems) PSD44G266682 4GB
Samsung M393B1K70CH0-CH9 8GB
SK Hynix HMA82GU6CJR8N-VK 16GB
Kingston 9905403-011.A03LF 2GB
Kingston ACR32D4U2S8ME-16 16GB
Сообщить об ошибке
×
Bug description
Source link