RAM
DDR5
DDR4
DDR3
DDR2
О сайте
Menu
RAMs
RAM
DDR5
DDR4
DDR3
DDR2
О сайте
Русский
English
Español
Português
Deutsch
Français
Italiano
Polski
中文
日本語
Samsung M378A1K43EB2-CWE 8GB
Samsung M391A1K43BB2-CTD 8GB
Сравнить
Samsung M378A1K43EB2-CWE 8GB против Samsung M391A1K43BB2-CTD 8GB
-->
Средняя оценка
Samsung M378A1K43EB2-CWE 8GB
Средняя оценка
Samsung M391A1K43BB2-CTD 8GB
Различия
Спецификации
Комментарии
Различия
Причины выбрать
Samsung M378A1K43EB2-CWE 8GB
Сообщить об ошибке
Ниже задержка в тестах PassMark, нс
33
64
Около 48% меньшая задержка
Выше скорость чтения
17.6
17.5
Среднее значение в тестах
Выше скорость записи
12.0
9.3
Среднее значение в тестах
Выше пропускная способность
25600
21300
Около 1.2% выше полоса пропускания
Причины выбрать
Samsung M391A1K43BB2-CTD 8GB
Сообщить об ошибке
Спецификации
Полный список технических характеристик
Samsung M378A1K43EB2-CWE 8GB
Samsung M391A1K43BB2-CTD 8GB
Основные характеристики
Тип памяти
DDR4
DDR4
Задержка в PassMark, нс
33
64
Скорость чтения, Гб/сек
17.6
17.5
Скорость записи, Гб/сек
12.0
9.3
Пропускная способность памяти, мбит/сек
25600
21300
Other
Описание
PC4-25600, 1.2V, CAS Supported: 10 11 12 13 14 15 16 17 18 19 20 21 22 24
PC4-21300, 1.2V, CAS Supported: 10 11 12 13 14 15 16 17 18 19 20
Тайминги / частота
20-20-20, 22-22-22, 24-24-24 / 3200 MHz
17-17-17, 18-18-18, 19-19-19, 20-20-20 / 2666 MHz
Рейтинг PassMark (Чем больше тем лучше)
2910
2205
Samsung M378A1K43EB2-CWE 8GB Сравнения RAM
Hoodisk Electronics Co Ltd GKE160SO102408-2666 16GB
Corsair CMSX32GX4M2A3200C22 16GB
Samsung M391A1K43BB2-CTD 8GB Сравнения RAM
Hoodisk Electronics Co Ltd GKE160SO102408-2666 16GB
STEC (Silicon Tech) S1024R3NN2QK-I 1GB
Калькулятор задержки (latency) памяти (RAM)
Рассчитать скорость работы памяти RAM в нс
RAM 1
CAS Latency (CL) *
Frequency (Mhz) *
calculate
Absolute Latency
0 ns
RAM 2
CAS Latency (CL) *
Frequency (Mhz) *
calculate
Absolute Latency
0 ns
Последние сравнения
Kingston 99U5403-465.A00LF 8GB
Crucial Technology CT8G4SFD824A.C16FF 8GB
Crucial Technology CT102464BA160B.M16 8GB
G Skill Intl F4-4000C18-8GTZSW 8GB
Kingston KHX8500D2K2/2GN 1GB
Samsung M471A2K43CB1-CRCR 16GB
SK Hynix HYMP112U64CP8-Y5 1GB
Kingston KHX2400C15S4/16G 16GB
Kingston 99U5403-036.A00G 4GB
SK Hynix HMA851S6CJR6N-UH 4GB
Hynix Semiconductor (Hyundai Electronics) GKE160SO10240
G Skill Intl F4-3466C16-16GTZSW 16GB
Corsair CMZ16GX3M2A1866C9 8GB
Kingston 9905701-008.A00G 16GB
Samsung 1600 CL10 Series 8GB
Hynix Semiconductor (Hyundai Electronics) HMA81GU6CJR8N
A-DATA Technology DQKD1A08 1GB
Apacer Technology 78.CAGQ7.ARC0B 8GB
Nanya Technology NT2GT64U8HD0BY-AD 2GB
Kingston K6VDX7-HYD 8GB
Samsung M393B5170FH0-CH9 4GB
A-DATA Technology AX4S2800316G18-B 16GB
Wilk Elektronik S.A. GY1866D364L9A/4G 4GB
Wilk Elektronik S.A. GR2133D464L15/8G 8GB
Samsung M3 78T3354BZ0-CCC 256MB
Corsair CMH32GX4M2Z3600C18 16GB
Samsung DDR3 8GB 1600MHz 8GB
Avant Technology W6451U48J7240N6 4GB
Сообщить об ошибке
×
Bug description
Source link