RAM
DDR5
DDR4
DDR3
DDR2
О сайте
Menu
RAMs
RAM
DDR5
DDR4
DDR3
DDR2
О сайте
Русский
English
Español
Português
Deutsch
Français
Italiano
Polski
中文
日本語
Samsung M378A2K43EB1-CWE 16GB
Hynix Semiconductor (Hyundai Electronics) HMA41GR7AFR8N-UH 8GB
Сравнить
Samsung M378A2K43EB1-CWE 16GB против Hynix Semiconductor (Hyundai Electronics) HMA41GR7AFR8N-UH 8GB
-->
Средняя оценка
Samsung M378A2K43EB1-CWE 16GB
Средняя оценка
Hynix Semiconductor (Hyundai Electronics) HMA41GR7AFR8N-UH 8GB
Различия
Спецификации
Комментарии
Различия
Причины выбрать
Samsung M378A2K43EB1-CWE 16GB
Сообщить об ошибке
Выше скорость чтения
18.5
11.6
Среднее значение в тестах
Выше скорость записи
13.8
8.3
Среднее значение в тестах
Выше пропускная способность
25600
19200
Около 1.33% выше полоса пропускания
Причины выбрать
Hynix Semiconductor (Hyundai Electronics) HMA41GR7AFR8N-UH 8GB
Сообщить об ошибке
Спецификации
Полный список технических характеристик
Samsung M378A2K43EB1-CWE 16GB
Hynix Semiconductor (Hyundai Electronics) HMA41GR7AFR8N-UH 8GB
Основные характеристики
Тип памяти
DDR4
DDR4
Задержка в PassMark, нс
33
33
Скорость чтения, Гб/сек
18.5
11.6
Скорость записи, Гб/сек
13.8
8.3
Пропускная способность памяти, мбит/сек
25600
19200
Other
Описание
PC4-25600, 1.2V, CAS Supported: 10 11 12 13 14 15 16 17 18 19 20 21 22 24
PC4-19200, 1.2V, CAS Supported: 10 11 12 13 14 15 16 17 18
Тайминги / частота
20-20-20, 22-22-22, 24-24-24 / 3200 MHz
15-15-15, 16-16-16, 17-17-17, 18-18-18 / 2400 MHz
Рейтинг PassMark (Чем больше тем лучше)
3341
2227
Samsung M378A2K43EB1-CWE 16GB Сравнения RAM
Crucial Technology BLT16G4D30AETA.K16FB 16GB
Crucial Technology BLS4G4D240FSE.8FBD 4GB
Hynix Semiconductor (Hyundai Electronics) HMA41GR7AFR8N-UH 8GB Сравнения RAM
Corsair CMD8GX3M2A2933C12 4GB
Crucial Technology CT102464BF160B-16F 8GB
Калькулятор задержки (latency) памяти (RAM)
Рассчитать скорость работы памяти RAM в нс
RAM 1
CAS Latency (CL) *
Frequency (Mhz) *
calculate
Absolute Latency
0 ns
RAM 2
CAS Latency (CL) *
Frequency (Mhz) *
calculate
Absolute Latency
0 ns
Последние сравнения
Kingston 9965662-016.A00G 16GB
SK Hynix HMA41GS6AFR8N-TF 8GB
Kingston 9965525-018.A00LF 4GB
G Skill Intl F4-4400C18-8GTRG 8GB
Kingston 9965516-112.A00LF 16GB
Corsair CMD8GX4M2B3866C18 4GB
Samsung M378A2K43EB1-CWE 16GB
Hynix Semiconductor (Hyundai Electronics) HMA41GR7AFR8N
Kingston 99U5469-045.A00LF 4GB
G Skill Intl F4-2133C15-8GFXR 8GB
PNY Electronics PNY 2GB
Kingston 9905701-011.A00G 16GB
Kingston 9965525-018.A00LF 4GB
Mushkin 99[2/7/4]191[F/T] 4GB
Micron Technology 18HTF12872AY-800F1 1GB
Crucial Technology CT8G4SFD8213.C16FDD2 8GB
G Skill Intl F3-2666C12-8GTXD 8GB
Corsair CMK32GX4M4K4266C19 8GB
Samsung M393B1G70BH0-CK0 8GB
Patriot Memory (PDP Systems) 4000 C20 Series 8GB
Nanya Technology NT512T64U88B0BY-3C 512MB
Corsair CMWX8GF2933Z19W8 8GB
AMD R5316G1609U2K 8GB
Crucial Technology BLS8G4S26BFSD.16FD2 8GB
Kingston 99U5474-010.A00LF 2GB
Crucial Technology CT16G4DFRA32A.C8FE 16GB
Corsair CMZ16GX3M2A1866C9 8GB
Corsair CMK16GX4M2B3000C15 8GB
Сообщить об ошибке
×
Bug description
Source link