RAM
DDR5
DDR4
DDR3
DDR2
О сайте
Menu
RAMs
RAM
DDR5
DDR4
DDR3
DDR2
О сайте
Русский
English
Español
Português
Deutsch
Français
Italiano
Polski
中文
日本語
Samsung M378A5244CB0-CTD 4GB
Hynix Semiconductor (Hyundai Electronics) HMA82GU6AFR8N-UH 16GB
Сравнить
Samsung M378A5244CB0-CTD 4GB против Hynix Semiconductor (Hyundai Electronics) HMA82GU6AFR8N-UH 16GB
-->
Средняя оценка
Samsung M378A5244CB0-CTD 4GB
Средняя оценка
Hynix Semiconductor (Hyundai Electronics) HMA82GU6AFR8N-UH 16GB
Различия
Спецификации
Комментарии
Различия
Причины выбрать
Samsung M378A5244CB0-CTD 4GB
Сообщить об ошибке
Выше скорость чтения
15.8
15.2
Среднее значение в тестах
Выше скорость записи
11.8
10.2
Среднее значение в тестах
Выше пропускная способность
21300
19200
Около 1.11% выше полоса пропускания
Причины выбрать
Hynix Semiconductor (Hyundai Electronics) HMA82GU6AFR8N-UH 16GB
Сообщить об ошибке
Ниже задержка в тестах PassMark, нс
27
36
Около -33% меньшая задержка
Спецификации
Полный список технических характеристик
Samsung M378A5244CB0-CTD 4GB
Hynix Semiconductor (Hyundai Electronics) HMA82GU6AFR8N-UH 16GB
Основные характеристики
Тип памяти
DDR4
DDR4
Задержка в PassMark, нс
36
27
Скорость чтения, Гб/сек
15.8
15.2
Скорость записи, Гб/сек
11.8
10.2
Пропускная способность памяти, мбит/сек
21300
19200
Other
Описание
PC4-21300, 1.2V, CAS Supported: 10 11 12 13 14 15 16 17 18 19 20
PC4-19200, 1.2V, CAS Supported: 10 11 12 13 14 15 16 17 18
Тайминги / частота
17-17-17, 18-18-18, 19-19-19, 20-20-20 / 2666 MHz
15-15-15, 16-16-16, 17-17-17, 18-18-18 / 2400 MHz
Рейтинг PassMark (Чем больше тем лучше)
2497
2764
Samsung M378A5244CB0-CTD 4GB Сравнения RAM
Hoodisk Electronics Co Ltd GKE160SO102408-2666 16GB
Apacer Technology AQD-D4U8GN24-SE 8GB
Hynix Semiconductor (Hyundai Electronics) HMA82GU6AFR8N-UH 16GB Сравнения RAM
G Skill Intl F3-2133C9-4GAB 4GB
Kingston KF560C40-16 16GB
Калькулятор задержки (latency) памяти (RAM)
Рассчитать скорость работы памяти RAM в нс
RAM 1
CAS Latency (CL) *
Frequency (Mhz) *
calculate
Absolute Latency
0 ns
RAM 2
CAS Latency (CL) *
Frequency (Mhz) *
calculate
Absolute Latency
0 ns
Последние сравнения
Kingston 99U5474-038.A00LF 4GB
Crucial Technology BLS4G4D240FSE.8FBD 4GB
Samsung M395T2863QZ4-CF76 1GB
Shenzhen Micro Innovation Industry KF3200DDCD4 16GB
Nanya Technology NT4GC64B8HG0NS-CG 4GB
Corsair CMK32GX4M4K4333C19 8GB
Samsung M378A5244CB0-CTD 4GB
Hynix Semiconductor (Hyundai Electronics) HMA82GU6AFR8N
Samsung M393A2G40EB1-CRC 16GB
Micron Technology 18ASF2G72PZ-2G3B1 16GB
G Skill Intl F5-6400J3239G16G 16GB
G Skill Intl F4-3200C16-16GFX 16GB
Crucial Technology CT51264BD1339.M16F 4GB
G Skill Intl F4-3466C16-8GVR 8GB
Samsung M393B1G70BH0-CK0 8GB
Crucial Technology CT4G4SFS624A.C4FB 4GB
Kingston KHX2133C11D3/4GX 4GB
V-Color Technology Inc. TA48G36S818BNK 8GB
A-DATA Technology DDR3 1866 2OZ 4GB
Crucial Technology CT4G4SFS824A.M8FE 4GB
TwinMOS 8DPT5MK8-TATP 2GB
King Tiger Technology Tigo-2400MHz-8G 8GB
Golden Empire 1GB DDR2 800 CAS=4 1GB
Apacer Technology 78.CAGPP.ARC0B 8GB
Hynix Semiconductor (Hyundai Electronics) HYMP125S64CP8
G Skill Intl F4-2666C19-8GSXK 8GB
STEC (Silicon Tech) S1024R3NN2QK-I 1GB
Corsair CMG32GX4M2E3200C16 16GB
Сообщить об ошибке
×
Bug description
Source link