RAM
DDR5
DDR4
DDR3
DDR2
О сайте
Menu
RAMs
RAM
DDR5
DDR4
DDR3
DDR2
О сайте
Русский
English
Español
Português
Deutsch
Français
Italiano
Polski
中文
日本語
Samsung M378A5244CB0-CTD 4GB
Kingston 8ATF1G64AZ-2G3A141 8GB
Сравнить
Samsung M378A5244CB0-CTD 4GB против Kingston 8ATF1G64AZ-2G3A141 8GB
-->
Средняя оценка
Samsung M378A5244CB0-CTD 4GB
Средняя оценка
Kingston 8ATF1G64AZ-2G3A141 8GB
Различия
Спецификации
Комментарии
Различия
Причины выбрать
Samsung M378A5244CB0-CTD 4GB
Сообщить об ошибке
Ниже задержка в тестах PassMark, нс
36
66
Около 45% меньшая задержка
Выше скорость записи
11.8
8.1
Среднее значение в тестах
Выше пропускная способность
21300
19200
Около 1.11% выше полоса пропускания
Причины выбрать
Kingston 8ATF1G64AZ-2G3A141 8GB
Сообщить об ошибке
Выше скорость чтения
15.9
15.8
Среднее значение в тестах
Спецификации
Полный список технических характеристик
Samsung M378A5244CB0-CTD 4GB
Kingston 8ATF1G64AZ-2G3A141 8GB
Основные характеристики
Тип памяти
DDR4
DDR4
Задержка в PassMark, нс
36
66
Скорость чтения, Гб/сек
15.8
15.9
Скорость записи, Гб/сек
11.8
8.1
Пропускная способность памяти, мбит/сек
21300
19200
Other
Описание
PC4-21300, 1.2V, CAS Supported: 10 11 12 13 14 15 16 17 18 19 20
PC4-19200, 1.2V, CAS Supported: 10 11 12 13 14 15 16 17 18 19 20 21
Тайминги / частота
17-17-17, 18-18-18, 19-19-19, 20-20-20 / 2666 MHz
15-15-15, 16-16-16, 17-17-17, 18-18-18 / 2400 MHz
Рейтинг PassMark (Чем больше тем лучше)
2497
1953
Samsung M378A5244CB0-CTD 4GB Сравнения RAM
Hoodisk Electronics Co Ltd GKE160SO102408-2666 16GB
Apacer Technology AQD-D4U8GN24-SE 8GB
Kingston 8ATF1G64AZ-2G3A141 8GB Сравнения RAM
Hoodisk Electronics Co Ltd GKE160SO102408-2666 16GB
STEC (Silicon Tech) S1024R3NN2QK-I 1GB
Калькулятор задержки (latency) памяти (RAM)
Рассчитать скорость работы памяти RAM в нс
RAM 1
CAS Latency (CL) *
Frequency (Mhz) *
calculate
Absolute Latency
0 ns
RAM 2
CAS Latency (CL) *
Frequency (Mhz) *
calculate
Absolute Latency
0 ns
Последние сравнения
Samsung M378A5244CB0-CTD 4GB
Kingston 8ATF1G64AZ-2G3A141 8GB
Wilk Elektronik S.A. GY1866D364L9A/4G 4GB
G Skill Intl F4-4000C18-16GTZN 16GB
Kingston 9905471-006.A00LF 4GB
G Skill Intl F4-3600C16-8GVK 8GB
Team Group Inc. Team-Elite-1333 4GB
Corsair CM4X4GF2400C14K4 4GB
SK Hynix HYMP31GF72CMP4D5Y5 8GB
Corsair CMR32GX4M2C3333C16 16GB
SK Hynix HMT351S6CFR8C-PB 4GB
Wilk Elektronik S.A. IRX3000D464L16S/4G 4GB
Micron Technology 16JTF25664AZ-1G4F1 2GB
Corsair CMK32GX4M4B3733C17 8GB
Samsung M393B1K70CH0-CH9 8GB
Wilk Elektronik S.A. GR2666S464L19S/8G 8GB
Corsair CM2X1024-8500C5D 1GB
G Skill Intl F4-4266C19-8GTZSW 8GB
Kingston KP4T2F-PSB 4GB
G Skill Intl F4-3600C19-16GSXK 16GB
Ramos Technology RMB4GB58BCA3-13HC 4GB
Crucial Technology BLS16G4D30AESB.M16FE 16GB
Kingston 99U5474-028.A00LF 4GB
G Skill Intl F4-4000C18-8GTZ 8GB
Patriot Memory (PDP Systems) PSD38G1600L2S 8GB
AMD R7416G2400U2S 16GB
Samsung M3 78T5663RZ3-CE6 2GB
Micron Technology 8ATF1G64AZ-2G3H1R 8GB
Сообщить об ошибке
×
Bug description
Source link