RAM
DDR5
DDR4
DDR3
DDR2
О сайте
Menu
RAMs
RAM
DDR5
DDR4
DDR3
DDR2
О сайте
Русский
English
Español
Português
Deutsch
Français
Italiano
Polski
中文
日本語
Samsung M378B5173BH0-CH9 4GB
Crucial Technology BLS8G4D30AESEK.M8FE1 8GB
Сравнить
Samsung M378B5173BH0-CH9 4GB против Crucial Technology BLS8G4D30AESEK.M8FE1 8GB
-->
Средняя оценка
Samsung M378B5173BH0-CH9 4GB
Средняя оценка
Crucial Technology BLS8G4D30AESEK.M8FE1 8GB
Различия
Спецификации
Комментарии
Различия
Причины выбрать
Samsung M378B5173BH0-CH9 4GB
Сообщить об ошибке
Ниже задержка в тестах PassMark, нс
23
27
Около 15% меньшая задержка
Причины выбрать
Crucial Technology BLS8G4D30AESEK.M8FE1 8GB
Сообщить об ошибке
Выше скорость чтения
17.8
13.4
Среднее значение в тестах
Выше скорость записи
14.5
8.0
Среднее значение в тестах
Выше пропускная способность
19200
10600
Около 1.81 выше полоса пропускания
Спецификации
Полный список технических характеристик
Samsung M378B5173BH0-CH9 4GB
Crucial Technology BLS8G4D30AESEK.M8FE1 8GB
Основные характеристики
Тип памяти
DDR3
DDR4
Задержка в PassMark, нс
23
27
Скорость чтения, Гб/сек
13.4
17.8
Скорость записи, Гб/сек
8.0
14.5
Пропускная способность памяти, мбит/сек
10600
19200
Other
Описание
PC3-10600, 1.5V, CAS Supported: 6 7 8 9
PC4-19200, 1.2V, CAS Supported: 9 10 11 12 13 14 15 16 17 18 19 20 21 22 23 24
Тайминги / частота
7-7-7-20 / 1333 MHz
15-15-15, 16-16-16, 17-17-17, 18-18-18 / 2400 MHz
Рейтинг PassMark (Чем больше тем лучше)
2269
3386
Samsung M378B5173BH0-CH9 4GB Сравнения RAM
Kingston HX318C10FK/4 4GB
Apacer Technology D12.2755BS.001 16GB
Crucial Technology BLS8G4D30AESEK.M8FE1 8GB Сравнения RAM
Hoodisk Electronics Co Ltd GKE160SO102408-2666 16GB
STEC (Silicon Tech) S1024R3NN2QK-I 1GB
Калькулятор задержки (latency) памяти (RAM)
Рассчитать скорость работы памяти RAM в нс
RAM 1
CAS Latency (CL) *
Frequency (Mhz) *
calculate
Absolute Latency
0 ns
RAM 2
CAS Latency (CL) *
Frequency (Mhz) *
calculate
Absolute Latency
0 ns
Последние сравнения
Samsung M393B2G70BH0-CK0 16GB
Kingston RB24D4U7S8MB-8 8GB
SK Hynix HYMP31GF72CMP4D5Y5 8GB
Transcend Information TS1GSH64V4B 8GB
Samsung M378T5663QZ3-CF7 2GB
Crucial Technology CT8G4DFD8213.M16FB 8GB
Ramaxel Technology RMT3020EC58E9F1333 4GB
Wilk Elektronik S.A. IRXS2666D464L16/16G 16GB
Hoodisk Electronics Co Ltd GKE160SO102408-2666 16GB
SK Hynix HMA851U6CJR6N-VK 4GB
Samsung M3 93T5750CZA-CE6 2GB
Corsair CMK16GX4M4C3200C16 4GB
Nanya Technology NT512T64U88B0BY-3C 512MB
Kingston 9905624-045.A00G 8GB
Kingston ACR256X64D3S1333C9 2GB
Corsair CMR32GX4M2C3333C16 16GB
Asgard VMA45UG-MEC1U2AW1 8GB
G Skill Intl F4-3600C16-8GTZ 8GB
Nanya Technology NT4GC64B8HG0NS-CG 4GB
Kingston HP37D4U1S8ME-8XR 8GB
SK Hynix DDR2 800 2G 2GB
Transcend Information TS2GSH64V4B 16GB
SK Hynix HYMP512S64CP8-Y5 1GB
Crucial Technology CT4G4DFS8213.C8FBR2 4GB
Corsair CMZ16GX3M2A2400C10 8GB
Gloway International (HK) STKD4XMP2400-F 4GB
Kingston 2GB-DDR2 800Mhz 2GB
Kingston 8ATF1G64AZ-2G1B1 8GB
Сообщить об ошибке
×
Bug description
Source link