Samsung M378B5173BH0-CH9 4GB против Kingston KYXC0V-MID 16GB

-->

Средняя оценка

Samsung M378B5173BH0-CH9 4GB

Samsung M378B5173BH0-CH9 4GB

Средняя оценка

Kingston KYXC0V-MID 16GB

Kingston KYXC0V-MID 16GB

Различия Спецификации Комментарии

Различия

Samsung M378B5173BH0-CH9 4GB

Причины выбрать
Samsung M378B5173BH0-CH9 4GB

Сообщить об ошибке

Ниже задержка в тестах PassMark, нс

23 36

Около 36% меньшая задержка

Kingston KYXC0V-MID 16GB

Причины выбрать
Kingston KYXC0V-MID 16GB

Сообщить об ошибке

Выше скорость чтения

15.2 13.4

Среднее значение в тестах
Выше скорость записи

11.5 8.0

Среднее значение в тестах
Выше пропускная способность

19200 10600

Около 1.81 выше полоса пропускания

Спецификации

Полный список технических характеристик

Samsung M378B5173BH0-CH9 4GB

Kingston KYXC0V-MID 16GB

Основные характеристики

Тип памяти

DDR3 DDR4
Задержка в PassMark, нс

23 36
Скорость чтения, Гб/сек

13.4 15.2
Скорость записи, Гб/сек

8.0 11.5
Пропускная способность памяти, мбит/сек

10600 19200

Other

Описание

PC3-10600, 1.5V, CAS Supported: 6 7 8 9 PC4-19200, 1.2V, CAS Supported: 10 11 12 13 14 15 16 17 18
Тайминги / частота

7-7-7-20 / 1333 MHz 15-15-15, 16-16-16, 17-17-17, 18-18-18 / 2400 MHz
Рейтинг PassMark (Чем больше тем лучше)

2269 2903

Калькулятор задержки (latency) памяти (RAM)

Рассчитать скорость работы памяти RAM в нс

RAM 1

CAS Latency (CL) *

Frequency (Mhz) *

Absolute Latency

0 ns

RAM 2

CAS Latency (CL) *

Frequency (Mhz) *

Absolute Latency

0 ns

Последние сравнения

Patriot Memory (PDP Systems) PSD34G16002 4GB

Patriot Memory (PDP Systems) PSD34G16002 4GB

Kingston KF3733C19D4/16GX 16GB

Kingston KF3733C19D4/16GX 16GB

модули RAM

Micron Technology 16JSF25664HZ-1G1F1 2GB

Micron Technology 16JSF25664HZ-1G1F1 2GB

Corsair CMW32GX4M2C3200C16 16GB

Corsair CMW32GX4M2C3200C16 16GB

модули RAM

Unifosa Corporation GU502203EP0201 1GB

Unifosa Corporation GU502203EP0201 1GB

Hynix Semiconductor (Hyundai Electronics) HMA451U6AFR8N-TF 4GB

Hynix Semiconductor (Hyundai Electronics) HMA451U6AFR8N

модули RAM

Samsung M393B1G70BH0-YK0 8GB

Samsung M393B1G70BH0-YK0 8GB

G Skill Intl F4-3200C16-8GRS 8GB

G Skill Intl F4-3200C16-8GRS 8GB

модули RAM

Samsung M3 78T2863QZS-CF7 1GB

Samsung M3 78T2863QZS-CF7 1GB

Kllisre M378A5143EB2-CRC 4GB

Kllisre M378A5143EB2-CRC 4GB

модули RAM

Nanya Technology NT4GC64B8HG0NS-CG 4GB

Nanya Technology NT4GC64B8HG0NS-CG 4GB

Patriot Memory (PDP Systems) PSD416G26662 16GB

Patriot Memory (PDP Systems) PSD416G26662 16GB

модули RAM

Crucial Technology CT51264BD1339.M16F 4GB

Crucial Technology CT51264BD1339.M16F 4GB

Kingston KHX2400C14D4/16G 16GB

Kingston KHX2400C14D4/16G 16GB

модули RAM

SK Hynix HYMP112U64CP8-S5 1GB

SK Hynix HYMP112U64CP8-S5 1GB

Crucial Technology CT8G4DFD824A.M16FF 8GB

Crucial Technology CT8G4DFD824A.M16FF 8GB

модули RAM

Kingston 9905403-437.A01LF 4GB

Kingston 9905403-437.A01LF 4GB

Ramaxel Technology RMSA3300ME78HBF-2666 16GB

Ramaxel Technology RMSA3300ME78HBF-2666 16GB

модули RAM

Samsung M3 93T5750CZA-CE6 2GB

Samsung M3 93T5750CZA-CE6 2GB

Wilk Elektronik S.A. GR2666D464L19S/4G 4GB

Wilk Elektronik S.A. GR2666D464L19S/4G 4GB

модули RAM

Kingston 9965525-140.A00LF 8GB

Kingston 9965525-140.A00LF 8GB

Crucial Technology BLS4G4D240FSB.8FBD 4GB

Crucial Technology BLS4G4D240FSB.8FBD 4GB

модули RAM

Patriot Memory (PDP Systems) 1866 CL9 Series 4GB

Patriot Memory (PDP Systems) 1866 CL9 Series 4GB

G Skill Intl F4-3000C15-4GRR 4GB

G Skill Intl F4-3000C15-4GRR 4GB

модули RAM

Kingston 9905403-447.A00LF 4GB

Kingston 9905403-447.A00LF 4GB

Crucial Technology CT4G4DFS824A.C8FE 4GB

Crucial Technology CT4G4DFS824A.C8FE 4GB

модули RAM

Corsair CMD8GX3M2A2933C12 4GB

Corsair CMD8GX3M2A2933C12 4GB

G Skill Intl F4-3466C16-4GTZ 4GB

G Skill Intl F4-3466C16-4GTZ 4GB

модули RAM