RAM
DDR5
DDR4
DDR3
DDR2
О сайте
Menu
RAMs
RAM
DDR5
DDR4
DDR3
DDR2
О сайте
Русский
English
Español
Português
Deutsch
Français
Italiano
Polski
中文
日本語
Samsung M378B5173EB0-CK0 4GB
Chun Well Technology Holding Limited CL16-20-20 D4-3200 32GB
Сравнить
Samsung M378B5173EB0-CK0 4GB против Chun Well Technology Holding Limited CL16-20-20 D4-3200 32GB
-->
Средняя оценка
Samsung M378B5173EB0-CK0 4GB
Средняя оценка
Chun Well Technology Holding Limited CL16-20-20 D4-3200 32GB
Различия
Спецификации
Комментарии
Различия
Причины выбрать
Samsung M378B5173EB0-CK0 4GB
Сообщить об ошибке
Причины выбрать
Chun Well Technology Holding Limited CL16-20-20 D4-3200 32GB
Сообщить об ошибке
Ниже задержка в тестах PassMark, нс
30
42
Около -40% меньшая задержка
Выше скорость чтения
17.6
13.9
Среднее значение в тестах
Выше скорость записи
13.9
8.1
Среднее значение в тестах
Выше пропускная способность
17000
12800
Около 1.33 выше полоса пропускания
Спецификации
Полный список технических характеристик
Samsung M378B5173EB0-CK0 4GB
Chun Well Technology Holding Limited CL16-20-20 D4-3200 32GB
Основные характеристики
Тип памяти
DDR3
DDR4
Задержка в PassMark, нс
42
30
Скорость чтения, Гб/сек
13.9
17.6
Скорость записи, Гб/сек
8.1
13.9
Пропускная способность памяти, мбит/сек
12800
17000
Other
Описание
PC3-12800, 1.5V, CAS Supported: 6 7 8 9 10 11
PC4-17000, 1.2V, CAS Supported: 14 15 16
Тайминги / частота
9-9-9-24 / 1600 MHz
14-14-14, 15-15-15, 16-16-16 / 2133 MHz
Рейтинг PassMark (Чем больше тем лучше)
2150
3473
Samsung M378B5173EB0-CK0 4GB Сравнения RAM
Crucial Technology CT51264BA1339.M16F 4GB
Essencore Limited KD48GU880-26N160T 8GB
Chun Well Technology Holding Limited CL16-20-20 D4-3200 32GB Сравнения RAM
Micron Technology 8ATF2G64HZ-3G2E2 16GB
SK Hynix HMA82GS6CJR8N-VK 16GB
Калькулятор задержки (latency) памяти (RAM)
Рассчитать скорость работы памяти RAM в нс
RAM 1
CAS Latency (CL) *
Frequency (Mhz) *
calculate
Absolute Latency
0 ns
RAM 2
CAS Latency (CL) *
Frequency (Mhz) *
calculate
Absolute Latency
0 ns
Последние сравнения
Samsung M378B5173EB0-CK0 4GB
Chun Well Technology Holding Limited CL16-20-20 D4-3200
Unifosa Corporation GU332G0ALEPR8H2C6F 2GB
Avant Technology J641GU48J5213NG 8GB
Samsung M393B5270CH0-CH9 4GB
Corsair CMT64GX4M8X3600C18 8GB
Samsung M393B5170FH0-CK0 4GB
Gloway International (HK) STK2400CL17SNB16GB 16GB
Patriot Memory (PDP Systems) PSD34G16002 4GB
Corsair CMU32GX4M4C3400C16 8GB
Samsung M378B5173EB0-CK0 4GB
Hoodisk Electronics Co Ltd GKE160SO102408-2400 16GB
Smart Modular SH564128FH8NZQNSCG 4GB
Corsair CM4X8GF2666C18S2 8GB
Kingston KVR16N11/8-SP 8GB
Kingmax Semiconductor GLLH22F-18KCGA------ 16GB
Kingston ACR512X64D3S13C9G 4GB
AMD R744G2606U1S 4GB
Kingston ACR16D3LS1KNG/4G 4GB
Thermaltake Technology Co Ltd R017D408GX2-3600C18A 8GB
TwinMOS 8DHE3MN8-HATP 2GB
Corsair CMK16GX4M4C3200C15 4GB
Smart Modular SH564128FH8NZQNSCG 4GB
Kingston KHX2400C15D4/8G 8GB
Kingston 9905584-016.A00LF 4GB
Samsung M471A1K43BB0-CPB 8GB
Crucial Technology CT51264BD160B.C16F 4GB
Wilk Elektronik S.A. GY2666D464L16S/8G 8GB
Сообщить об ошибке
×
Bug description
Source link