RAM
DDR5
DDR4
DDR3
DDR2
О сайте
Menu
RAMs
RAM
DDR5
DDR4
DDR3
DDR2
О сайте
Русский
English
Español
Português
Deutsch
Français
Italiano
Polski
中文
日本語
Samsung M378B5173EB0-CK0 4GB
Crucial Technology CT8G4SFS824A.M8FB 8GB
Сравнить
Samsung M378B5173EB0-CK0 4GB против Crucial Technology CT8G4SFS824A.M8FB 8GB
-->
Средняя оценка
Samsung M378B5173EB0-CK0 4GB
Средняя оценка
Crucial Technology CT8G4SFS824A.M8FB 8GB
Различия
Спецификации
Комментарии
Различия
Причины выбрать
Samsung M378B5173EB0-CK0 4GB
Сообщить об ошибке
Причины выбрать
Crucial Technology CT8G4SFS824A.M8FB 8GB
Сообщить об ошибке
Ниже задержка в тестах PassMark, нс
34
42
Около -24% меньшая задержка
Выше скорость чтения
15.3
13.9
Среднее значение в тестах
Выше скорость записи
11.1
8.1
Среднее значение в тестах
Выше пропускная способность
19200
12800
Около 1.5 выше полоса пропускания
Спецификации
Полный список технических характеристик
Samsung M378B5173EB0-CK0 4GB
Crucial Technology CT8G4SFS824A.M8FB 8GB
Основные характеристики
Тип памяти
DDR3
DDR4
Задержка в PassMark, нс
42
34
Скорость чтения, Гб/сек
13.9
15.3
Скорость записи, Гб/сек
8.1
11.1
Пропускная способность памяти, мбит/сек
12800
19200
Other
Описание
PC3-12800, 1.5V, CAS Supported: 6 7 8 9 10 11
PC4-19200, 1.2V, CAS Supported: 10 11 12 13 14 15 16 17 18 19 20 21
Тайминги / частота
9-9-9-24 / 1600 MHz
15-15-15, 16-16-16, 17-17-17, 18-18-18 / 2400 MHz
Рейтинг PassMark (Чем больше тем лучше)
2150
2659
Samsung M378B5173EB0-CK0 4GB Сравнения RAM
Crucial Technology CT51264BA1339.M16F 4GB
Essencore Limited KD48GU880-26N160T 8GB
Crucial Technology CT8G4SFS824A.M8FB 8GB Сравнения RAM
Hoodisk Electronics Co Ltd GKE160SO102408-2666 16GB
Crucial Technology BLS4G4D240FSE.8FBD 4GB
Калькулятор задержки (latency) памяти (RAM)
Рассчитать скорость работы памяти RAM в нс
RAM 1
CAS Latency (CL) *
Frequency (Mhz) *
calculate
Absolute Latency
0 ns
RAM 2
CAS Latency (CL) *
Frequency (Mhz) *
calculate
Absolute Latency
0 ns
Последние сравнения
Crucial Technology BLS4G4D240FSE.8FBD 4GB
Crucial Technology BLS16G4D240FSE.16FBD 16GB
Samsung M378B5173EB0-CK0 4GB
Crucial Technology CT8G4SFS824A.M8FB 8GB
Kingston 99U5584-004.A00LF 4GB
Samsung M471A2K43BB1-CTD 16GB
TwinMOS 8DPT5MK8-TATP 2GB
Micron Technology CT8G4DFD8213.16FA11 8GB
Kingston 99U5584-005.A00LF 4GB
Kingston K821PJ-MIB 16GB
Samsung M391B5673EH1-CH9 2GB
Kingston MSI26D4S9D8ME-16 16GB
Crucial Technology CT51264BD160B.C16F 4GB
G Skill Intl F4-4600C18-8GTZR 8GB
Crucial Technology BLS8G3N18AES4.16FE 8GB
G Skill Intl F4-3200C16-16GTZN 16GB
G Skill Intl F3-10600CL9-2GBNT 2GB
Kingston HP32D4U8S8ME-8X 8GB
Ramaxel Technology RMR5040ED58E9W1600 4GB
SK Hynix HMA81GS6CJR8N-XN 8GB
Crucial Technology CT51264AC800.C16FC 4GB
G Skill Intl F4-3200C22-8GRS 8GB
Hynix Semiconductor (Hyundai Electronics) GKE160SO10240
Kingston 9905702-121.A00G 8GB
Crucial Technology CT51264AC800.C16FC 4GB
G Skill Intl F4-4000C16-16GTZRA 16GB
G Skill Intl F2-8500CL5-2GBPI 2GB
Team Group Inc. Team-Elite-2400 4GB
Сообщить об ошибке
×
Bug description
Source link