RAM
DDR5
DDR4
DDR3
DDR2
О сайте
Menu
RAMs
RAM
DDR5
DDR4
DDR3
DDR2
О сайте
Русский
English
Español
Português
Deutsch
Français
Italiano
Polski
中文
日本語
Samsung M378B5273CH0-CH9 4GB
G Skill Intl F4-3200C16-8GTZRX 8GB
Сравнить
Samsung M378B5273CH0-CH9 4GB против G Skill Intl F4-3200C16-8GTZRX 8GB
-->
Средняя оценка
Samsung M378B5273CH0-CH9 4GB
Средняя оценка
G Skill Intl F4-3200C16-8GTZRX 8GB
Различия
Спецификации
Комментарии
Различия
Причины выбрать
Samsung M378B5273CH0-CH9 4GB
Сообщить об ошибке
Причины выбрать
G Skill Intl F4-3200C16-8GTZRX 8GB
Сообщить об ошибке
Ниже задержка в тестах PassMark, нс
28
37
Около -32% меньшая задержка
Выше скорость чтения
19.2
13.2
Среднее значение в тестах
Выше скорость записи
15.4
8.4
Среднее значение в тестах
Выше пропускная способность
17000
10600
Около 1.6 выше полоса пропускания
Спецификации
Полный список технических характеристик
Samsung M378B5273CH0-CH9 4GB
G Skill Intl F4-3200C16-8GTZRX 8GB
Основные характеристики
Тип памяти
DDR3
DDR4
Задержка в PassMark, нс
37
28
Скорость чтения, Гб/сек
13.2
19.2
Скорость записи, Гб/сек
8.4
15.4
Пропускная способность памяти, мбит/сек
10600
17000
Other
Описание
PC3-10600, 1.5V, CAS Supported: 6 7 8 9
PC4-17000, 1.2V, CAS Supported: 10 11 12 13 14 15 16
Тайминги / частота
7-7-7-20 / 1333 MHz
14-14-14, 15-15-15, 16-16-16 / 2133 MHz
Рейтинг PassMark (Чем больше тем лучше)
2143
3609
Samsung M378B5273CH0-CH9 4GB Сравнения RAM
Ramaxel Technology RMR1870EC58E9F1333 4GB
Golden Empire CL15-15-15 D4-2133 8GB
G Skill Intl F4-3200C16-8GTZRX 8GB Сравнения RAM
Hoodisk Electronics Co Ltd GKE160SO102408-2666 16GB
Crucial Technology BLS4G4D240FSE.8FBD 4GB
Калькулятор задержки (latency) памяти (RAM)
Рассчитать скорость работы памяти RAM в нс
RAM 1
CAS Latency (CL) *
Frequency (Mhz) *
calculate
Absolute Latency
0 ns
RAM 2
CAS Latency (CL) *
Frequency (Mhz) *
calculate
Absolute Latency
0 ns
Последние сравнения
SanMax Technologies Inc. SMD4-E16G48ME-26V 16GB
G Skill Intl F4-3000C15-16GVR 16GB
Patriot Memory (PDP Systems) PSD22G8002 2GB
Avexir Technologies Corporation DDR4-2400 CL16 16GB 16G
Samsung M471B5773DH0-CK0 2GB
G Skill Intl F4-3000C16-16GTZR 16GB
Crucial Technology CT51264BD1339.M16F 4GB
Hewlett-Packard 7EH61AA# 8GB
Samsung M471B1G73BH0-YK0 8GB
Corsair CMK32GX4M2C3000C16 16GB
Kingmax Semiconductor FLGF65F-C8KJ9A 4GB
Ramaxel Technology RMSA3260ME78HAF-2666 8GB
Hynix Semiconductor (Hyundai Electronics) HMT41GU6BFR8C
Crucial Technology CT8G4SFS8213.C8FH1 8GB
Kingston KHX2133C11D3/4GX 4GB
G Skill Intl F4-4000C16-16GVK 16GB
A-DATA Technology DQVE1908 512MB
G Skill Intl F4-2400C16-16GFT 16GB
Smart Modular SG564568FG8N6KF-Z2 2GB
Ramaxel Technology RMSA3310MJ86H9F-3200 4GB
Kingston HP16D3LS1KBGH/4G 4GB
Kingston KHX2666C13/16GX 16GB
Samsung M3 78T3354BZ0-CCC 256MB
Wilk Elektronik S.A. IR2400D464L17S/8G 8GB
SK Hynix HMA451U6AFR8N-TF 4GB
G Skill Intl F4-3300C16-8GTZ 8GB
Kingmax Semiconductor FLGF65F-C8KJ9A 4GB
Hynix Semiconductor (Hyundai Electronics) HMA41GU6MFR8N
Сообщить об ошибке
×
Bug description
Source link