RAM
DDR5
DDR4
DDR3
DDR2
О сайте
Menu
RAMs
RAM
DDR5
DDR4
DDR3
DDR2
О сайте
Русский
English
Español
Português
Deutsch
Français
Italiano
Polski
中文
日本語
Samsung M378B5273CH0-CH9 4GB
Wilk Elektronik S.A. IRP3600D4V64L18/16G 16GB
Сравнить
Samsung M378B5273CH0-CH9 4GB против Wilk Elektronik S.A. IRP3600D4V64L18/16G 16GB
-->
Средняя оценка
Samsung M378B5273CH0-CH9 4GB
Средняя оценка
Wilk Elektronik S.A. IRP3600D4V64L18/16G 16GB
Различия
Спецификации
Комментарии
Различия
Причины выбрать
Samsung M378B5273CH0-CH9 4GB
Сообщить об ошибке
Причины выбрать
Wilk Elektronik S.A. IRP3600D4V64L18/16G 16GB
Сообщить об ошибке
Ниже задержка в тестах PassMark, нс
36
37
Около -3% меньшая задержка
Выше скорость чтения
19.4
13.2
Среднее значение в тестах
Выше скорость записи
13.9
8.4
Среднее значение в тестах
Выше пропускная способность
17000
10600
Около 1.6 выше полоса пропускания
Спецификации
Полный список технических характеристик
Samsung M378B5273CH0-CH9 4GB
Wilk Elektronik S.A. IRP3600D4V64L18/16G 16GB
Основные характеристики
Тип памяти
DDR3
DDR4
Задержка в PassMark, нс
37
36
Скорость чтения, Гб/сек
13.2
19.4
Скорость записи, Гб/сек
8.4
13.9
Пропускная способность памяти, мбит/сек
10600
17000
Other
Описание
PC3-10600, 1.5V, CAS Supported: 6 7 8 9
PC4-17000, 1.2V, CAS Supported: 9 10 11 12 13 14 15 16
Тайминги / частота
7-7-7-20 / 1333 MHz
14-14-14, 15-15-15, 16-16-16 / 2133 MHz
Рейтинг PassMark (Чем больше тем лучше)
2143
3351
Samsung M378B5273CH0-CH9 4GB Сравнения RAM
Ramaxel Technology RMR1870EC58E9F1333 4GB
Golden Empire CL15-15-15 D4-2133 8GB
Wilk Elektronik S.A. IRP3600D4V64L18/16G 16GB Сравнения RAM
AMD AE34G1601U1 4GB
A-DATA Technology AM2U16BC4P2-B05B 4GB
Калькулятор задержки (latency) памяти (RAM)
Рассчитать скорость работы памяти RAM в нс
RAM 1
CAS Latency (CL) *
Frequency (Mhz) *
calculate
Absolute Latency
0 ns
RAM 2
CAS Latency (CL) *
Frequency (Mhz) *
calculate
Absolute Latency
0 ns
Последние сравнения
SK Hynix HMT451S6BFR8A-PB 4GB
Samsung M471A2K43EB1-CTD 16GB
Nanya Technology M2Y51264TU88B0B-3C 512MB
Crucial Technology CT16G4SFD824A.C16FBR 16GB
A-DATA Technology AD73I1C1674EV 4GB
Samsung M471A2G43AB2-CWE 16GB
Samsung M393B1K70CH0-CH9 8GB
SK Hynix HMA451U6AFR8N-TF 4GB
SK Hynix HMT351S6BFR8C-H9 4GB
Corsair CMSX8GX4M2A2400C16 4GB
Protocol Engines Kingrock 800 2GB 2GB
Shanghai Kuxin Microelectronics Ltd NMUD440D82-2400E 4G
TwinMOS 8DHE3MN8-HATP 2GB
Samsung M471A5143DB0-CPB 4GB
Samsung M471B5673FH0-CF8 2GB
G Skill Intl F4-2400C17-8GNT 8GB
Ramaxel Technology RMT3170EB68F9W1600 4GB
Essencore Limited IM44GU48N26-GIIHA0 4GB
Samsung M393B5170FH0-CK0 4GB
Corsair CMW16GX4M2Z4600C18 8GB
Nanya Technology M2F8G64CB8HC9N-DI 8GB
Kingston 9905712-010.A00G 16GB
Kingston KHX2800C14D4/8GX 8GB
Corsair CMK16GX4M2B3333C16 8GB
STEC (Silicon Tech) S1024R3NN2QK-I 1GB
Corsair CMW128GX4M4E3200C16 32GB
Kingston ACR256X64D3S1333C9 2GB
Crucial Technology CT4G4SFS8213.C8FADP 4GB
Сообщить об ошибке
×
Bug description
Source link