Samsung M378B5273EB0-CK0 4GB
AMD R538G1601U2S 8GB

Samsung M378B5273EB0-CK0 4GB против AMD R538G1601U2S 8GB

-->
Средняя оценка
star star star star star
Samsung M378B5273EB0-CK0 4GB

Samsung M378B5273EB0-CK0 4GB

Средняя оценка
star star star star star
AMD R538G1601U2S 8GB

AMD R538G1601U2S 8GB

Различия

  • Ниже задержка в тестах PassMark, нс
    19 left arrow 37
    Около -95% меньшая задержка
  • Выше скорость чтения
    18.4 left arrow 14.6
    Среднее значение в тестах
  • Выше скорость записи
    12.3 left arrow 9.6
    Среднее значение в тестах

Спецификации

Полный список технических характеристик
Samsung M378B5273EB0-CK0 4GB
AMD R538G1601U2S 8GB
Основные характеристики
  • Тип памяти
    DDR3 left arrow DDR3
  • Задержка в PassMark, нс
    37 left arrow 19
  • Скорость чтения, Гб/сек
    14.6 left arrow 18.4
  • Скорость записи, Гб/сек
    9.6 left arrow 12.3
  • Пропускная способность памяти, мбит/сек
    12800 left arrow 12800
Other
  • Описание
    PC3-12800, 1.5V, CAS Supported: 6 7 8 9 10 11 left arrow PC3-12800, 1.5V, CAS Supported: 5 6 7 8 9 10 11
  • Тайминги / частота
    9-9-9-24 / 1600 MHz left arrow 9-9-9-24 / 1600 MHz
  • Рейтинг PassMark (Чем больше тем лучше)
    2409 left arrow 3189
Калькулятор задержки (latency) памяти (RAM)
Рассчитать скорость работы памяти RAM в нс
RAM 1
RAM 2

Последние сравнения