RAM
DDR5
DDR4
DDR3
DDR2
О сайте
Menu
RAMs
RAM
DDR5
DDR4
DDR3
DDR2
О сайте
Русский
English
Español
Português
Deutsch
Français
Italiano
Polski
中文
日本語
Samsung M378B5673EH1-CF8 2GB
A-DATA Technology AO2P24HCST2-BTVS 16GB
Сравнить
Samsung M378B5673EH1-CF8 2GB против A-DATA Technology AO2P24HCST2-BTVS 16GB
-->
Средняя оценка
Samsung M378B5673EH1-CF8 2GB
Средняя оценка
A-DATA Technology AO2P24HCST2-BTVS 16GB
Различия
Спецификации
Комментарии
Различия
Причины выбрать
Samsung M378B5673EH1-CF8 2GB
Сообщить об ошибке
Причины выбрать
A-DATA Technology AO2P24HCST2-BTVS 16GB
Сообщить об ошибке
Ниже задержка в тестах PassMark, нс
23
28
Около -22% меньшая задержка
Выше скорость чтения
17.9
12.7
Среднее значение в тестах
Выше скорость записи
13.5
7.5
Среднее значение в тестах
Выше пропускная способность
19200
8500
Около 2.26 выше полоса пропускания
Спецификации
Полный список технических характеристик
Samsung M378B5673EH1-CF8 2GB
A-DATA Technology AO2P24HCST2-BTVS 16GB
Основные характеристики
Тип памяти
DDR3
DDR4
Задержка в PassMark, нс
28
23
Скорость чтения, Гб/сек
12.7
17.9
Скорость записи, Гб/сек
7.5
13.5
Пропускная способность памяти, мбит/сек
8500
19200
Other
Описание
PC3-8500, 1.5V, CAS Supported: 6 7 8
PC4-19200, 1.2V, CAS Supported: 10 11 12 13 14 15 16 17 18
Тайминги / частота
7-7-7-20 / 1066 MHz
15-15-15, 16-16-16, 17-17-17, 18-18-18 / 2400 MHz
Рейтинг PassMark (Чем больше тем лучше)
1988
3232
Samsung M378B5673EH1-CF8 2GB Сравнения RAM
Nanya Technology M2X4G64CB8HG5N-DG 4GB
Kingston 9905403-831.A00LF 8GB
A-DATA Technology AO2P24HCST2-BTVS 16GB Сравнения RAM
Crucial Technology BLS4G4D240FSE.8FBD 4GB
Hoodisk Electronics Co Ltd GKE160SO102408-2666 16GB
Калькулятор задержки (latency) памяти (RAM)
Рассчитать скорость работы памяти RAM в нс
RAM 1
CAS Latency (CL) *
Frequency (Mhz) *
calculate
Absolute Latency
0 ns
RAM 2
CAS Latency (CL) *
Frequency (Mhz) *
calculate
Absolute Latency
0 ns
Последние сравнения
SK Hynix HMT325U6CFR8C-PB 2GB
Kingston XN205T-MIE 16GB
Samsung M471B5273DH0-CK0 4GB
Kingston KHX2400C15D4/4G 4GB
Nanya Technology NT4GC64B8HG0NS-CG 4GB
Micron Technology 72ASS4G72LZ-2G1A1 32GB
SK Hynix HMT451S6BFR8A-PB 4GB
Golden Empire CL16-18-18 D4-3400 4GB
Kingston KHX2666C16D4/16GX 16GB
Corsair CMK16GX4M1A2666C16 16GB
Apacer Technology 78.01G86.9H50C 1GB
MemxPro Inc. D4S8GHIOFFC 8GB
Samsung M3 78T5663RZ3-CE6 2GB
Kingston KHX3200C18D4/16G 16GB
Samsung M3 93T5750CZA-CE6 2GB
G Skill Intl F4-3866C18-8GTZSW 8GB
Kingston 99U5471-052.A00LF 8GB
Kingston CBD26D4S9D8ME-16 16GB
Hynix Semiconductor (Hyundai Electronics) GKE160SO10240
G Skill Intl F4-3400C16-16GVR 16GB
Kingston 99U5584-004.A00LF 4GB
Kingston KHX3466C19D4/16G 16GB
Kingston 99U5429-014.A00LF 4GB
Samsung SF4721G4CKHH6DFSDS 8GB
G Skill Intl F3-1866C8-8GTX 8GB
Samsung M393A2K43BB1-CRC 16GB
Wilk Elektronik S.A. GY1866D364L9A/4G 4GB
Panram International Corporation PUD42133C154G2VS 4GB
Сообщить об ошибке
×
Bug description
Source link