RAM
DDR5
DDR4
DDR3
DDR2
О сайте
Menu
RAMs
RAM
DDR5
DDR4
DDR3
DDR2
О сайте
Русский
English
Español
Português
Deutsch
Français
Italiano
Polski
中文
日本語
Samsung M378B5673EH1-CF8 2GB
Corsair CMW16GX4M2K4266C19 8GB
Сравнить
Samsung M378B5673EH1-CF8 2GB против Corsair CMW16GX4M2K4266C19 8GB
-->
Средняя оценка
Samsung M378B5673EH1-CF8 2GB
Средняя оценка
Corsair CMW16GX4M2K4266C19 8GB
Различия
Спецификации
Комментарии
Различия
Причины выбрать
Samsung M378B5673EH1-CF8 2GB
Сообщить об ошибке
Причины выбрать
Corsair CMW16GX4M2K4266C19 8GB
Сообщить об ошибке
Ниже задержка в тестах PassMark, нс
23
28
Около -22% меньшая задержка
Выше скорость чтения
19
12.7
Среднее значение в тестах
Выше скорость записи
16.5
7.5
Среднее значение в тестах
Выше пропускная способность
17000
8500
Около 2 выше полоса пропускания
Спецификации
Полный список технических характеристик
Samsung M378B5673EH1-CF8 2GB
Corsair CMW16GX4M2K4266C19 8GB
Основные характеристики
Тип памяти
DDR3
DDR4
Задержка в PassMark, нс
28
23
Скорость чтения, Гб/сек
12.7
19.0
Скорость записи, Гб/сек
7.5
16.5
Пропускная способность памяти, мбит/сек
8500
17000
Other
Описание
PC3-8500, 1.5V, CAS Supported: 6 7 8
PC4-17000, 1.2V, CAS Supported: 7 8 9 10 11 12 13 14 15 16 17 18 19 20 21 22 23 24
Тайминги / частота
7-7-7-20 / 1066 MHz
14-14-14, 15-15-15, 16-16-16 / 2133 MHz
Рейтинг PassMark (Чем больше тем лучше)
1988
3827
Samsung M378B5673EH1-CF8 2GB Сравнения RAM
Nanya Technology M2X4G64CB8HG5N-DG 4GB
Kingston 9905403-831.A00LF 8GB
Corsair CMW16GX4M2K4266C19 8GB Сравнения RAM
Crucial Technology BLS4G4D240FSE.8FBD 4GB
Hoodisk Electronics Co Ltd GKE160SO102408-2666 16GB
Калькулятор задержки (latency) памяти (RAM)
Рассчитать скорость работы памяти RAM в нс
RAM 1
CAS Latency (CL) *
Frequency (Mhz) *
calculate
Absolute Latency
0 ns
RAM 2
CAS Latency (CL) *
Frequency (Mhz) *
calculate
Absolute Latency
0 ns
Последние сравнения
Crucial Technology BLE4G3D1608DE1TX0. 4GB
Apacer Technology 78.D1GS7.B7B0B 16GB
Kingmax Semiconductor FLGF65F-C8KJ9A 4GB
Micron Technology 18ASF1G72PDZ-2G6E1 8GB
Patriot Memory (PDP Systems) 1866 CL9 Series 4GB
A-DATA Technology AO1P32NC8T1-BCIS 8GB
Corsair CMY16GX3M4A2133C8 4GB
Crucial Technology BL8G30C15U4B.8FE 8GB
Mushkin 991679ES 996679ES 2GB
G Skill Intl F4-3600C19-16GSXWB 16GB
Micron Technology 16JTF51264HZ-1G6M1 4GB
Wilk Elektronik S.A. GR2666S464L19S/8G 8GB
Samsung M393B1G70BH0-YK0 8GB
Crucial Technology BL32G32C16U4B.M16FB1 32GB
Samsung M471B5673FH0-CF8 2GB
Hynix Semiconductor (Hyundai Electronics) HMA84GL7MMR4N
Unifosa Corporation GU332G0ALEPR8H2C6F 2GB
Kingston KST-2133MHZ-4G 4GB
Elpida EBJ21UE8BDF0-DJ-F 2GB
G Skill Intl F4-2666C16-8GRB 8GB
SK Hynix HMA81GU6JJR8N-VK 8GB
Corsair CMK32GX4M2D3600C18 16GB
Corsair CML8GX3M1A1600C9 8GB
Crucial Technology BLS8G4S26BFSDK.8FBD 8GB
Nanya Technology M2F8G64CB8HC9N-DI 8GB
A-DATA Technology DDR4 2800 8GB
A-DATA Technology AM2U16BC4P2-B05B 4GB
Crucial Technology CT8G4DFD8213.C16FBR2 8GB
Сообщить об ошибке
×
Bug description
Source link