RAM
DDR5
DDR4
DDR3
DDR2
О сайте
Menu
RAMs
RAM
DDR5
DDR4
DDR3
DDR2
О сайте
Русский
English
Español
Português
Deutsch
Français
Italiano
Polski
中文
日本語
Samsung M378B5673EH1-CF8 2GB
Crucial Technology CT4G4DFS824A.M8FB 4GB
Сравнить
Samsung M378B5673EH1-CF8 2GB против Crucial Technology CT4G4DFS824A.M8FB 4GB
-->
Средняя оценка
Samsung M378B5673EH1-CF8 2GB
Средняя оценка
Crucial Technology CT4G4DFS824A.M8FB 4GB
Различия
Спецификации
Комментарии
Различия
Причины выбрать
Samsung M378B5673EH1-CF8 2GB
Сообщить об ошибке
Причины выбрать
Crucial Technology CT4G4DFS824A.M8FB 4GB
Сообщить об ошибке
Ниже задержка в тестах PassMark, нс
22
28
Около -27% меньшая задержка
Выше скорость чтения
17
12.7
Среднее значение в тестах
Выше скорость записи
12.2
7.5
Среднее значение в тестах
Выше пропускная способность
19200
8500
Около 2.26 выше полоса пропускания
Спецификации
Полный список технических характеристик
Samsung M378B5673EH1-CF8 2GB
Crucial Technology CT4G4DFS824A.M8FB 4GB
Основные характеристики
Тип памяти
DDR3
DDR4
Задержка в PassMark, нс
28
22
Скорость чтения, Гб/сек
12.7
17.0
Скорость записи, Гб/сек
7.5
12.2
Пропускная способность памяти, мбит/сек
8500
19200
Other
Описание
PC3-8500, 1.5V, CAS Supported: 6 7 8
PC4-19200, 1.2V, CAS Supported: 10 11 12 13 14 15 16 17 18 19 20 21
Тайминги / частота
7-7-7-20 / 1066 MHz
15-15-15, 16-16-16, 17-17-17, 18-18-18 / 2400 MHz
Рейтинг PassMark (Чем больше тем лучше)
1988
2646
Samsung M378B5673EH1-CF8 2GB Сравнения RAM
Nanya Technology M2X4G64CB8HG5N-DG 4GB
Kingston 9905403-831.A00LF 8GB
Crucial Technology CT4G4DFS824A.M8FB 4GB Сравнения RAM
Hoodisk Electronics Co Ltd GKE160SO102408-2666 16GB
Kreton Corporation 51624xxxx68x35xxxx 2GB
Калькулятор задержки (latency) памяти (RAM)
Рассчитать скорость работы памяти RAM в нс
RAM 1
CAS Latency (CL) *
Frequency (Mhz) *
calculate
Absolute Latency
0 ns
RAM 2
CAS Latency (CL) *
Frequency (Mhz) *
calculate
Absolute Latency
0 ns
Последние сравнения
Corsair CMX4GX3M2A1600C9 2GB
Hynix Semiconductor (Hyundai Electronics) HMA81GS6AFR8N
Corsair CMZ16GX3M2A1866C9 8GB
Samsung M474A4G43MB1-CTD 32GB
Kingston HX318C10FK/4 4GB
Team Group Inc. Dark-1600 4GB
SK Hynix HMA451U6AFR8N-TF 4GB
Kingston KTP9W1-MIE 16GB
Patriot Memory (PDP Systems) 1866 CL9 Series 4GB
Corsair CMW64GX4M8A2666C16 8GB
G Skill Intl F3-1866C8-8GTX 8GB
Hynix Semiconductor (Hyundai Electronics) HMA82GR7AFR8N
Samsung M471B5673FH0-CF8 2GB
Micron Technology 16G3200CL22 16GB
Samsung M378B5673EH1-CF8 2GB
Crucial Technology CT4G4DFS824A.M8FB 4GB
Crucial Technology CT51264BD160B.C16F 4GB
Kingston MSI24D4S7S8MB-8 8GB
AMD R534G1601U1S-UO 4GB
Crucial Technology CT8G4SFS8213.M8FB 8GB
SK Hynix HMT325U6CFR8C-PB 2GB
G Skill Intl F4-3200C14-8GTZSW 8GB
Corsair CMY16GX3M4A2133C8 4GB
Asgard VMA44UG-MEC1U2AW1 8GB
Crucial Technology CT25664BA160B.C16F 2GB
Corsair CMK64GX4M2D3600C18 32GB
Samsung M378A1G43DB0-CPB 8GB
V-GEN D4H8GL26A8TS6 8GB
Сообщить об ошибке
×
Bug description
Source link