RAM
DDR5
DDR4
DDR3
DDR2
О сайте
Menu
RAMs
RAM
DDR5
DDR4
DDR3
DDR2
О сайте
Русский
English
Español
Português
Deutsch
Français
Italiano
Polski
中文
日本語
Samsung M378B5673EH1-CF8 2GB
Crucial Technology CT8G4DFRA266.C8FE 8GB
Сравнить
Samsung M378B5673EH1-CF8 2GB против Crucial Technology CT8G4DFRA266.C8FE 8GB
-->
Средняя оценка
Samsung M378B5673EH1-CF8 2GB
Средняя оценка
Crucial Technology CT8G4DFRA266.C8FE 8GB
Различия
Спецификации
Комментарии
Различия
Причины выбрать
Samsung M378B5673EH1-CF8 2GB
Сообщить об ошибке
Ниже задержка в тестах PassMark, нс
28
33
Около 15% меньшая задержка
Причины выбрать
Crucial Technology CT8G4DFRA266.C8FE 8GB
Сообщить об ошибке
Выше скорость чтения
16.9
12.7
Среднее значение в тестах
Выше скорость записи
13.2
7.5
Среднее значение в тестах
Выше пропускная способность
21300
8500
Около 2.51 выше полоса пропускания
Спецификации
Полный список технических характеристик
Samsung M378B5673EH1-CF8 2GB
Crucial Technology CT8G4DFRA266.C8FE 8GB
Основные характеристики
Тип памяти
DDR3
DDR4
Задержка в PassMark, нс
28
33
Скорость чтения, Гб/сек
12.7
16.9
Скорость записи, Гб/сек
7.5
13.2
Пропускная способность памяти, мбит/сек
8500
21300
Other
Описание
PC3-8500, 1.5V, CAS Supported: 6 7 8
PC4-21300, 1.2V, CAS Supported: 10 12 13 14 15 16 17 18 19 20
Тайминги / частота
7-7-7-20 / 1066 MHz
17-17-17, 18-18-18, 19-19-19, 20-20-20 / 2666 MHz
Рейтинг PassMark (Чем больше тем лучше)
1988
3134
Samsung M378B5673EH1-CF8 2GB Сравнения RAM
Nanya Technology M2X4G64CB8HG5N-DG 4GB
Kingston 9905403-831.A00LF 8GB
Crucial Technology CT8G4DFRA266.C8FE 8GB Сравнения RAM
Crucial Technology BLS4G4D240FSE.8FBD 4GB
Kingston MSI26D4S9D8ME-16 16GB
Калькулятор задержки (latency) памяти (RAM)
Рассчитать скорость работы памяти RAM в нс
RAM 1
CAS Latency (CL) *
Frequency (Mhz) *
calculate
Absolute Latency
0 ns
RAM 2
CAS Latency (CL) *
Frequency (Mhz) *
calculate
Absolute Latency
0 ns
Последние сравнения
Samsung M378B5673FH0-CH9 2GB
Transcend Information TS512MLH64V4H 4GB
Samsung M378B5673EH1-CF8 2GB
Crucial Technology CT8G4DFRA266.C8FE 8GB
Crucial Technology CT51264BD1339.M16F 4GB
SK Hynix HMA82GS6DJR8N-WM 16GB
Samsung M471B5273DH0-CK0 4GB
Transcend Information JM3200HLE-32GK 16GB
Samsung M391B5673EH1-CH9 2GB
G Skill Intl F4-4400C19-8GTZSW 8GB
Kingston KF552C40-16 16GB
Essencore Limited KD48GS88A-26N1600 8GB
Patriot Memory (PDP Systems) PSD38G1600L2S 8GB
Crucial Technology BL8G36C16U4W.M8FE1 8GB
Crucial Technology CT51264BA1339.D16F 4GB
Kingston 9905744-027.A00G 16GB
A-DATA Technology DDR2 800G 2GB
Mushkin 99[2/7/4]209F 8GB
Crucial Technology CT51264BF160B.M16F 4GB
G Skill Intl F4-4266C17-16GTZRB 16GB
Super Talent STT-WB160CL0901 2GB
SK Hynix HMA81GS6AFR8N-VK 8GB
Unifosa Corporation GU332G0ALEPR8H2C6F 2GB
Kingston KHX2133C14S4/8G 8GB
Samsung M393B5170FH0-CK0 4GB
Crucial Technology BL8G32C16U4W.M8FE1 8GB
Kingston 9905471-006.A01LF 4GB
Micron Technology 8ATF1G64HZ-2G3E2 8GB
Сообщить об ошибке
×
Bug description
Source link