RAM
DDR5
DDR4
DDR3
DDR2
О сайте
Menu
RAMs
RAM
DDR5
DDR4
DDR3
DDR2
О сайте
Русский
English
Español
Português
Deutsch
Français
Italiano
Polski
中文
日本語
Samsung M378B5673EH1-CF8 2GB
G Skill Intl F4-2666C15-16GVR 16GB
Сравнить
Samsung M378B5673EH1-CF8 2GB против G Skill Intl F4-2666C15-16GVR 16GB
-->
Средняя оценка
Samsung M378B5673EH1-CF8 2GB
Средняя оценка
G Skill Intl F4-2666C15-16GVR 16GB
Различия
Спецификации
Комментарии
Различия
Причины выбрать
Samsung M378B5673EH1-CF8 2GB
Сообщить об ошибке
Ниже задержка в тестах PassMark, нс
28
30
Около 7% меньшая задержка
Причины выбрать
G Skill Intl F4-2666C15-16GVR 16GB
Сообщить об ошибке
Выше скорость чтения
16.8
12.7
Среднее значение в тестах
Выше скорость записи
13.4
7.5
Среднее значение в тестах
Выше пропускная способность
17000
8500
Около 2 выше полоса пропускания
Спецификации
Полный список технических характеристик
Samsung M378B5673EH1-CF8 2GB
G Skill Intl F4-2666C15-16GVR 16GB
Основные характеристики
Тип памяти
DDR3
DDR4
Задержка в PassMark, нс
28
30
Скорость чтения, Гб/сек
12.7
16.8
Скорость записи, Гб/сек
7.5
13.4
Пропускная способность памяти, мбит/сек
8500
17000
Other
Описание
PC3-8500, 1.5V, CAS Supported: 6 7 8
PC4-17000, 1.2V, CAS Supported: 10 11 12 13 14 15 16
Тайминги / частота
7-7-7-20 / 1066 MHz
14-14-14, 15-15-15, 16-16-16 / 2133 MHz
Рейтинг PassMark (Чем больше тем лучше)
1988
3386
Samsung M378B5673EH1-CF8 2GB Сравнения RAM
Nanya Technology M2X4G64CB8HG5N-DG 4GB
Kingston 9905403-831.A00LF 8GB
G Skill Intl F4-2666C15-16GVR 16GB Сравнения RAM
Kingston 99U5403-036.A00G 4GB
Hoodisk Electronics Co Ltd GKE160SO102408-2666 16GB
Калькулятор задержки (latency) памяти (RAM)
Рассчитать скорость работы памяти RAM в нс
RAM 1
CAS Latency (CL) *
Frequency (Mhz) *
calculate
Absolute Latency
0 ns
RAM 2
CAS Latency (CL) *
Frequency (Mhz) *
calculate
Absolute Latency
0 ns
Последние сравнения
Kingston 9965525-144.A00LF 8GB
Corsair CMK8GX4M2A2400C16 4GB
Hoodisk Electronics Co Ltd GKE160SO102408-2666 16GB
Kingston KF3200C20S4/8G 8GB
Corsair CMSX4GX3M1A1600C9 4GB
Samsung M393A1G40DB1-CRC 8GB
G Skill Intl F2-8500CL5-2GBPI 2GB
Samsung M393A8K40B21-CTC 64GB
Samsung M378B5673EH1-CF8 2GB
G Skill Intl F4-2666C15-16GVR 16GB
Kingston 9905403-156.A00LF 2GB
Micron Technology 72ASS4G72LZ-2G3A2 32GB
Samsung M395T2863QZ4-CF76 1GB
Smart Modular SF4641G8CK8IEHLSBG 8GB
Kingston 99U5403-465.A00LF 8GB
Corsair CMK8GX4M1Z3600C18 8GB
Kingston 9905403-444.A00LF 4GB
Essencore Limited IM4AGS88N24-FFFHA0 16GB
Kingston ACR256X64D3S1333C9 2GB
Crucial Technology CT8G4SFD8213.C16FBR2 8GB
G Skill Intl F2-5300CL4-1GBSA 1GB
Crucial Technology CT8G4DFS8213.C8FH1 8GB
Crucial Technology CT51264AC800.C16FC 4GB
Crucial Technology BLE8G4D36BEEAK.M8FE3 8GB
Corsair CMK32GX5M2B5600C36 16GB
Hynix Semiconductor (Hyundai Electronics) HMA451U7MFR8N
Ramos Technology RMB4GB58BCA3-13HC 4GB
G Skill Intl F4-3200C15-16GTZKW 16GB
Сообщить об ошибке
×
Bug description
Source link