RAM
DDR5
DDR4
DDR3
DDR2
О сайте
Menu
RAMs
RAM
DDR5
DDR4
DDR3
DDR2
О сайте
Русский
English
Español
Português
Deutsch
Français
Italiano
Polski
中文
日本語
Samsung M378B5673EH1-CF8 2GB
G Skill Intl F4-3000C14-8GTZR 8GB
Сравнить
Samsung M378B5673EH1-CF8 2GB против G Skill Intl F4-3000C14-8GTZR 8GB
-->
Средняя оценка
Samsung M378B5673EH1-CF8 2GB
Средняя оценка
G Skill Intl F4-3000C14-8GTZR 8GB
Различия
Спецификации
Комментарии
Различия
Причины выбрать
Samsung M378B5673EH1-CF8 2GB
Сообщить об ошибке
Причины выбрать
G Skill Intl F4-3000C14-8GTZR 8GB
Сообщить об ошибке
Ниже задержка в тестах PassMark, нс
26
28
Около -8% меньшая задержка
Выше скорость чтения
19.5
12.7
Среднее значение в тестах
Выше скорость записи
15.3
7.5
Среднее значение в тестах
Выше пропускная способность
17000
8500
Около 2 выше полоса пропускания
Спецификации
Полный список технических характеристик
Samsung M378B5673EH1-CF8 2GB
G Skill Intl F4-3000C14-8GTZR 8GB
Основные характеристики
Тип памяти
DDR3
DDR4
Задержка в PassMark, нс
28
26
Скорость чтения, Гб/сек
12.7
19.5
Скорость записи, Гб/сек
7.5
15.3
Пропускная способность памяти, мбит/сек
8500
17000
Other
Описание
PC3-8500, 1.5V, CAS Supported: 6 7 8
PC4-17000, 1.2V, CAS Supported: 10 11 12 13 14 15 16
Тайминги / частота
7-7-7-20 / 1066 MHz
14-14-14, 15-15-15, 16-16-16 / 2133 MHz
Рейтинг PassMark (Чем больше тем лучше)
1988
3635
Samsung M378B5673EH1-CF8 2GB Сравнения RAM
Nanya Technology M2X4G64CB8HG5N-DG 4GB
Kingston 9905403-831.A00LF 8GB
G Skill Intl F4-3000C14-8GTZR 8GB Сравнения RAM
Hoodisk Electronics Co Ltd GKE160SO102408-2666 16GB
Kingston 9905403-444.A00LF 4GB
Калькулятор задержки (latency) памяти (RAM)
Рассчитать скорость работы памяти RAM в нс
RAM 1
CAS Latency (CL) *
Frequency (Mhz) *
calculate
Absolute Latency
0 ns
RAM 2
CAS Latency (CL) *
Frequency (Mhz) *
calculate
Absolute Latency
0 ns
Последние сравнения
Kingston 9905471-001.A01LF 2GB
Avant Technology J641GU42J5213ND 8GB
Samsung M393B2G70BH0-CK0 16GB
Corsair CMD16GX4M4B3400C16 4GB
Smart Modular SH564128FH8NZQNSCG 4GB
Wilk Elektronik S.A. GR2400S464L17S/8G 8GB
Samsung M393B1K70CH0-CH9 8GB
Crucial Technology CT8G4SFS8266.M8FD 8GB
Kingston 9905403-090.A01LF 4GB
Corsair CMK32GX4M2D3200C16 16GB
Samsung M393B1K70QB0-CK0 8GB
G Skill Intl F4-3866C18-16GTZR 16GB
Crucial Technology CT102464BF160B-16F 8GB
Crucial Technology CT16G4SFD824A.C16FHD 16GB
Kingston 9905471-002.A00LF 2GB
G Skill Intl F4-4000C18-8GTZRB 8GB
SK Hynix HMT151R7TFR4C-H9 4GB
Corsair CMK4GX4M1A2400C14 4GB
Samsung M378B5173BH0-CH9 4GB
Kingston CBD24D4S7S8ME-8 8GB
Kingston 99U5474-037.A00LF 4GB
Hynix Semiconductor (Hyundai Electronics) HMA451R7MFR8N
SK Hynix HYMP112S64CP6-S6 1GB
Shenzhen Chuangshifeida Technology DERLER 16GB2666MHz 1
Kingston 9965525-140.A00LF 8GB
Crucial Technology CT8G4SFS824A.C8FHD1 8GB
Samsung DDR3 8GB 1600MHz 8GB
G Skill Intl F4-4000C19-4GVK 4GB
Сообщить об ошибке
×
Bug description
Source link