RAM
DDR5
DDR4
DDR3
DDR2
О сайте
Menu
RAMs
RAM
DDR5
DDR4
DDR3
DDR2
О сайте
Русский
English
Español
Português
Deutsch
Français
Italiano
Polski
中文
日本語
Samsung M378B5673EH1-CF8 2GB
G Skill Intl F4-4000C19-16GTZKK 16GB
Сравнить
Samsung M378B5673EH1-CF8 2GB против G Skill Intl F4-4000C19-16GTZKK 16GB
-->
Средняя оценка
Samsung M378B5673EH1-CF8 2GB
Средняя оценка
G Skill Intl F4-4000C19-16GTZKK 16GB
Различия
Спецификации
Комментарии
Различия
Причины выбрать
Samsung M378B5673EH1-CF8 2GB
Сообщить об ошибке
Причины выбрать
G Skill Intl F4-4000C19-16GTZKK 16GB
Сообщить об ошибке
Ниже задержка в тестах PassMark, нс
23
28
Около -22% меньшая задержка
Выше скорость чтения
19.8
12.7
Среднее значение в тестах
Выше скорость записи
18.2
7.5
Среднее значение в тестах
Выше пропускная способность
17000
8500
Около 2 выше полоса пропускания
Спецификации
Полный список технических характеристик
Samsung M378B5673EH1-CF8 2GB
G Skill Intl F4-4000C19-16GTZKK 16GB
Основные характеристики
Тип памяти
DDR3
DDR4
Задержка в PassMark, нс
28
23
Скорость чтения, Гб/сек
12.7
19.8
Скорость записи, Гб/сек
7.5
18.2
Пропускная способность памяти, мбит/сек
8500
17000
Other
Описание
PC3-8500, 1.5V, CAS Supported: 6 7 8
PC4-17000, 1.2V, CAS Supported: 10 11 12 13 14 15 16
Тайминги / частота
7-7-7-20 / 1066 MHz
14-14-14, 15-15-15, 16-16-16 / 2133 MHz
Рейтинг PassMark (Чем больше тем лучше)
1988
4128
Samsung M378B5673EH1-CF8 2GB Сравнения RAM
Nanya Technology M2X4G64CB8HG5N-DG 4GB
Kingston 9905403-831.A00LF 8GB
G Skill Intl F4-4000C19-16GTZKK 16GB Сравнения RAM
Hoodisk Electronics Co Ltd GKE160SO102408-2666 16GB
Hexon Technology Pte Ltd HEXON 1GB
Калькулятор задержки (latency) памяти (RAM)
Рассчитать скорость работы памяти RAM в нс
RAM 1
CAS Latency (CL) *
Frequency (Mhz) *
calculate
Absolute Latency
0 ns
RAM 2
CAS Latency (CL) *
Frequency (Mhz) *
calculate
Absolute Latency
0 ns
Последние сравнения
Elpida EBJ17RG4EFWA-DJ-F 16GB
Kingston 99U5712-002.A00G 16GB
STEC (Silicon Tech) S1024R3NN2QK-I 1GB
G Skill Intl F4-3400C16-8GTZKW 8GB
Nanya Technology NT2GT64U8HD0BY-AD 2GB
Thermaltake Technology Co Ltd R019D408GX2-3200C16A 8GB
Kingston ACR16D3LS1NGG/4G 4GB
Corsair CMW128GX4M8C3000C16 16GB
Samsung M471A5244CB0-CWE 4GB
Crucial Technology BL8G36C16U4WL.M8FE1 8GB
Patriot Memory (PDP Systems) PSD34G16002 4GB
Micron Technology 16ATF2G64AZ-2G3H1 16GB
Kingston 99U5474-023.A00LF 4GB
Kingston RB24D4U7S8MB-8 8GB
A-DATA Technology AD73I1B1672EG 2GB
Kingston 9905701-098.A00G 16GB
Kingston 9905403-011.A03LF 2GB
Corsair CMT16GX4M2C3200C14 8GB
SK Hynix HMA451U6AFR8N-TF 4GB
Apacer Technology 78.CAGP7.4020B 8GB
SK Hynix HMT41GU7BFR8A-PB 8GB
Golden Empire CL16-16-16 D4-3200 4GB
TwinMOS 8DPT5MK8-TATP 2GB
Crucial Technology CT32G4SFD832A.C16FE 32GB
Nanya Technology M2Y2G64TU8HD5B-AC 2GB
Crucial Technology CT16G4DFD8213.C16FDD 16GB
Samsung M378B5673EH1-CF8 2GB
Crucial Technology CT8G4DFS824A.M8FH3 8GB
Сообщить об ошибке
×
Bug description
Source link