RAM
DDR5
DDR4
DDR3
DDR2
О сайте
Menu
RAMs
RAM
DDR5
DDR4
DDR3
DDR2
О сайте
Русский
English
Español
Português
Deutsch
Français
Italiano
Polski
中文
日本語
Samsung M378B5673EH1-CF8 2GB
G Skill Intl F4-4266C19-8GTZKW 8GB
Сравнить
Samsung M378B5673EH1-CF8 2GB против G Skill Intl F4-4266C19-8GTZKW 8GB
-->
Средняя оценка
Samsung M378B5673EH1-CF8 2GB
Средняя оценка
G Skill Intl F4-4266C19-8GTZKW 8GB
Различия
Спецификации
Комментарии
Различия
Причины выбрать
Samsung M378B5673EH1-CF8 2GB
Сообщить об ошибке
Ниже задержка в тестах PassMark, нс
28
35
Около 20% меньшая задержка
Причины выбрать
G Skill Intl F4-4266C19-8GTZKW 8GB
Сообщить об ошибке
Выше скорость чтения
16.5
12.7
Среднее значение в тестах
Выше скорость записи
14.8
7.5
Среднее значение в тестах
Выше пропускная способность
17000
8500
Около 2 выше полоса пропускания
Спецификации
Полный список технических характеристик
Samsung M378B5673EH1-CF8 2GB
G Skill Intl F4-4266C19-8GTZKW 8GB
Основные характеристики
Тип памяти
DDR3
DDR4
Задержка в PassMark, нс
28
35
Скорость чтения, Гб/сек
12.7
16.5
Скорость записи, Гб/сек
7.5
14.8
Пропускная способность памяти, мбит/сек
8500
17000
Other
Описание
PC3-8500, 1.5V, CAS Supported: 6 7 8
PC4-17000, 1.2V, CAS Supported: 10 11 12 13 14 15 16
Тайминги / частота
7-7-7-20 / 1066 MHz
14-14-14, 15-15-15, 16-16-16 / 2133 MHz
Рейтинг PassMark (Чем больше тем лучше)
1988
3336
Samsung M378B5673EH1-CF8 2GB Сравнения RAM
Nanya Technology M2X4G64CB8HG5N-DG 4GB
Kingston 9905403-831.A00LF 8GB
G Skill Intl F4-4266C19-8GTZKW 8GB Сравнения RAM
Kingston 9905403-444.A00LF 4GB
Hoodisk Electronics Co Ltd GKE160SO102408-2666 16GB
Калькулятор задержки (latency) памяти (RAM)
Рассчитать скорость работы памяти RAM в нс
RAM 1
CAS Latency (CL) *
Frequency (Mhz) *
calculate
Absolute Latency
0 ns
RAM 2
CAS Latency (CL) *
Frequency (Mhz) *
calculate
Absolute Latency
0 ns
Последние сравнения
G Skill Intl F3-10600CL9-2GBNT 2GB
Crucial Technology CT16G4DFD8213.C16FDD 16GB
Crucial Technology CT51264BD160B.C16F 4GB
Corsair CMR64GX4M4A2666C16 16GB
Samsung M3 78T2863QZS-CF7 1GB
Samsung M378A2G43MB1-CTD 16GB
Kingston 99P5474-014.A00LF 4GB
Team Group Inc. Team-Elite-2400 4GB
TwinMOS 8DPT5MK8-TATP 2GB
Swissbit SEU25664D6BC2EP-30 2GB
Samsung M3 93T5750CZA-CE6 2GB
Kingston HX424C15FB/16 16GB
TwinMOS 8DPT5MK8-TATP 2GB
Micron Technology 9HTF12872JY80EE1D4 1GB
Micron Technology 18HTF12872AY-800F1 1GB
Essencore Limited KD48GS481-26N1600 8GB
Smart Modular SH564128FH8NZQNSCG 4GB
Kllisre M378A5143EB2-CRC 4GB
SK Hynix HYMP112S64CP6-S6 1GB
Asgard VMA41UH-MEC1U2AW1 16GB
Samsung M378B5673EH1-CF8 2GB
Corsair CM4B8G2J2666A15D 8GB
Smart Modular SH564128FH8NZQNSCG 4GB
Micron Technology 8ATF1G64HZ-2G3E1 8GB
Kingston 9905403-500.A01LF 8GB
Samsung M378A1K43EB2-CWE 8GB
Samsung M471B5273EB0-CK0 4GB
G Skill Intl F4-4000C19-16GTZSW 16GB
Сообщить об ошибке
×
Bug description
Source link