Samsung M378B5673EH1-CF8 2GB
InnoDisk Corporation M4S0-4GSSNCIK 4GB

Samsung M378B5673EH1-CF8 2GB против InnoDisk Corporation M4S0-4GSSNCIK 4GB

-->
Средняя оценка
star star star star star
Samsung M378B5673EH1-CF8 2GB

Samsung M378B5673EH1-CF8 2GB

Средняя оценка
star star star star star
InnoDisk Corporation M4S0-4GSSNCIK 4GB

InnoDisk Corporation M4S0-4GSSNCIK 4GB

Различия

  • Ниже задержка в тестах PassMark, нс
    28 left arrow 85
    Около 67% меньшая задержка
  • Выше скорость чтения
    12.7 left arrow 11.3
    Среднее значение в тестах
  • Выше скорость записи
    7.5 left arrow 6.0
    Среднее значение в тестах
  • Выше пропускная способность
    21300 left arrow 8500
    Около 2.51 выше полоса пропускания

Спецификации

Полный список технических характеристик
Samsung M378B5673EH1-CF8 2GB
InnoDisk Corporation M4S0-4GSSNCIK 4GB
Основные характеристики
  • Тип памяти
    DDR3 left arrow DDR4
  • Задержка в PassMark, нс
    28 left arrow 85
  • Скорость чтения, Гб/сек
    12.7 left arrow 11.3
  • Скорость записи, Гб/сек
    7.5 left arrow 6.0
  • Пропускная способность памяти, мбит/сек
    8500 left arrow 21300
Other
  • Описание
    PC3-8500, 1.5V, CAS Supported: 6 7 8 left arrow PC4-21300, 1.2V, CAS Supported: 10 11 12 13 14 15 16 17 18 19 20
  • Тайминги / частота
    7-7-7-20 / 1066 MHz left arrow 17-17-17, 18-18-18, 19-19-19, 20-20-20 / 2666 MHz
  • Рейтинг PassMark (Чем больше тем лучше)
    1988 left arrow 1118
Калькулятор задержки (latency) памяти (RAM)
Рассчитать скорость работы памяти RAM в нс
RAM 1
RAM 2

Последние сравнения