RAM
DDR5
DDR4
DDR3
DDR2
О сайте
Menu
RAMs
RAM
DDR5
DDR4
DDR3
DDR2
О сайте
Русский
English
Español
Português
Deutsch
Français
Italiano
Polski
中文
日本語
Samsung M378B5673EH1-CF8 2GB
Lexar Co Limited LD4AU008G-H3200GST 8GB
Сравнить
Samsung M378B5673EH1-CF8 2GB против Lexar Co Limited LD4AU008G-H3200GST 8GB
-->
Средняя оценка
Samsung M378B5673EH1-CF8 2GB
Средняя оценка
Lexar Co Limited LD4AU008G-H3200GST 8GB
Различия
Спецификации
Комментарии
Различия
Причины выбрать
Samsung M378B5673EH1-CF8 2GB
Сообщить об ошибке
Ниже задержка в тестах PassMark, нс
28
34
Около 18% меньшая задержка
Причины выбрать
Lexar Co Limited LD4AU008G-H3200GST 8GB
Сообщить об ошибке
Выше скорость чтения
19.9
12.7
Среднее значение в тестах
Выше скорость записи
13.9
7.5
Среднее значение в тестах
Выше пропускная способность
25600
8500
Около 3.01 выше полоса пропускания
Спецификации
Полный список технических характеристик
Samsung M378B5673EH1-CF8 2GB
Lexar Co Limited LD4AU008G-H3200GST 8GB
Основные характеристики
Тип памяти
DDR3
DDR4
Задержка в PassMark, нс
28
34
Скорость чтения, Гб/сек
12.7
19.9
Скорость записи, Гб/сек
7.5
13.9
Пропускная способность памяти, мбит/сек
8500
25600
Other
Описание
PC3-8500, 1.5V, CAS Supported: 6 7 8
PC4-25600, 1.2V, CAS Supported: 10 11 12 13 14 15 16 17 18 19 20 21 22 24
Тайминги / частота
7-7-7-20 / 1066 MHz
20-20-20, 22-22-22, 24-24-24 / 3200 MHz
Рейтинг PassMark (Чем больше тем лучше)
1988
3271
Samsung M378B5673EH1-CF8 2GB Сравнения RAM
Nanya Technology M2X4G64CB8HG5N-DG 4GB
Kingston 9905403-831.A00LF 8GB
Lexar Co Limited LD4AU008G-H3200GST 8GB Сравнения RAM
Crucial Technology BLS4G4D240FSE.8FBD 4GB
Hoodisk Electronics Co Ltd GKE160SO102408-2666 16GB
Калькулятор задержки (latency) памяти (RAM)
Рассчитать скорость работы памяти RAM в нс
RAM 1
CAS Latency (CL) *
Frequency (Mhz) *
calculate
Absolute Latency
0 ns
RAM 2
CAS Latency (CL) *
Frequency (Mhz) *
calculate
Absolute Latency
0 ns
Последние сравнения
Hoodisk Electronics Co Ltd GKE160SO102408-2666 16GB
Samsung M471A2G43AB2-CWE 16GB
G Skill Intl F3-10600CL9-2GBNT 2GB
Corsair CMD16GX4M4C3200C15 4GB
Samsung M3 78T3354BZ0-CCC 256MB
Ramaxel Technology RMSA3260NA78HAF-2666 8GB
Samsung M378B5673EH1-CF8 2GB
Lexar Co Limited LD4AU008G-H3200GST 8GB
Kingston KHX1600C9D3/4G 4GB
Gold Key Technology Co Ltd NMSO416F82-3200E 16GB
Kingston 99U5429-007.A00LF 2GB
Micron Technology 18ASF2G72AZ-2G1B1 16GB
Nanya Technology NT2GT64U8HD0BY-AD 2GB
Apacer Technology 78.DAGRL.4050C 16GB
Corsair CMY8GX3M2A2666C10 4GB
G Skill Intl F4-3200C15-16GTZSW 16GB
Kingston 9905471-076.A00LF 8GB
A-DATA Technology AM1P26KC8T1-BAAS 8GB
TwinMOS 8DPT5MK8-TATP 2GB
Kingmax Semiconductor GLAG43F-18---------- 8GB
Kingston 99U5474-010.A00LF 2GB
Patriot Memory (PDP Systems) PSD44G240082 4GB
Kingston KVR533D2N4 512MB
Corsair CMK16GX4M4B3300C16 4GB
A-DATA Technology AD73I1B1672EG 2GB
Corsair CMK64GX4M4A2666C16 16GB
AMD AE34G2139U2 4GB
Kingston 9905702-029.A00G 8GB
Сообщить об ошибке
×
Bug description
Source link