RAM
DDR5
DDR4
DDR3
DDR2
О сайте
Menu
RAMs
RAM
DDR5
DDR4
DDR3
DDR2
О сайте
Русский
English
Español
Português
Deutsch
Français
Italiano
Polski
中文
日本語
Samsung M378B5673EH1-CF8 2GB
Micron Technology 36ASF2G72PZ-2G4AT 16GB
Сравнить
Samsung M378B5673EH1-CF8 2GB против Micron Technology 36ASF2G72PZ-2G4AT 16GB
-->
Средняя оценка
Samsung M378B5673EH1-CF8 2GB
Средняя оценка
Micron Technology 36ASF2G72PZ-2G4AT 16GB
Различия
Спецификации
Комментарии
Различия
Причины выбрать
Samsung M378B5673EH1-CF8 2GB
Сообщить об ошибке
Ниже задержка в тестах PassMark, нс
28
36
Около 22% меньшая задержка
Выше скорость чтения
12.7
9.8
Среднее значение в тестах
Выше скорость записи
7.5
7.2
Среднее значение в тестах
Причины выбрать
Micron Technology 36ASF2G72PZ-2G4AT 16GB
Сообщить об ошибке
Выше пропускная способность
19200
8500
Около 2.26 выше полоса пропускания
Спецификации
Полный список технических характеристик
Samsung M378B5673EH1-CF8 2GB
Micron Technology 36ASF2G72PZ-2G4AT 16GB
Основные характеристики
Тип памяти
DDR3
DDR4
Задержка в PassMark, нс
28
36
Скорость чтения, Гб/сек
12.7
9.8
Скорость записи, Гб/сек
7.5
7.2
Пропускная способность памяти, мбит/сек
8500
19200
Other
Описание
PC3-8500, 1.5V, CAS Supported: 6 7 8
PC4-19200, 1.2V, CAS Supported: 9 11 12 13 14 15 16 18 19 21
Тайминги / частота
7-7-7-20 / 1066 MHz
15-15-15, 16-16-16, 17-17-17, 18-18-18 / 2400 MHz
Рейтинг PassMark (Чем больше тем лучше)
1988
2220
Samsung M378B5673EH1-CF8 2GB Сравнения RAM
Nanya Technology M2X4G64CB8HG5N-DG 4GB
Kingston 9905403-831.A00LF 8GB
Micron Technology 36ASF2G72PZ-2G4AT 16GB Сравнения RAM
Hoodisk Electronics Co Ltd GKE160SO102408-2666 16GB
Crucial Technology BLS4G4D240FSE.8FBD 4GB
Калькулятор задержки (latency) памяти (RAM)
Рассчитать скорость работы памяти RAM в нс
RAM 1
CAS Latency (CL) *
Frequency (Mhz) *
calculate
Absolute Latency
0 ns
RAM 2
CAS Latency (CL) *
Frequency (Mhz) *
calculate
Absolute Latency
0 ns
Последние сравнения
Elpida EBJ10UE8BAFA-AE-E 1GB
G Skill Intl F4-3200C16-16GRS 16GB
Corsair CMZ16GX3M2A2400C10 8GB
Kingston CBD26D4S9S8ME-8 8GB
Samsung M378B5673EH1-CF8 2GB
Micron Technology 36ASF2G72PZ-2G4AT 16GB
Samsung M393B5170FH0-CK0 4GB
Kingston 99U5663-003.A00G 16GB
Nanya Technology M2F8G64CB8HC9N-DI 8GB
G Skill Intl F4-3000C15-8GRR 8GB
Kingston 9965525-018.A00LF 4GB
Micron Technology 18ASF1G72PDZ-2G3B1 8GB
AMD R538G1601U2S-UO 8GB
Corsair CMW64GX4M4A2666C16 16GB
Kingston 9905471-002.A00LF 2GB
Samsung M393A1G40DB1-CRC 8GB
Corsair CM2X1024-8500C5D 1GB
Chun Well Technology Holding Limited D4U0836144B 8GB
Kingston 9905403-444.A00LF 4GB
Neo Forza NMUD480E86-3200 8GB
Kingston KHX1866C9D3/8GX 8GB
Micron Technology 36ASF2G72LZ-2G1A1 16GB
Samsung M378B5773DH0-CH9 2GB
Hynix Semiconductor (Hyundai Electronics) HMA41GR7MFR8N
Avant Technology F6451U64F9333G 4GB
Crucial Technology CT8G4DFD8213.C16FAR2 8GB
Apacer Technology AQD-D4U8GN24-SE 8GB
Crucial Technology CT4G4DFS8266.M8FE 4GB
Сообщить об ошибке
×
Bug description
Source link