Samsung M378B5673EH1-CF8 2GB против Panram International Corporation PUD43000C154G4NJW 4GB

-->

Средняя оценка

Samsung M378B5673EH1-CF8 2GB

Samsung M378B5673EH1-CF8 2GB

Средняя оценка

Panram International Corporation PUD43000C154G4NJW 4GB

Panram International Corporation PUD43000C154G4NJW 4GB

Различия Спецификации Комментарии

Различия

Samsung M378B5673EH1-CF8 2GB

Причины выбрать
Samsung M378B5673EH1-CF8 2GB

Сообщить об ошибке

Panram International Corporation PUD43000C154G4NJW 4GB

Причины выбрать
Panram International Corporation PUD43000C154G4NJW 4GB

Сообщить об ошибке

Ниже задержка в тестах PassMark, нс

19 28

Около -47% меньшая задержка
Выше скорость чтения

19.4 12.7

Среднее значение в тестах
Выше скорость записи

15.1 7.5

Среднее значение в тестах
Выше пропускная способность

17000 8500

Около 2 выше полоса пропускания

Спецификации

Полный список технических характеристик

Samsung M378B5673EH1-CF8 2GB

Panram International Corporation PUD43000C154G4NJW 4GB

Основные характеристики

Тип памяти

DDR3 DDR4
Задержка в PassMark, нс

28 19
Скорость чтения, Гб/сек

12.7 19.4
Скорость записи, Гб/сек

7.5 15.1
Пропускная способность памяти, мбит/сек

8500 17000

Other

Описание

PC3-8500, 1.5V, CAS Supported: 6 7 8 PC4-17000, 1.2V, CAS Supported: 9 10 11 12 13 14 15 16
Тайминги / частота

7-7-7-20 / 1066 MHz 14-14-14, 15-15-15, 16-16-16 / 2133 MHz
Рейтинг PassMark (Чем больше тем лучше)

1988 3314

Калькулятор задержки (latency) памяти (RAM)

Рассчитать скорость работы памяти RAM в нс

RAM 1

CAS Latency (CL) *

Frequency (Mhz) *

Absolute Latency

0 ns

RAM 2

CAS Latency (CL) *

Frequency (Mhz) *

Absolute Latency

0 ns

Последние сравнения

Nanya Technology M2Y51264TU88B0B-3C 512MB

Nanya Technology M2Y51264TU88B0B-3C 512MB

Kingston 9965643-002.A01G 4GB

Kingston 9965643-002.A01G 4GB

модули RAM

Kingston 99U5471-020.A00LF 4GB

Kingston 99U5471-020.A00LF 4GB

Kingston 99U5624-003.A00G 8GB

Kingston 99U5624-003.A00G 8GB

модули RAM

Kingston 9905471-006.A01LF 4GB

Kingston 9905471-006.A01LF 4GB

Kingston KVR24N17S8/4 4GB

Kingston KVR24N17S8/4 4GB

модули RAM

Samsung M3 78T2863QZS-CF7 1GB

Samsung M3 78T2863QZS-CF7 1GB

Micron Technology 4ATF1G64HZ-3G2E1 8GB

Micron Technology 4ATF1G64HZ-3G2E1 8GB

модули RAM

AMD AE34G1601U1 4GB

AMD AE34G1601U1 4GB

Corsair CM4B16G2L2666A18K2 16GB

Corsair CM4B16G2L2666A18K2 16GB

модули RAM

Samsung M393B5170EH1-CH9 4GB

Samsung M393B5170EH1-CH9 4GB

Samsung M393A2G40DBD-CP1???? 16GB

Samsung M393A2G40DBD-CP1???? 16GB

модули RAM

Kingston 9905403-090.A01LF 4GB

Kingston 9905403-090.A01LF 4GB

G Skill Intl F4-2400C17-8GSXK 8GB

G Skill Intl F4-2400C17-8GSXK 8GB

модули RAM

Micron Technology 8ATF2G64HZ-3G2E2 16GB

Micron Technology 8ATF2G64HZ-3G2E2 16GB

Crucial Technology BLS4G4D240FSB.8FBD 4GB

Crucial Technology BLS4G4D240FSB.8FBD 4GB

модули RAM

Samsung M393B2G70BH0-CK0 16GB

Samsung M393B2G70BH0-CK0 16GB

Corsair CMV16GX4M1A2400C16 16GB

Corsair CMV16GX4M1A2400C16 16GB

модули RAM

SK Hynix HMT41GS6BFR8A-PB 8GB

SK Hynix HMT41GS6BFR8A-PB 8GB

Neo Forza GKE160SO204808-3200 16GB

Neo Forza GKE160SO204808-3200 16GB

модули RAM

Kingston 99U5471-030.A00LF 8GB

Kingston 99U5471-030.A00LF 8GB

Hoodisk Electronics Co Ltd GKE800SO102408-2400 8GB

Hoodisk Electronics Co Ltd GKE800SO102408-2400 8GB

модули RAM

Kingston KHX1600C9S3L/8G 8GB

Kingston KHX1600C9S3L/8G 8GB

Kingston 9905625-142.A00G 16GB

Kingston 9905625-142.A00G 16GB

модули RAM

Crucial Technology CT8G3S186DM.C16FN 8GB

Crucial Technology CT8G3S186DM.C16FN 8GB

Crucial Technology CT8G3S160BM.C16FED 8GB

Crucial Technology CT8G3S160BM.C16FED 8GB

модули RAM

Samsung M3 78T2953EZ3-CF7 1GB

Samsung M3 78T2953EZ3-CF7 1GB

Crucial Technology BL16G36C16U4WL.M16FE 16GB

Crucial Technology BL16G36C16U4WL.M16FE 16GB

модули RAM