RAM
DDR5
DDR4
DDR3
DDR2
О сайте
Menu
RAMs
RAM
DDR5
DDR4
DDR3
DDR2
О сайте
Русский
English
Español
Português
Deutsch
Français
Italiano
Polski
中文
日本語
Samsung M378B5673EH1-CF8 2GB
Patriot Memory (PDP Systems) PSD44G213381 4GB
Сравнить
Samsung M378B5673EH1-CF8 2GB против Patriot Memory (PDP Systems) PSD44G213381 4GB
-->
Средняя оценка
Samsung M378B5673EH1-CF8 2GB
Средняя оценка
Patriot Memory (PDP Systems) PSD44G213381 4GB
Различия
Спецификации
Комментарии
Различия
Причины выбрать
Samsung M378B5673EH1-CF8 2GB
Сообщить об ошибке
Ниже задержка в тестах PassMark, нс
28
29
Около 3% меньшая задержка
Причины выбрать
Patriot Memory (PDP Systems) PSD44G213381 4GB
Сообщить об ошибке
Выше скорость чтения
15.5
12.7
Среднее значение в тестах
Выше скорость записи
11.6
7.5
Среднее значение в тестах
Выше пропускная способность
17000
8500
Около 2 выше полоса пропускания
Спецификации
Полный список технических характеристик
Samsung M378B5673EH1-CF8 2GB
Patriot Memory (PDP Systems) PSD44G213381 4GB
Основные характеристики
Тип памяти
DDR3
DDR4
Задержка в PassMark, нс
28
29
Скорость чтения, Гб/сек
12.7
15.5
Скорость записи, Гб/сек
7.5
11.6
Пропускная способность памяти, мбит/сек
8500
17000
Other
Описание
PC3-8500, 1.5V, CAS Supported: 6 7 8
PC4-17000, 1.2V, CAS Supported: 9 11 12 13 14 15 16 18 19
Тайминги / частота
7-7-7-20 / 1066 MHz
14-14-14, 15-15-15, 16-16-16 / 2133 MHz
Рейтинг PassMark (Чем больше тем лучше)
1988
2609
Samsung M378B5673EH1-CF8 2GB Сравнения RAM
Nanya Technology M2X4G64CB8HG5N-DG 4GB
Kingston 9905403-831.A00LF 8GB
Patriot Memory (PDP Systems) PSD44G213381 4GB Сравнения RAM
Samsung M3 93T5750CZA-CE6 2GB
Hoodisk Electronics Co Ltd GKE160SO102408-2666 16GB
Калькулятор задержки (latency) памяти (RAM)
Рассчитать скорость работы памяти RAM в нс
RAM 1
CAS Latency (CL) *
Frequency (Mhz) *
calculate
Absolute Latency
0 ns
RAM 2
CAS Latency (CL) *
Frequency (Mhz) *
calculate
Absolute Latency
0 ns
Последние сравнения
Samsung M378B5673EH1-CF8 2GB
Patriot Memory (PDP Systems) PSD44G213381 4GB
G Skill Intl F3-14900CL8-4GBXM 4GB
G Skill Intl F4-3333C16-16GVR 16GB
Hynix Semiconductor (Hyundai Electronics) HYMP125S64CP8
Crucial Technology BL8G26C16U4R.8FD 8GB
Samsung M471A5244CB0-CWE 4GB
Corsair CMD32GX4M2B2800C14 16GB
G Skill Intl F4-4000C14-16GTZR 16GB
Kingston ACR21D4S15HAG/8G 8GB
Kingston 9965525-140.A00LF 8GB
Kingston KHX2133C14/8G 8GB
Crucial Technology CT25664AA800.M16FG 2GB
Micron Technology 16ATF2G64HZ-2G3E1 16GB
A-DATA Technology DQVE1908 512MB
Hynix Semiconductor (Hyundai Electronics) HMA84GL7AMR4N
SanMax Technologies Inc. SMD4-E16G48ME-26V 16GB
G Skill Intl F4-4000C17-16GTRGB 16GB
Hoodisk Electronics Co Ltd GKE160SO102408-2666 16GB
Corsair CM4X16GE2400C16S4 16GB
Essencore Limited KD48GU88C-26N1600 8GB
Wilk Elektronik S.A. IRH3200D464L16/16G 16GB
Kingston 9905471-006.A01LF 4GB
Corsair CMU32GX4M4C3000C15 8GB
Samsung M378B5673EH1-CF8 2GB
G Skill Intl F4-4133C19-8GTZC 8GB
Kingston HX318C10FK/4 4GB
Chun Well Technology Holding Limited CL18-20-20 D4-3600
Сообщить об ошибке
×
Bug description
Source link