RAM
DDR5
DDR4
DDR3
DDR2
О сайте
Menu
RAMs
RAM
DDR5
DDR4
DDR3
DDR2
О сайте
Русский
English
Español
Português
Deutsch
Français
Italiano
Polski
中文
日本語
Samsung M378B5673EH1-CF8 2GB
Samsung M378A2K43BB1-CPB 16GB
Сравнить
Samsung M378B5673EH1-CF8 2GB против Samsung M378A2K43BB1-CPB 16GB
-->
Средняя оценка
Samsung M378B5673EH1-CF8 2GB
Средняя оценка
Samsung M378A2K43BB1-CPB 16GB
Различия
Спецификации
Комментарии
Различия
Причины выбрать
Samsung M378B5673EH1-CF8 2GB
Сообщить об ошибке
Ниже задержка в тестах PassMark, нс
28
35
Около 20% меньшая задержка
Причины выбрать
Samsung M378A2K43BB1-CPB 16GB
Сообщить об ошибке
Выше скорость чтения
14.9
12.7
Среднее значение в тестах
Выше скорость записи
10.2
7.5
Среднее значение в тестах
Выше пропускная способность
17000
8500
Около 2 выше полоса пропускания
Спецификации
Полный список технических характеристик
Samsung M378B5673EH1-CF8 2GB
Samsung M378A2K43BB1-CPB 16GB
Основные характеристики
Тип памяти
DDR3
DDR4
Задержка в PassMark, нс
28
35
Скорость чтения, Гб/сек
12.7
14.9
Скорость записи, Гб/сек
7.5
10.2
Пропускная способность памяти, мбит/сек
8500
17000
Other
Описание
PC3-8500, 1.5V, CAS Supported: 6 7 8
PC4-17000, 1.2V, CAS Supported: 10 11 12 13 14 15 16
Тайминги / частота
7-7-7-20 / 1066 MHz
14-14-14, 15-15-15, 16-16-16 / 2133 MHz
Рейтинг PassMark (Чем больше тем лучше)
1988
2768
Samsung M378B5673EH1-CF8 2GB Сравнения RAM
Nanya Technology M2X4G64CB8HG5N-DG 4GB
Kingston 9905403-831.A00LF 8GB
Samsung M378A2K43BB1-CPB 16GB Сравнения RAM
Hynix Semiconductor (Hyundai Electronics) GKE160SO102408-2400 16GB
Crucial Technology BLS4G4D240FSE.8FBD 4GB
Калькулятор задержки (latency) памяти (RAM)
Рассчитать скорость работы памяти RAM в нс
RAM 1
CAS Latency (CL) *
Frequency (Mhz) *
calculate
Absolute Latency
0 ns
RAM 2
CAS Latency (CL) *
Frequency (Mhz) *
calculate
Absolute Latency
0 ns
Последние сравнения
SK Hynix HYMP112U64CP8-S5 1GB
SK Hynix HMAA4GU6MJR8N-VK 32GB
Mushkin 991988 (996988) 4GB
Avexir Technologies Corporation DDR4-3000 CL16 8GB 8GB
Kingston KHX318C10FR/8G 8GB
Crucial Technology BLS8G4D26BFSBK.8FBR 8GB
Corsair CML8GX3M2A1600C9 4GB
Corsair CM4X16GE2666C16K4 16GB
Kingston 99U5469-045.A00LF 4GB
Samsung M378A1K43BB1-CTD 16GB
Patriot Memory (PDP Systems) PSD38G1600L2S 8GB
Kingston KCRXJ6-HYJ 16GB
Hexon Technology Pte Ltd HEXON 1GB
Crucial Technology CT8G4SFRA32A.C8FE 8GB
Team Group Inc. UD5-6400 16GB
Avant Technology W6451U48J7240N6 4GB
Samsung M471B5173QH0-YK0 4GB
G Skill Intl F4-4133C19-8GTZSWF 8GB
Samsung M378B5673EH1-CF8 2GB
Samsung M378A4G43AB2-CVF 32GB
Corsair CMD8GX3M2A2933C12 4GB
Kingmax Semiconductor GLLH22F-18KII5------ 16GB
SK Hynix HYMP112U64CP8-S6 1GB
Hynix Semiconductor (Hyundai Electronics) HMA41GR7AFR8N
TwinMOS 8DPT5MK8-TATP 2GB
Team Group Inc. TEANGROUP-UD4-2400 8GB
Kingston KVR16N11/8-SP 8GB
Shenzhen Xingmem Technology Corp S949B2UUH-ITR 8GB
Сообщить об ошибке
×
Bug description
Source link