RAM
DDR5
DDR4
DDR3
DDR2
О сайте
Menu
RAMs
RAM
DDR5
DDR4
DDR3
DDR2
О сайте
Русский
English
Español
Português
Deutsch
Français
Italiano
Polski
中文
日本語
Samsung M378B5673FH0-CH9 2GB
Chun Well Technology Holding Limited D4U0836144B 8GB
Сравнить
Samsung M378B5673FH0-CH9 2GB против Chun Well Technology Holding Limited D4U0836144B 8GB
-->
Средняя оценка
Samsung M378B5673FH0-CH9 2GB
Средняя оценка
Chun Well Technology Holding Limited D4U0836144B 8GB
Различия
Спецификации
Комментарии
Различия
Причины выбрать
Samsung M378B5673FH0-CH9 2GB
Сообщить об ошибке
Причины выбрать
Chun Well Technology Holding Limited D4U0836144B 8GB
Сообщить об ошибке
Ниже задержка в тестах PassMark, нс
19
35
Около -84% меньшая задержка
Выше скорость чтения
16.4
14.4
Среднее значение в тестах
Выше скорость записи
14.9
9.5
Среднее значение в тестах
Выше пропускная способность
21300
10600
Около 2.01 выше полоса пропускания
Спецификации
Полный список технических характеристик
Samsung M378B5673FH0-CH9 2GB
Chun Well Technology Holding Limited D4U0836144B 8GB
Основные характеристики
Тип памяти
DDR3
DDR4
Задержка в PassMark, нс
35
19
Скорость чтения, Гб/сек
14.4
16.4
Скорость записи, Гб/сек
9.5
14.9
Пропускная способность памяти, мбит/сек
10600
21300
Other
Описание
PC3-10600, 1.5V, CAS Supported: 6 7 8 9
PC4-21300, 1.2V, CAS Supported: 10 12 14 16 18 19 20
Тайминги / частота
7-7-7-20 / 1333 MHz
17-17-17, 18-18-18, 19-19-19, 20-20-20 / 2666 MHz
Рейтинг PassMark (Чем больше тем лучше)
2321
3521
Samsung M378B5673FH0-CH9 2GB Сравнения RAM
Samsung M378B5773CH0-CH9 2GB
Samsung M378B5773DH0-CH9 2GB
Chun Well Technology Holding Limited D4U0836144B 8GB Сравнения RAM
Hoodisk Electronics Co Ltd GKE160SO102408-2666 16GB
Kingston 9965669-018.A00G 16GB
Калькулятор задержки (latency) памяти (RAM)
Рассчитать скорость работы памяти RAM в нс
RAM 1
CAS Latency (CL) *
Frequency (Mhz) *
calculate
Absolute Latency
0 ns
RAM 2
CAS Latency (CL) *
Frequency (Mhz) *
calculate
Absolute Latency
0 ns
Последние сравнения
Patriot Memory (PDP Systems) PSD38G1600L2S 8GB
Crucial Technology CT32G4SFD8266.C16FB 32GB
Samsung 1600 CL10 Series 8GB
G Skill Intl F4-2666C19-16GRS 16GB
Samsung M378B5673FH0-CH9 2GB
Chun Well Technology Holding Limited D4U0836144B 8GB
Kingston 99U5584-007.A00LF 4GB
Crucial Technology BL8G32C16U4RL.M8FE1 8GB
Ramaxel Technology RMR5030ME68F9F1600 4GB
Kingston 9905678-042.A00G 8GB
SK Hynix HYMP31GF72CMP4D5Y5 8GB
Kingston 9905625-066.A00G 16GB
Kingston 99U5471-052.A00LF 8GB
Kingston MSI26D4S9D8ME-16 16GB
AMD AE34G1601U1 4GB
Smart Modular SF4641G8CK8IWGKSEG 8GB
SpecTek Incorporated ?????????????????? 2GB
Samsung M378A2K43BB1-CRC 16GB
Samsung M378A1G43DB0-CPB 8GB
Corsair CMK16GX4M4B3333C16 4GB
Samsung M471B5273CH0-CH9 4GB
Crucial Technology CT16G4DFD824A.M16FJ 16GB
STEC (Silicon Tech) S1024R3NN2QK-I 1GB
Ramaxel Technology RMUA5110ME78HAF-2666 8GB
Kingston KVR16N11/8-SP 8GB
Patriot Memory (PDP Systems) 3200 C16 Series 8GB
SK Hynix HMA451U6AFR8N-TF 4GB
Micron Technology 8ATF1G64HZ-2G6D1 8GB
Сообщить об ошибке
×
Bug description
Source link