RAM
DDR5
DDR4
DDR3
DDR2
О сайте
Menu
RAMs
RAM
DDR5
DDR4
DDR3
DDR2
О сайте
Русский
English
Español
Português
Deutsch
Français
Italiano
Polski
中文
日本語
Samsung M378B5673FH0-CH9 2GB
Corsair CMSO4GX4M1A2133C15 4GB
Сравнить
Samsung M378B5673FH0-CH9 2GB против Corsair CMSO4GX4M1A2133C15 4GB
-->
Средняя оценка
Samsung M378B5673FH0-CH9 2GB
Средняя оценка
Corsair CMSO4GX4M1A2133C15 4GB
Различия
Спецификации
Комментарии
Различия
Причины выбрать
Samsung M378B5673FH0-CH9 2GB
Сообщить об ошибке
Выше скорость чтения
14.4
12.2
Среднее значение в тестах
Выше скорость записи
9.5
8.3
Среднее значение в тестах
Причины выбрать
Corsair CMSO4GX4M1A2133C15 4GB
Сообщить об ошибке
Ниже задержка в тестах PassMark, нс
28
35
Около -25% меньшая задержка
Выше пропускная способность
17000
10600
Около 1.6 выше полоса пропускания
Спецификации
Полный список технических характеристик
Samsung M378B5673FH0-CH9 2GB
Corsair CMSO4GX4M1A2133C15 4GB
Основные характеристики
Тип памяти
DDR3
DDR4
Задержка в PassMark, нс
35
28
Скорость чтения, Гб/сек
14.4
12.2
Скорость записи, Гб/сек
9.5
8.3
Пропускная способность памяти, мбит/сек
10600
17000
Other
Описание
PC3-10600, 1.5V, CAS Supported: 6 7 8 9
PC4-17000, 1.2V, CAS Supported: 9 11 12 13 14 15 16 18 19
Тайминги / частота
7-7-7-20 / 1333 MHz
14-14-14, 15-15-15, 16-16-16 / 2133 MHz
Рейтинг PassMark (Чем больше тем лучше)
2321
2018
Samsung M378B5673FH0-CH9 2GB Сравнения RAM
Samsung M378B5773CH0-CH9 2GB
Samsung M378B5773DH0-CH9 2GB
Corsair CMSO4GX4M1A2133C15 4GB Сравнения RAM
PNY Electronics PNY 2GB
Hoodisk Electronics Co Ltd GKE160SO102408-2666 16GB
Калькулятор задержки (latency) памяти (RAM)
Рассчитать скорость работы памяти RAM в нс
RAM 1
CAS Latency (CL) *
Frequency (Mhz) *
calculate
Absolute Latency
0 ns
RAM 2
CAS Latency (CL) *
Frequency (Mhz) *
calculate
Absolute Latency
0 ns
Последние сравнения
SK Hynix HMT351S6BFR8C-H9 4GB
SK Hynix HMT351S6CFR8A-PB 4GB
Hynix Semiconductor (Hyundai Electronics) GKE160SO10240
Corsair CMU16GX4M2A2400C16 8GB
Elpida EBJ10UE8BAFA-AE-E 1GB
Kingston 9965596-002.B00G 4GB
A-DATA Technology DOVF1B163G2G 2GB
Crucial Technology CT8G4SFS632A.C4FE 8GB
TwinMOS 8DPT5MK8-TATP 2GB
Hynix Semiconductor (Hyundai Electronics) HMA41GS6AFR8N
Samsung DDR3 8GB 1600MHz 8GB
Crucial Technology BL8G32C16U4B.M8FE 8GB
Samsung M378B5273DH0-CH9 4GB
Kingston KHX2400C14S4/8G 8GB
Hynix Semiconductor (Hyundai Electronics) HMT41GS6MFR8A
G Skill Intl F4-3866C18-8GTZSW 8GB
Kingston ACR256X64D3S1333C9 2GB
Corsair CMD16GX4M2B2800C14 8GB
Kingston 9905403-444.A00LF 4GB
Teikon TMA851U6CJR6N-VKSC 4GB
SK Hynix HMT325S6BFR8C-H9 2GB
Essencore Limited KD4AGU880-36A180U 16GB
SK Hynix HMT42GR7AFR4A-PB 16GB
Kingston 9905678-029.A00G 8GB
Crucial Technology BLS4G4D240FSE.8FBD 4GB
Crucial Technology BL8G32C16U4BL.M8FE 8GB
SK Hynix HMA82GS6CJR8N-VK 16GB
Corsair MK16GX44B3000C15 4GB
Сообщить об ошибке
×
Bug description
Source link