RAM
DDR5
DDR4
DDR3
DDR2
О сайте
Menu
RAMs
RAM
DDR5
DDR4
DDR3
DDR2
О сайте
Русский
English
Español
Português
Deutsch
Français
Italiano
Polski
中文
日本語
Samsung M378B5673FH0-CH9 2GB
Crucial Technology BL16G36C16U4W.M16FE1 16GB
Сравнить
Samsung M378B5673FH0-CH9 2GB против Crucial Technology BL16G36C16U4W.M16FE1 16GB
-->
Средняя оценка
Samsung M378B5673FH0-CH9 2GB
Средняя оценка
Crucial Technology BL16G36C16U4W.M16FE1 16GB
Различия
Спецификации
Комментарии
Различия
Причины выбрать
Samsung M378B5673FH0-CH9 2GB
Сообщить об ошибке
Причины выбрать
Crucial Technology BL16G36C16U4W.M16FE1 16GB
Сообщить об ошибке
Ниже задержка в тестах PassMark, нс
32
35
Около -9% меньшая задержка
Выше скорость чтения
17.8
14.4
Среднее значение в тестах
Выше скорость записи
15.3
9.5
Среднее значение в тестах
Выше пропускная способность
21300
10600
Около 2.01 выше полоса пропускания
Спецификации
Полный список технических характеристик
Samsung M378B5673FH0-CH9 2GB
Crucial Technology BL16G36C16U4W.M16FE1 16GB
Основные характеристики
Тип памяти
DDR3
DDR4
Задержка в PassMark, нс
35
32
Скорость чтения, Гб/сек
14.4
17.8
Скорость записи, Гб/сек
9.5
15.3
Пропускная способность памяти, мбит/сек
10600
21300
Other
Описание
PC3-10600, 1.5V, CAS Supported: 6 7 8 9
PC4-21300, 1.2V, CAS Supported: 10 12 13 14 15 16 17 18 19 20
Тайминги / частота
7-7-7-20 / 1333 MHz
17-17-17, 18-18-18, 19-19-19, 20-20-20 / 2666 MHz
Рейтинг PassMark (Чем больше тем лучше)
2321
3593
Samsung M378B5673FH0-CH9 2GB Сравнения RAM
Samsung M378B5773CH0-CH9 2GB
Samsung M378B5773DH0-CH9 2GB
Crucial Technology BL16G36C16U4W.M16FE1 16GB Сравнения RAM
Hoodisk Electronics Co Ltd GKE160SO102408-2666 16GB
Crucial Technology BLS4G4D240FSE.8FBD 4GB
Калькулятор задержки (latency) памяти (RAM)
Рассчитать скорость работы памяти RAM в нс
RAM 1
CAS Latency (CL) *
Frequency (Mhz) *
calculate
Absolute Latency
0 ns
RAM 2
CAS Latency (CL) *
Frequency (Mhz) *
calculate
Absolute Latency
0 ns
Последние сравнения
Kingston KVT8FP-HYC 4GB
Kingston XJ69DF-MIE 8GB
G Skill Intl F4-4266C16-8GTZR 8GB
Corsair CMK16GX4M2B3200C16 8GB
SK Hynix HMT325S6BFR8C-H9 2GB
Kingston HP26D4S9S1ME-4 4GB
Kingston KF552C40-16 16GB
HT Micron HTH5AN8G8NCJR-VKD 8GB
Elpida EBJ17RG4EFWA-DJ-F 16GB
Corsair CMD16GX4M4B2133C10 4GB
AMD AE34G1601U1 4GB
Kingston 99U5702-095.A00G 8GB
Golden Empire 1GB DDR2 800 CAS=4 1GB
Gloway International Co. Ltd. WAR4U2666D19081C 8GB
Avant Technology F641GU67F9333G 8GB
Shanghai Kuxin Microelectronics Ltd NMSO416E82-2400E 16
Samsung M471B1G73DB0-YK0 8GB
Apacer Technology 78.C1GMW.AZC0B 8GB
Golden Empire 1GB DDR2 800 CAS=4 1GB
Corsair CMK8GX4M2B3200C16 4GB
Kingston KF548C38-16 16GB
Crucial Technology CT16G4SFD832A.C16FJ 16GB
Kingmax Semiconductor FLGF65F-C8KJ9A 4GB
MemxPro Inc. D4S8GHIOFFC 8GB
Crucial Technology CT25664AA800.M16FM 2GB
Shenzhen Micro Innovation Industry PSD41626D19P1 16GB
SK Hynix HYMP112S64CP6-S6 1GB
G Skill Intl F4-4133C19-8GTZA 8GB
Сообщить об ошибке
×
Bug description
Source link