RAM
DDR5
DDR4
DDR3
DDR2
О сайте
Menu
RAMs
RAM
DDR5
DDR4
DDR3
DDR2
О сайте
Русский
English
Español
Português
Deutsch
Français
Italiano
Polski
中文
日本語
Samsung M378B5773CH0-CH9 2GB
Avant Technology W6451U66J5213ND 4GB
Сравнить
Samsung M378B5773CH0-CH9 2GB против Avant Technology W6451U66J5213ND 4GB
-->
Средняя оценка
Samsung M378B5773CH0-CH9 2GB
Средняя оценка
Avant Technology W6451U66J5213ND 4GB
Различия
Спецификации
Комментарии
Различия
Причины выбрать
Samsung M378B5773CH0-CH9 2GB
Сообщить об ошибке
Причины выбрать
Avant Technology W6451U66J5213ND 4GB
Сообщить об ошибке
Ниже задержка в тестах PassMark, нс
31
39
Около -26% меньшая задержка
Выше скорость чтения
15.6
12.8
Среднее значение в тестах
Выше скорость записи
12.3
7.4
Среднее значение в тестах
Выше пропускная способность
17000
10600
Около 1.6 выше полоса пропускания
Спецификации
Полный список технических характеристик
Samsung M378B5773CH0-CH9 2GB
Avant Technology W6451U66J5213ND 4GB
Основные характеристики
Тип памяти
DDR3
DDR4
Задержка в PassMark, нс
39
31
Скорость чтения, Гб/сек
12.8
15.6
Скорость записи, Гб/сек
7.4
12.3
Пропускная способность памяти, мбит/сек
10600
17000
Other
Описание
PC3-10600, 1.5V, CAS Supported: 6 7 8 9
PC4-17000, 1.2V, CAS Supported: 10 11 12 13 14 15 16 17
Тайминги / частота
7-7-7-20 / 1333 MHz
14-14-14, 15-15-15, 16-16-16 / 2133 MHz
Рейтинг PassMark (Чем больше тем лучше)
1770
2316
Samsung M378B5773CH0-CH9 2GB Сравнения RAM
Kingston 99U5458-001.A00LF 2GB
Wilk Elektronik S.A. GR3200D464L22/16G 16GB
Avant Technology W6451U66J5213ND 4GB Сравнения RAM
Crucial Technology BLT16G4D30AETA.K16FB 16GB
Kingston 99U5403-036.A00G 4GB
Калькулятор задержки (latency) памяти (RAM)
Рассчитать скорость работы памяти RAM в нс
RAM 1
CAS Latency (CL) *
Frequency (Mhz) *
calculate
Absolute Latency
0 ns
RAM 2
CAS Latency (CL) *
Frequency (Mhz) *
calculate
Absolute Latency
0 ns
Последние сравнения
Samsung M378B5773CH0-CH9 2GB
Avant Technology W6451U66J5213ND 4GB
SK Hynix HYMP125U64CP8-S6 2GB
SK Hynix HMA82GU7MFR8N-TF 16GB
Qimonda 72T128420EFA3SB2 1GB
G Skill Intl F4-3600C16-16GVKC 16GB
TwinMOS 9DNPBNZB-TATP 4GB
Corsair CMK16GX4M4B3000C15 4GB
SK Hynix HMT325S6BFR8C-H9 2GB
Crucial Technology CB4GU2400.M8E 4GB
Ramos Technology RMB4GB58BCA3-13HC 4GB
Crucial Technology CT16G4SFS832A.C8FE 16GB
Samsung M471B5273DH0-CH9 4GB
Golden Empire CL15-15-15 D4-2400 4GB
Micron Technology 16JSF25664HZ-1G1F1 2GB
Corsair CMK16GX4M4B3200C16 4GB
SK Hynix HYMP31GF72CMP4D5Y5 8GB
Crucial Technology CT8G4SFS632A 8GB
Samsung M378A1K43EB2-CWE 8GB
Corsair CMK128GX4M8A2133C13 16GB
Samsung M3 93T5750CZA-CE6 2GB
Team Group Inc. TEAMGROUP-UD4-4000 4GB
Kingston KHX3200C18D4/8G 8GB
Corsair CMK8GX4M2B3866C18 4GB
SK Hynix HYMP31GF72CMP4D5Y5 8GB
Micron Technology 16ATF2G64HZ-2G3E1 16GB
Corsair CM2X1024-6400C4 1GB
Micron Technology 8ATF1G64HZ-2G3E2 8GB
Сообщить об ошибке
×
Bug description
Source link