RAM
DDR5
DDR4
DDR3
DDR2
О сайте
Menu
RAMs
RAM
DDR5
DDR4
DDR3
DDR2
О сайте
Русский
English
Español
Português
Deutsch
Français
Italiano
Polski
中文
日本語
Samsung M378B5773DH0-CH9 2GB
Chun Well Technology Holding Limited CL16-18-18 D4-2666 8GB
Сравнить
Samsung M378B5773DH0-CH9 2GB против Chun Well Technology Holding Limited CL16-18-18 D4-2666 8GB
-->
Средняя оценка
Samsung M378B5773DH0-CH9 2GB
Средняя оценка
Chun Well Technology Holding Limited CL16-18-18 D4-2666 8GB
Различия
Спецификации
Комментарии
Различия
Причины выбрать
Samsung M378B5773DH0-CH9 2GB
Сообщить об ошибке
Причины выбрать
Chun Well Technology Holding Limited CL16-18-18 D4-2666 8GB
Сообщить об ошибке
Ниже задержка в тестах PassMark, нс
28
39
Около -39% меньшая задержка
Выше скорость чтения
18.5
11.7
Среднее значение в тестах
Выше скорость записи
15.7
7.2
Среднее значение в тестах
Выше пропускная способность
17000
10600
Около 1.6 выше полоса пропускания
Спецификации
Полный список технических характеристик
Samsung M378B5773DH0-CH9 2GB
Chun Well Technology Holding Limited CL16-18-18 D4-2666 8GB
Основные характеристики
Тип памяти
DDR3
DDR4
Задержка в PassMark, нс
39
28
Скорость чтения, Гб/сек
11.7
18.5
Скорость записи, Гб/сек
7.2
15.7
Пропускная способность памяти, мбит/сек
10600
17000
Other
Описание
PC3-10600, 1.5V, CAS Supported: 6 7 8 9
PC4-17000, 1.2V, CAS Supported: 14 15 16
Тайминги / частота
7-7-7-20 / 1333 MHz
14-14-14, 15-15-15, 16-16-16 / 2133 MHz
Рейтинг PassMark (Чем больше тем лучше)
1749
3601
Samsung M378B5773DH0-CH9 2GB Сравнения RAM
Samsung M378B5673FH0-CH9 2GB
Samsung M378B5773CH0-CH9 2GB
Chun Well Technology Holding Limited CL16-18-18 D4-2666 8GB Сравнения RAM
Crucial Technology BLS4G4D240FSE.8FBD 4GB
Hoodisk Electronics Co Ltd GKE160SO102408-2666 16GB
Калькулятор задержки (latency) памяти (RAM)
Рассчитать скорость работы памяти RAM в нс
RAM 1
CAS Latency (CL) *
Frequency (Mhz) *
calculate
Absolute Latency
0 ns
RAM 2
CAS Latency (CL) *
Frequency (Mhz) *
calculate
Absolute Latency
0 ns
Последние сравнения
Samsung M378B5773DH0-CH9 2GB
Chun Well Technology Holding Limited CL16-18-18 D4-2666
Kingston 99U5403-036.A00G 4GB
Corsair CMK8GX4M2B4000C19 4GB
Samsung M471B5173DB0-YK0 4GB
Corsair CM4X4GF2133C13K4 4GB
Samsung M3 78T5663RZ3-CE6 2GB
Crucial Technology CT4G4DFS824A.C8FADP 4GB
G Skill Intl F3-2400C11-8GSR 8GB
Corsair CMD32GX4M2C3200C14T 16GB
Micron Technology 8JSF25664HZ-1G4D1 2GB
G Skill Intl F4-3733C17-16GTZKK 16GB
A-DATA Technology AM2L16BC4R1-B0CS 4GB
G Skill Intl F4-3200C15-16GTZKW 16GB
G Skill Intl F3-2400C11-8GSR 8GB
Corsair CMD16GX4M4B3200C16-R 4GB
AMD R5S38G1601U2S 8GB
Team Group Inc. 16GB
Mushkin 991679ES 996679ES 2GB
Corsair CMD64GX4M4C3000C15 16GB
Kingston 99U5474-038.A00LF 4GB
Crucial Technology BLS8G4D240FSE.16FAR 8GB
SK Hynix HYMP112U64CP8-S6 1GB
G Skill Intl F4-4266C16-8GTZR 8GB
Kingmax Semiconductor FLFE85F-C8KM9 2GB
Crucial Technology CT4G4DFS8266.C8FF 4GB
Samsung M378B5173BH0-CH9 4GB
Crucial Technology CT8G4DFRA32A.M8FR 8GB
Сообщить об ошибке
×
Bug description
Source link