Samsung M378B5773DH0-CH9 2GB против Gloway International (HK) STK2400C15-16GB 16GB

-->

Средняя оценка

Samsung M378B5773DH0-CH9 2GB

Samsung M378B5773DH0-CH9 2GB

Средняя оценка

Gloway International (HK) STK2400C15-16GB 16GB

Gloway International (HK) STK2400C15-16GB 16GB

Различия Спецификации Комментарии

Различия

Samsung M378B5773DH0-CH9 2GB

Причины выбрать
Samsung M378B5773DH0-CH9 2GB

Сообщить об ошибке

Gloway International (HK) STK2400C15-16GB 16GB

Причины выбрать
Gloway International (HK) STK2400C15-16GB 16GB

Сообщить об ошибке

Ниже задержка в тестах PassMark, нс

23 39

Около -70% меньшая задержка
Выше скорость чтения

17 11.7

Среднее значение в тестах
Выше скорость записи

12.5 7.2

Среднее значение в тестах
Выше пропускная способность

17000 10600

Около 1.6 выше полоса пропускания

Спецификации

Полный список технических характеристик

Samsung M378B5773DH0-CH9 2GB

Gloway International (HK) STK2400C15-16GB 16GB

Основные характеристики

Тип памяти

DDR3 DDR4
Задержка в PassMark, нс

39 23
Скорость чтения, Гб/сек

11.7 17.0
Скорость записи, Гб/сек

7.2 12.5
Пропускная способность памяти, мбит/сек

10600 17000

Other

Описание

PC3-10600, 1.5V, CAS Supported: 6 7 8 9 PC4-17000, 1.2V, CAS Supported: 14 15 16
Тайминги / частота

7-7-7-20 / 1333 MHz 14-14-14, 15-15-15, 16-16-16 / 2133 MHz
Рейтинг PassMark (Чем больше тем лучше)

1749 3098

Калькулятор задержки (latency) памяти (RAM)

Рассчитать скорость работы памяти RAM в нс

RAM 1

CAS Latency (CL) *

Frequency (Mhz) *

Absolute Latency

0 ns

RAM 2

CAS Latency (CL) *

Frequency (Mhz) *

Absolute Latency

0 ns

Последние сравнения

SK Hynix HMT425S6CFR6A-PB 2GB

SK Hynix HMT425S6CFR6A-PB 2GB

Crucial Technology BLS4G4D240FSB.8FAR 4GB

Crucial Technology BLS4G4D240FSB.8FAR 4GB

модули RAM

Samsung M378B5773DH0-CH9 2GB

Samsung M378B5773DH0-CH9 2GB

Gloway International (HK) STK2400C15-16GB 16GB

Gloway International (HK) STK2400C15-16GB 16GB

модули RAM

Micron Technology 18HTF12872AY-800F1 1GB

Micron Technology 18HTF12872AY-800F1 1GB

Essencore Limited KD48GU881-26N190D 8GB

Essencore Limited KD48GU881-26N190D 8GB

модули RAM

Crucial Technology CT51264BD160B.C16F 4GB

Crucial Technology CT51264BD160B.C16F 4GB

Kingston KF3600C16D4/8GX 8GB

Kingston KF3600C16D4/8GX 8GB

модули RAM

PNY Electronics PNY 2GB

PNY Electronics PNY 2GB

Crucial Technology CT32G4SFD8266.C16FE 32GB

Crucial Technology CT32G4SFD8266.C16FE 32GB

модули RAM

Crucial Technology BLS8G3N18AES4.16FE 8GB

Crucial Technology BLS8G3N18AES4.16FE 8GB

Micron Technology 9ASF1G72PZ-2G3B1 8GB

Micron Technology 9ASF1G72PZ-2G3B1 8GB

модули RAM

Kingston 99U5584-004.A00LF 4GB

Kingston 99U5584-004.A00LF 4GB

Corsair CMD64GX4M8X3800C19 8GB

Corsair CMD64GX4M8X3800C19 8GB

модули RAM

Nanya Technology NT2GT64U8HD0BN-AD 2GB

Nanya Technology NT2GT64U8HD0BN-AD 2GB

Golden Empire CL18-22-22 D4-3600 16GB

Golden Empire CL18-22-22 D4-3600 16GB

модули RAM

Corsair CMX8GX3M1A1600C11 8GB

Corsair CMX8GX3M1A1600C11 8GB

Corsair CMX8GX3M1A1600C11 8GB

Corsair CMX8GX3M1A1600C11 8GB

модули RAM

A-DATA Technology VDQVE1B16 2GB

A-DATA Technology VDQVE1B16 2GB

Corsair CMWX16GC3200C16W2E 16GB

Corsair CMWX16GC3200C16W2E 16GB

модули RAM

Kingston KF2666C16D4/8G 8GB

Kingston KF2666C16D4/8G 8GB

Kingston KHX2666C16/8G 8GB

Kingston KHX2666C16/8G 8GB

модули RAM

Samsung M386B4G70DM0-CMA4 32GB

Samsung M386B4G70DM0-CMA4 32GB

Kingston 9905702-019.A00G 8GB

Kingston 9905702-019.A00G 8GB

модули RAM

Kingston 9905469-143.A00LF 4GB

Kingston 9905469-143.A00LF 4GB

Wilk Elektronik S.A. GR2400S464L17/16G 16GB

Wilk Elektronik S.A. GR2400S464L17/16G 16GB

модули RAM

A-DATA Technology AD73I1C1674EV 4GB

A-DATA Technology AD73I1C1674EV 4GB

Crucial Technology BLS8G4D30AESBK.M8FE 8GB

Crucial Technology BLS8G4D30AESBK.M8FE 8GB

модули RAM