RAM
DDR5
DDR4
DDR3
DDR2
О сайте
Menu
RAMs
RAM
DDR5
DDR4
DDR3
DDR2
О сайте
Русский
English
Español
Português
Deutsch
Français
Italiano
Polski
中文
日本語
Samsung M378B5773DH0-CH9 2GB
Kingston 99U5713-002.A00G 4GB
Сравнить
Samsung M378B5773DH0-CH9 2GB против Kingston 99U5713-002.A00G 4GB
-->
Средняя оценка
Samsung M378B5773DH0-CH9 2GB
Средняя оценка
Kingston 99U5713-002.A00G 4GB
Различия
Спецификации
Комментарии
Различия
Причины выбрать
Samsung M378B5773DH0-CH9 2GB
Сообщить об ошибке
Причины выбрать
Kingston 99U5713-002.A00G 4GB
Сообщить об ошибке
Ниже задержка в тестах PassMark, нс
23
39
Около -70% меньшая задержка
Выше скорость чтения
16.4
11.7
Среднее значение в тестах
Выше скорость записи
11.7
7.2
Среднее значение в тестах
Выше пропускная способность
21300
10600
Около 2.01 выше полоса пропускания
Спецификации
Полный список технических характеристик
Samsung M378B5773DH0-CH9 2GB
Kingston 99U5713-002.A00G 4GB
Основные характеристики
Тип памяти
DDR3
DDR4
Задержка в PassMark, нс
39
23
Скорость чтения, Гб/сек
11.7
16.4
Скорость записи, Гб/сек
7.2
11.7
Пропускная способность памяти, мбит/сек
10600
21300
Other
Описание
PC3-10600, 1.5V, CAS Supported: 6 7 8 9
PC4-21300, 1.2V, CAS Supported: 10 11 12 13 14 15 16 17 18 19 20
Тайминги / частота
7-7-7-20 / 1333 MHz
17-17-17, 18-18-18, 19-19-19, 20-20-20 / 2666 MHz
Рейтинг PassMark (Чем больше тем лучше)
1749
2605
Samsung M378B5773DH0-CH9 2GB Сравнения RAM
Samsung M378B5673FH0-CH9 2GB
Samsung M378B5773CH0-CH9 2GB
Kingston 99U5713-002.A00G 4GB Сравнения RAM
Crucial Technology BLS4G4D240FSE.8FBD 4GB
Hoodisk Electronics Co Ltd GKE160SO102408-2666 16GB
Калькулятор задержки (latency) памяти (RAM)
Рассчитать скорость работы памяти RAM в нс
RAM 1
CAS Latency (CL) *
Frequency (Mhz) *
calculate
Absolute Latency
0 ns
RAM 2
CAS Latency (CL) *
Frequency (Mhz) *
calculate
Absolute Latency
0 ns
Последние сравнения
Hynix Semiconductor (Hyundai Electronics) GKE160SO10240
Micron Technology 18ASF1G72PDZ-2G6E1 8GB
Samsung M378B5773DH0-CH9 2GB
Kingston 99U5713-002.A00G 4GB
Nanya Technology NT4GC64B8HG0NS-CG 4GB
Kingston 9905624-007.A00G 8GB
G Skill Intl F3-14900CL8-4GBXM 4GB
Corsair CMU32GX4M2A2400C14 16GB
Kreton Corporation 51624xxxx68x35xxxx 2GB
Samsung M378A2G43MX3-CTD 16GB
A-DATA Technology VDQVE1B16 2GB
Kingston 9965589-008.D02G 8GB
Smart Modular SG564568FG8N6KF-Z2 2GB
G Skill Intl F4-2400C16-8GRSB 8GB
Corsair CML8GX3M2A1866C9 4GB
G Skill Intl F4-3733C17-8GTZA 8GB
takeMS International AG TMS2GB264D082-805G 2GB
Nanya Technology M471A5143EB1-CRC 4GB
Corsair CMD16GX3M2A1866C9 8GB
Micron Technology 4ATF1G64AZ-3G2E1 8GB
TwinMOS 8DHE3MN8-HATP 2GB
Crucial Technology BL16G32C16U4R.M16FE 16GB
Samsung M471B5173DB0-YK0 4GB
Patriot Memory (PDP Systems) PSD44G266641 4GB
Kingston KP4T2F-PSB 4GB
Samsung M378A1K43EB2-CVF 8GB
G Skill Intl F5-6400J3239G16G 16GB
Corsair CMW16GX4M2Z3600C18 8GB
Сообщить об ошибке
×
Bug description
Source link