RAM
DDR5
DDR4
DDR3
DDR2
О сайте
Menu
RAMs
RAM
DDR5
DDR4
DDR3
DDR2
О сайте
Русский
English
Español
Português
Deutsch
Français
Italiano
Polski
中文
日本語
Samsung M378B5773DH0-CH9 2GB
Micron Technology 8ATF1G64AZ-2G3H1R 8GB
Сравнить
Samsung M378B5773DH0-CH9 2GB против Micron Technology 8ATF1G64AZ-2G3H1R 8GB
-->
Средняя оценка
Samsung M378B5773DH0-CH9 2GB
Средняя оценка
Micron Technology 8ATF1G64AZ-2G3H1R 8GB
Различия
Спецификации
Комментарии
Различия
Причины выбрать
Samsung M378B5773DH0-CH9 2GB
Сообщить об ошибке
Причины выбрать
Micron Technology 8ATF1G64AZ-2G3H1R 8GB
Сообщить об ошибке
Ниже задержка в тестах PassMark, нс
38
39
Около -3% меньшая задержка
Выше скорость чтения
15.3
11.7
Среднее значение в тестах
Выше скорость записи
10.5
7.2
Среднее значение в тестах
Выше пропускная способность
19200
10600
Около 1.81 выше полоса пропускания
Спецификации
Полный список технических характеристик
Samsung M378B5773DH0-CH9 2GB
Micron Technology 8ATF1G64AZ-2G3H1R 8GB
Основные характеристики
Тип памяти
DDR3
DDR4
Задержка в PassMark, нс
39
38
Скорость чтения, Гб/сек
11.7
15.3
Скорость записи, Гб/сек
7.2
10.5
Пропускная способность памяти, мбит/сек
10600
19200
Other
Описание
PC3-10600, 1.5V, CAS Supported: 6 7 8 9
PC4-19200, 1.2V, CAS Supported: 10 11 12 13 14 15 16 17 18 19 20 21
Тайминги / частота
7-7-7-20 / 1333 MHz
15-15-15, 16-16-16, 17-17-17, 18-18-18 / 2400 MHz
Рейтинг PassMark (Чем больше тем лучше)
1749
2346
Samsung M378B5773DH0-CH9 2GB Сравнения RAM
Samsung M378B5673FH0-CH9 2GB
Samsung M378B5773CH0-CH9 2GB
Micron Technology 8ATF1G64AZ-2G3H1R 8GB Сравнения RAM
Hynix Semiconductor (Hyundai Electronics) GKE160SO102408-2400 16GB
Hoodisk Electronics Co Ltd GKE160SO102408-2666 16GB
Калькулятор задержки (latency) памяти (RAM)
Рассчитать скорость работы памяти RAM в нс
RAM 1
CAS Latency (CL) *
Frequency (Mhz) *
calculate
Absolute Latency
0 ns
RAM 2
CAS Latency (CL) *
Frequency (Mhz) *
calculate
Absolute Latency
0 ns
Последние сравнения
Samsung M393B1G70BH0-CK0 8GB
Corsair CMW16GX4M2D3600C18 8GB
Kingston 9905403-156.A00LF 2GB
G Skill Intl F4-3200C15-8GTZKW 8GB
Kingston 9965525-155.A00LF 8GB
Crucial Technology CT4G4DFS8213.M8FA 4GB
Samsung M395T2863QZ4-CF76 1GB
Kingston 9965643-002.A01G 4GB
Crucial Technology CT102464BF160B-16F 8GB
Kingston 9905711-017.A00G 4GB
Corsair CMX8GX3M2A1600C11 4GB
G Skill Intl F4-3000C15-8GRBB 8GB
Nanya Technology NT2GT64U8HD0BY-AD 2GB
A-DATA Technology AO1P24HCST2-BSCS 16GB
Hynix Semiconductor (Hyundai Electronics) GKE160SO10240
Crucial Technology BL8G32C16U4B.M8FE1 8GB
Kingston KHX1600C9D3/8G 8GB
Patriot Memory (PDP Systems) PSD44G240082 4GB
G Skill Intl F3-1866C8-8GTX 8GB
Crucial Technology BLT8G4D30BET4K.C8FD 8GB
Avant Technology F6451U64F9333G 4GB
Kingston X5H5PW-MIB 8GB
G Skill Intl F4-4000C14-16GTZR 16GB
Corsair CMK32GX4M2Z3600C18 16GB
Smart Modular SH564128FH8NZQNSCG 4GB
Corsair CMU32GX4M4C3400C16 8GB
Crucial Technology CT51264BD160B.C16F 4GB
Kingston ASU21D4U5S1MB-4 4GB
Сообщить об ошибке
×
Bug description
Source link