Samsung M378B5773DH0-CH9 2GB
Wilk Elektronik S.A. GR1333D364L9/4G 4GB

Samsung M378B5773DH0-CH9 2GB против Wilk Elektronik S.A. GR1333D364L9/4G 4GB

-->
Средняя оценка
star star star star star
Samsung M378B5773DH0-CH9 2GB

Samsung M378B5773DH0-CH9 2GB

Средняя оценка
star star star star star
Wilk Elektronik S.A. GR1333D364L9/4G 4GB

Wilk Elektronik S.A. GR1333D364L9/4G 4GB

Различия

  • Ниже задержка в тестах PassMark, нс
    39 left arrow 44
    Около 11% меньшая задержка
  • Выше скорость чтения
    11.7 left arrow 10.9
    Среднее значение в тестах
  • Выше скорость записи
    7.5 left arrow 7.2
    Среднее значение в тестах

Спецификации

Полный список технических характеристик
Samsung M378B5773DH0-CH9 2GB
Wilk Elektronik S.A. GR1333D364L9/4G 4GB
Основные характеристики
  • Тип памяти
    DDR3 left arrow DDR3
  • Задержка в PassMark, нс
    39 left arrow 44
  • Скорость чтения, Гб/сек
    11.7 left arrow 10.9
  • Скорость записи, Гб/сек
    7.2 left arrow 7.5
  • Пропускная способность памяти, мбит/сек
    10600 left arrow 10600
Other
  • Описание
    PC3-10600, 1.5V, CAS Supported: 6 7 8 9 left arrow PC3-10600, 1.5V, CAS Supported: 6 7 8 9
  • Тайминги / частота
    7-7-7-20 / 1333 MHz left arrow 7-7-7-20 / 1333 MHz
  • Рейтинг PassMark (Чем больше тем лучше)
    1749 left arrow 1853
Калькулятор задержки (latency) памяти (RAM)
Рассчитать скорость работы памяти RAM в нс
RAM 1
RAM 2

Последние сравнения