RAM
DDR5
DDR4
DDR3
DDR2
О сайте
Menu
RAMs
RAM
DDR5
DDR4
DDR3
DDR2
О сайте
Русский
English
Español
Português
Deutsch
Français
Italiano
Polski
中文
日本語
Samsung M378B5773DH0-CH9 2GB
Wilk Elektronik S.A. GR1333D364L9/4G 4GB
Сравнить
Samsung M378B5773DH0-CH9 2GB против Wilk Elektronik S.A. GR1333D364L9/4G 4GB
-->
Средняя оценка
Samsung M378B5773DH0-CH9 2GB
Средняя оценка
Wilk Elektronik S.A. GR1333D364L9/4G 4GB
Различия
Спецификации
Комментарии
Различия
Причины выбрать
Samsung M378B5773DH0-CH9 2GB
Сообщить об ошибке
Ниже задержка в тестах PassMark, нс
39
44
Около 11% меньшая задержка
Выше скорость чтения
11.7
10.9
Среднее значение в тестах
Причины выбрать
Wilk Elektronik S.A. GR1333D364L9/4G 4GB
Сообщить об ошибке
Выше скорость записи
7.5
7.2
Среднее значение в тестах
Спецификации
Полный список технических характеристик
Samsung M378B5773DH0-CH9 2GB
Wilk Elektronik S.A. GR1333D364L9/4G 4GB
Основные характеристики
Тип памяти
DDR3
DDR3
Задержка в PassMark, нс
39
44
Скорость чтения, Гб/сек
11.7
10.9
Скорость записи, Гб/сек
7.2
7.5
Пропускная способность памяти, мбит/сек
10600
10600
Other
Описание
PC3-10600, 1.5V, CAS Supported: 6 7 8 9
PC3-10600, 1.5V, CAS Supported: 6 7 8 9
Тайминги / частота
7-7-7-20 / 1333 MHz
7-7-7-20 / 1333 MHz
Рейтинг PassMark (Чем больше тем лучше)
1749
1853
Samsung M378B5773DH0-CH9 2GB Сравнения RAM
Samsung M378B5673FH0-CH9 2GB
Samsung M378B5773CH0-CH9 2GB
Wilk Elektronik S.A. GR1333D364L9/4G 4GB Сравнения RAM
Ramaxel Technology RMR1870EC58E9F1333 4GB
Kingston ACR26D4U9S1KA-4 4GB
Калькулятор задержки (latency) памяти (RAM)
Рассчитать скорость работы памяти RAM в нс
RAM 1
CAS Latency (CL) *
Frequency (Mhz) *
calculate
Absolute Latency
0 ns
RAM 2
CAS Latency (CL) *
Frequency (Mhz) *
calculate
Absolute Latency
0 ns
Последние сравнения
SK Hynix HMAA2GU6CJR8N-XN 16GB
Hynix Semiconductor (Hyundai Electronics) HMA81GU6CJR8N
Hynix Semiconductor (Hyundai Electronics) HMT31GR7AFR4C
G Skill Intl F4-3200C16-4GRK 4GB
AMD AE34G1601U1 4GB
G Skill Intl F4-3000C16-8GVRB 8GB
Samsung M393A1G40DB0-CPB 8GB
Smart Modular SF4641G8CK8I8HLSBG 8GB
Micron Technology 8ATF2G64HZ-3G2E2 16GB
Corsair CMD64GX4M4B2800C14 16GB
Samsung M386B4G70DM0-CMA4 32GB
Crucial Technology CT4G4SFS8213.C8FBD1 4GB
Samsung M391B5673EH1-CH9 2GB
Avant Technology J642GU42J9266N2 16GB
Samsung M3 78T2863EHS-CF7 1GB
G Skill Intl F4-3333C16-16GVR 16GB
SK Hynix HMT325S6CFR8C-PB 2GB
Hoodisk Electronics Co Ltd MD401GNSE-CB3M2 8GB
AMD AE34G1601U1 4GB
Crucial Technology BLS4G4D240FSC.8FARG 4GB
Nanya Technology M2F8G64CB8HC9N-DI 8GB
G Skill Intl F4-3000C16-16GTZR 16GB
Samsung M393B5170FH0-CK0 4GB
Kingston 9905630-063.A00G 16GB
Corsair CMY16GX3M4A2133C8 4GB
Crucial Technology BLE16G4D30AEEA.K16FB 16GB
Samsung M4 70T2953EZ3-CE6 1GB
Panram International Corporation W4N2666PS-8G 8GB
Сообщить об ошибке
×
Bug description
Source link