RAM
DDR5
DDR4
DDR3
DDR2
О сайте
Menu
RAMs
RAM
DDR5
DDR4
DDR3
DDR2
О сайте
Русский
English
Español
Português
Deutsch
Français
Italiano
Polski
中文
日本語
Samsung M378T5663QZ3-CF7 2GB
Crucial Technology BL16G36C16U4WL.M16FE 16GB
Сравнить
Samsung M378T5663QZ3-CF7 2GB против Crucial Technology BL16G36C16U4WL.M16FE 16GB
-->
Средняя оценка
Samsung M378T5663QZ3-CF7 2GB
Средняя оценка
Crucial Technology BL16G36C16U4WL.M16FE 16GB
Различия
Спецификации
Комментарии
Различия
Причины выбрать
Samsung M378T5663QZ3-CF7 2GB
Сообщить об ошибке
Выше скорость чтения
4
19.8
Среднее значение в тестах
Причины выбрать
Crucial Technology BL16G36C16U4WL.M16FE 16GB
Сообщить об ошибке
Ниже задержка в тестах PassMark, нс
26
56
Около -115% меньшая задержка
Выше скорость записи
16.8
1,813.5
Среднее значение в тестах
Выше пропускная способность
21300
6400
Около 3.33 выше полоса пропускания
Спецификации
Полный список технических характеристик
Samsung M378T5663QZ3-CF7 2GB
Crucial Technology BL16G36C16U4WL.M16FE 16GB
Основные характеристики
Тип памяти
DDR2
DDR4
Задержка в PassMark, нс
56
26
Скорость чтения, Гб/сек
4,387.7
19.8
Скорость записи, Гб/сек
1,813.5
16.8
Пропускная способность памяти, мбит/сек
6400
21300
Other
Описание
PC2-6400, SSTL 1.8V, CAS Supported: 4 5 6
PC4-21300, 1.2V, CAS Supported: 10 12 13 14 15 16 17 18 19 20
Тайминги / частота
5-5-5-15 / 800 MHz
17-17-17, 18-18-18, 19-19-19, 20-20-20 / 2666 MHz
Рейтинг PassMark (Чем больше тем лучше)
693
4012
Samsung M378T5663QZ3-CF7 2GB Сравнения RAM
Kingston 2GB-DDR2 800Mhz 2GB
TwinMOS 8D7T5MK8-TATP 2GB
Crucial Technology BL16G36C16U4WL.M16FE 16GB Сравнения RAM
Hoodisk Electronics Co Ltd GKE160SO102408-2666 16GB
Crucial Technology BLS4G4D240FSE.8FBD 4GB
Калькулятор задержки (latency) памяти (RAM)
Рассчитать скорость работы памяти RAM в нс
RAM 1
CAS Latency (CL) *
Frequency (Mhz) *
calculate
Absolute Latency
0 ns
RAM 2
CAS Latency (CL) *
Frequency (Mhz) *
calculate
Absolute Latency
0 ns
Последние сравнения
Kingston 9905471-002.A00LF 2GB
SK Hynix HMA851U6CJR6N-VK 4GB
Samsung M378B5173BH0-CH9 4GB
Kingston KHX2666C16/16G 16GB
takeMS International AG TMS2GB264D082-805G 2GB
Crucial Technology CT16G4SFD824A.M16FA 16GB
Samsung M393B1K70QB0-CK0 8GB
A-DATA Technology DDR4 3300 2OZ 4GB
Corsair CMY16GX3M4A2133C8 4GB
Crucial Technology BLS4G4D26BFSC.8FE 4GB
G Skill Intl F3-14900CL8-4GBXM 4GB
Corsair CM4X4GF2400C16S2 4GB
SK Hynix HMT41GS6MFR8C-PB 8GB
Samsung M471B1G73DB0-YK0 8GB
Kingston 9905403-156.A00LF 2GB
Crucial Technology BLS8G4D26BFSB.16FBR2 8GB
Samsung 1600 CL10 Series 8GB
Hynix Semiconductor (Hyundai Electronics) HMA451R7AFR8N
Samsung M393B5170FH0-CK0 4GB
Kingston 9965596-016.B01G 8GB
Kingston 99U5471-034.A00LF 4GB
A-DATA Technology AD5U48008G-B 8GB
Kingston 9905316-106.A02LF 1GB
Kingston MSI26D4S9S8ME-8 8GB
Crucial Technology CT51264BA1339.C16F 4GB
Corsair CM4B16G1J2400A16K2-O 16GB
Samsung M3 78T2863EHS-CF7 1GB
Samsung M378A1G43TB1-CTD 8GB
Сообщить об ошибке
×
Bug description
Source link