RAM
DDR5
DDR4
DDR3
DDR2
О сайте
Menu
RAMs
RAM
DDR5
DDR4
DDR3
DDR2
О сайте
Русский
English
Español
Português
Deutsch
Français
Italiano
Polski
中文
日本語
Samsung M378T5663QZ3-CF7 2GB
Crucial Technology CT8G4SFS824A.C8FE 8GB
Сравнить
Samsung M378T5663QZ3-CF7 2GB против Crucial Technology CT8G4SFS824A.C8FE 8GB
-->
Средняя оценка
Samsung M378T5663QZ3-CF7 2GB
Средняя оценка
Crucial Technology CT8G4SFS824A.C8FE 8GB
Различия
Спецификации
Комментарии
Различия
Причины выбрать
Samsung M378T5663QZ3-CF7 2GB
Сообщить об ошибке
Выше скорость чтения
4
15.1
Среднее значение в тестах
Причины выбрать
Crucial Technology CT8G4SFS824A.C8FE 8GB
Сообщить об ошибке
Ниже задержка в тестах PassMark, нс
32
56
Около -75% меньшая задержка
Выше скорость записи
10.8
1,813.5
Среднее значение в тестах
Выше пропускная способность
19200
6400
Около 3 выше полоса пропускания
Спецификации
Полный список технических характеристик
Samsung M378T5663QZ3-CF7 2GB
Crucial Technology CT8G4SFS824A.C8FE 8GB
Основные характеристики
Тип памяти
DDR2
DDR4
Задержка в PassMark, нс
56
32
Скорость чтения, Гб/сек
4,387.7
15.1
Скорость записи, Гб/сек
1,813.5
10.8
Пропускная способность памяти, мбит/сек
6400
19200
Other
Описание
PC2-6400, SSTL 1.8V, CAS Supported: 4 5 6
PC4-19200, 1.2V, CAS Supported: 10 11 12 13 14 15 16 17 18 19 20 21
Тайминги / частота
5-5-5-15 / 800 MHz
15-15-15, 16-16-16, 17-17-17, 18-18-18 / 2400 MHz
Рейтинг PassMark (Чем больше тем лучше)
693
2667
Samsung M378T5663QZ3-CF7 2GB Сравнения RAM
Kingston 2GB-DDR2 800Mhz 2GB
TwinMOS 8D7T5MK8-TATP 2GB
Crucial Technology CT8G4SFS824A.C8FE 8GB Сравнения RAM
Crucial Technology BLS4G4D240FSE.8FBD 4GB
Hoodisk Electronics Co Ltd GKE160SO102408-2666 16GB
Калькулятор задержки (latency) памяти (RAM)
Рассчитать скорость работы памяти RAM в нс
RAM 1
CAS Latency (CL) *
Frequency (Mhz) *
calculate
Absolute Latency
0 ns
RAM 2
CAS Latency (CL) *
Frequency (Mhz) *
calculate
Absolute Latency
0 ns
Последние сравнения
Samsung M471B5173QH0-YK0 4GB
SpecTek Incorporated 16G2666CL19 16GB
Nanya Technology M2Y51264TU88B0B-3C 512MB
Panram International Corporation D4U2666P-8G 8GB
Samsung M378T5663QZ3-CF7 2GB
Crucial Technology CT8G4SFS824A.C8FE 8GB
Crucial Technology CT51264AC800.C16FC 4GB
Kingston 99P5723-006.A00G 8GB
Kingston 99P5474-014.A00LF 4GB
Patriot Memory (PDP Systems) 3200 C16 Series 8GB
Kingston 99U5471-030.A00LF 8GB
G Skill Intl F4-2400C15Z8GNT 8GB
Samsung M4 70T2953EZ3-CE6 1GB
Kingston MSI24D4S7S8S8-8 8GB
Samsung DDR3 8GB 1600MHz 8GB
Apacer Technology 78.CAGR4.40C0B 8GB
Kingston 99U5474-010.A00LF 2GB
Micron Technology 16ATF2G64HZ-2G3B2 16GB
Samsung M393B5170FH0-CK0 4GB
Corsair CMK16GX4M2C3600C20 8GB
Kingston HX316C10F/4 4GB
Kingston KVR16N11/8-SP 8GB
A-DATA Technology DDR3 1600 4GB
Samsung M391A1G43DB0-CPB 8GB
A-DATA Technology ADOVE1A0834E 1GB
Avant Technology J642GU42J7240N4 16GB
Kingston 99U5471-025.A00LF 4GB
Hynix Semiconductor (Hyundai Electronics) HMA41GS6AFR8N
Сообщить об ошибке
×
Bug description
Source link